公开(公告)号：US20120175728A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US13004261

申请日：2011-01-11

申请人： Ching-Jung YANG ,  Yu-Wen LIU ,  Michael Shou-Ming TONG ,  Hsien-Wei CHEN ,  Chung-Ying YANG ,  Tsung-Yuan YU

发明人： Ching-Jung YANG ,  Yu-Wen LIU ,  Michael Shou-Ming TONG ,  Hsien-Wei CHEN ,  Chung-Ying YANG ,  Tsung-Yuan YU

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a substrate having a circuit region and a seal ring region. The seal ring region surrounds the circuit region. A seal ring structure is disposed over the seal ring region. The seal ring structure has a first portion and a second portion above the first portion. The first portion has a width W1, and the second portion has a width W2. The width W1 is less than the width W2.

摘要翻译： 半导体器件包括具有电路区域和密封环区域的衬底。 密封圈区域围绕电路区域。 密封环结构设置在密封环区域的上方。 密封环结构具有在第一部分上方的第一部分和第二部分。 第一部分具有宽度W1，第二部分具有宽度W2。 宽度W1小于宽度W2。

公开(公告)号：US20130087914A1

公开(公告)日：2013-04-11

申请号：US13253845

申请日：2011-10-05

申请人： Chung-Ying YANG ,  Hsien-Wei CHEN ,  Tsung-Yuan YU ,  Shih-Wei LIANG

发明人： Chung-Ying YANG ,  Hsien-Wei CHEN ,  Tsung-Yuan YU ,  Shih-Wei LIANG

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3142 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

摘要： A wafer level chip scale package (WLCSP) includes a semiconductor device including an active surface having a contact pad, and side surfaces. A mold covers the side surfaces of the semiconductor device. A RDL structure includes a first PPI line electrically connected to the contact pad and extending on the active surface of the semiconductor device. A UBM layer is formed over and electrically connected to the first PPI line. A seal ring structure extends around the upper periphery of the semiconductor device on the mold. The seal ring structure includes a seal layer extending on the same level as at least one of the first PPI line and the UBM layer. A method of manufacturing a WLCSP includes forming a re-routing laminated structure by simultaneously forming an interconnection line and a seal layer on the molded semiconductor devices.

摘要翻译： 晶片级芯片级封装（WLCSP）包括具有接触焊盘的有源表面和侧表面的半导体器件。 模具覆盖半导体器件的侧表面。 RDL结构包括电连接到接触焊盘并在半导体器件的有源表面上延伸的第一PPI线。 UBM层形成在第一PPI线之上并电连接到第一PPI线。 密封环结构围绕模具上的半导体器件的上周围延伸。 密封环结构包括在与第一PPI线和UBM层中的至少一个相同的高度上延伸的密封层。 制造WLCSP的方法包括通过在模制的半导体器件上同时形成互连线和密封层来形成再布线层压结构。

公开(公告)号：US20130113097A1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13291550

申请日：2011-11-08

申请人： Tsung-Yuan YU ,  Hsien-Wei CHEN ,  Ying-Ju CHEN ,  Shih-Wei LIANG

发明人： Tsung-Yuan YU ,  Hsien-Wei CHEN ,  Ying-Ju CHEN ,  Shih-Wei LIANG

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L24/14 ,  G06F2217/40 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1405 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/14517 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： In a method of improving ball strength of a semiconductor device, a ball pattern of a plurality of connection balls to be formed as electrical connections for the semiconductor device is received. The pattern includes a number of columns and rows crossing each other. The balls are arranged at intersections of the columns and rows. An arrangement of balls in a region of the ball pattern is modified so that the region includes no isolated balls.

摘要翻译： 在提高半导体器件的球强度的方法中，接收要形成为半导体器件的电连接的多个连接球的球形图案。 该图案包括彼此交叉的多个列和行。 球排列在列和行的交点处。 在球形图案的区域中的球的布置被修改，使得该区域不包括孤立的球。

公开(公告)号：US20130093077A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13272540

申请日：2011-10-13

申请人： Shih-Wei LIANG ,  Hsien-Wei CHEN ,  Ying-Ju CHEN ,  Tsung-Yuan YU ,  Mirng-Ji LII

发明人： Shih-Wei LIANG ,  Hsien-Wei CHEN ,  Ying-Ju CHEN ,  Tsung-Yuan YU ,  Mirng-Ji LII

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/76841 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/02235 ,  H01L2224/02255 ,  H01L2224/0226 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81413 ,  H01L2224/81416 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device includes a passivation layer, a first protective layer, an interconnect layer, and a second protective layer successively formed on a semiconductor substrate. The interconnect layer has an exposed portion, on which a barrier layer and a solder bump are formed. At least one of the passivation layer, the first protective layer, the interconnect layer and the second protective layer includes at least one slot formed in a region outside a conductive pad region.

摘要翻译： 半导体器件包括依次形成在半导体衬底上的钝化层，第一保护层，互连层和第二保护层。 互连层具有暴露部分，其上形成有阻挡层和焊料凸块。 钝化层，第一保护层，互连层和第二保护层中的至少一个包括形成在导电焊盘区域外的区域中的至少一个槽。

公开(公告)号：US20130270698A1

公开(公告)日：2013-10-17

申请号：US13448217

申请日：2012-04-16

申请人： Hsien-Wei CHEN ,  Ying-Ju CHEN ,  Tsung-Yuan YU ,  Yu-Feng CHEN ,  Tsung-Ding WANG

发明人： Hsien-Wei CHEN ,  Ying-Ju CHEN ,  Tsung-Yuan YU ,  Yu-Feng CHEN ,  Tsung-Ding WANG

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/206

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor die having first and second conductive pads, and a substrate having third and fourth bonding pads. A width ratio of the first conductive pad over the third bonding pad at an inner region is different from a width ratio of the second conductive pad over the fourth bonding pad at an outer region.

摘要翻译： 半导体器件包括具有第一和第二导电焊盘的半导体管芯，以及具有第三和第四焊盘的衬底。 第一导电焊盘在内部区域的第三接合焊盘上的宽度比不同于外部区域处的第四接合焊盘上的第二导电焊盘的宽度比。

公开(公告)号：US20130043598A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：US13212536

申请日：2011-08-18

申请人： Ying-Ju CHEN ,  Hsien-Wei CHEN ,  Tsung-Yuan YU ,  Shih-Wei LIANG

发明人： Ying-Ju CHEN ,  Hsien-Wei CHEN ,  Tsung-Yuan YU ,  Shih-Wei LIANG

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/291 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48681 ,  H01L2224/48684 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/48881 ,  H01L2224/48884 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： Mechanisms of forming a bond pad structure are provided. The bond pad has a recess region, which is formed by an opening in the passivation layer underneath the bond pad. An upper passivation layer covers at least the recess region of the bond pad to reduce trapping of patterning and/or etching residues in the recess region. As a result, the likelihood of bond pad corrosion is reduced.

摘要翻译： 提供了形成接合焊盘结构的机理。 接合焊盘具有凹陷区域，该凹陷区域由接合焊盘下方的钝化层中的开口形成。 上钝化层至少覆盖接合焊盘的凹陷区域，以减少凹陷区域中图案化和/或蚀刻残留物的捕获。 结果，焊盘腐蚀的可能性降低。