公开(公告)号：US20130056872A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：US13225113

申请日：2011-09-02

申请人： Hao-Juin Liu ,  Chita Chuang ,  Ching-Wen Hsiao ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chih-Hua Chen

发明人： Hao-Juin Liu ,  Chita Chuang ,  Ching-Wen Hsiao ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chih-Hua Chen

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： A method includes placing a plurality of bottom units onto a jig, wherein the plurality of bottom units is not sawed apart and forms an integrated component. Each of the plurality of bottom units includes a package substrate and a die bonded to the package substrate. A plurality of upper component stacks is placed onto the plurality of bottom units, wherein solder balls are located between the plurality of upper component and the plurality of bottom units. A reflow is performed to join the plurality of upper component stacks with respective ones of the plurality of bottom units through the solder balls.

摘要翻译： 一种方法包括将多个底部单元放置在夹具上，其中多个底部单元没有锯切并形成一个集成部件。 多个底部单元中的每一个包括封装基板和结合到封装基板的管芯。 多个上部组件堆放在多个底部单元上，其中焊球位于多个上部组件和多个底部单元之间。 执行回流以通过焊球将多个上部部件堆叠与多个底部单元中的相应的底部单元接合。

公开(公告)号：US08765497B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US13225113

申请日：2011-09-02

申请人： Hao-Juin Liu ,  Chita Chuang ,  Ching-Wen Hsiao ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chih-Hua Chen

发明人： Hao-Juin Liu ,  Chita Chuang ,  Ching-Wen Hsiao ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chih-Hua Chen

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L23/00 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/48 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： A method includes placing a plurality of bottom units onto a jig, wherein the plurality of bottom units is not sawed apart and forms an integrated component. Each of the plurality of bottom units includes a package substrate and a die bonded to the package substrate. A plurality of upper component stacks is placed onto the plurality of bottom units, wherein solder balls are located between the plurality of upper component and the plurality of bottom units. A reflow is performed to join the plurality of upper component stacks with respective ones of the plurality of bottom units through the solder balls.

摘要翻译： 一种方法包括将多个底部单元放置在夹具上，其中多个底部单元没有锯切并形成一个集成部件。 多个底部单元中的每一个包括封装基板和结合到封装基板的管芯。 多个上部组件堆放在多个底部单元上，其中焊球位于多个上部组件和多个底部单元之间。 执行回流以通过焊球将多个上部部件堆叠与多个底部单元中的相应的底部单元接合。

公开(公告)号：US09257412B2

公开(公告)日：2016-02-09

申请号：US13611226

申请日：2012-09-12

申请人： Yao-Chun Chuang ,  Yu-Chen Hsu ,  Hao-Juin Liu ,  Chita Chuang ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chen-Shien Chen

发明人： Yao-Chun Chuang ,  Yu-Chen Hsu ,  Hao-Juin Liu ,  Chita Chuang ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chen-Shien Chen

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L25/065 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： A structure comprises a plurality of connectors formed on a top surface of a first semiconductor die, a second semiconductor die formed on the first semiconductor die and coupled to the first semiconductor die through the plurality of connectors and a first dummy conductive plane formed between an edge of the first semiconductor die and the plurality of connectors, wherein an edge of the first dummy conductive plane and a first distance to neutral point (DNP) direction form a first angle, and wherein the first angle is less than or equal to 45 degrees.

摘要翻译： 一种结构包括形成在第一半导体管芯的顶表面上的多个连接器，形成在第一半导体管芯上并通过多个连接器耦合到第一半导体管芯的第二半导体管芯，以及形成在第一半导体管芯的边缘 的第一半导体管芯和多个连接器，其中第一虚拟导电平面的边缘和中性点（DNP）方向的第一距离形成第一角度，并且其中第一角度小于或等于45度。

公开(公告)号：US09287191B2

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：US13271766

申请日：2011-10-12

申请人： Hao-Juin Liu ,  Chita Chuang ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chen-Shien Chen

发明人： Hao-Juin Liu ,  Chita Chuang ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chen-Shien Chen

IPC分类号： H01L21/58 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/36 ,  H01L23/42 ,  H01L23/498 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/36 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029

摘要： An embodiment is a structure. The structure comprises a substrate, a chip, and a reinforcement component. The substrate has a first surface, and the first surface comprises depressions. The chip is over and attached to the first surface of the substrate. The reinforcement component is over a first area of the first surface of the substrate. The first area is not under the chip. The reinforcement component has a portion disposed in at least some of the depressions in the first area.

摘要翻译： 一个实施例是一种结构。 该结构包括基底，芯片和增强部件。 衬底具有第一表面，并且第一表面包括凹陷。 芯片结束并附着到基板的第一表面。 加强部件在基板的第一表面的第一区域之上。 第一个区域不在芯片之下。 加强部件具有设置在第一区域中的至少一些凹部中的部分。

公开(公告)号：US20130093075A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13271766

申请日：2011-10-12

申请人： Hao-Juin Liu ,  Chita Chuang ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chen-Shien Chen

发明人： Hao-Juin Liu ,  Chita Chuang ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chen-Shien Chen

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/36 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029

摘要： An embodiment is a structure. The structure comprises a substrate, a chip, and a reinforcement component. The substrate has a first surface, and the first surface comprises depressions. The chip is over and attached to the first surface of the substrate. The reinforcement component is over a first area of the first surface of the substrate. The first area is not under the chip. The reinforcement component has a portion disposed in at least some of the depressions in the first area.

摘要翻译： 一个实施例是一种结构。 该结构包括基底，芯片和增强部件。 衬底具有第一表面，并且第一表面包括凹陷。 芯片结束并附着到基板的第一表面。 加强部件在基板的第一表面的第一区域之上。 第一个区域不在芯片之下。 加强部件具有设置在第一区域中的至少一些凹部中的部分。

公开(公告)号：US20140070402A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：US13611226

申请日：2012-09-12

申请人： Yao-Chun Chuang ,  Yu-Chen Hsu ,  Hao-Juin Liu ,  Chita Chuang ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chen-Shien Chen

发明人： Yao-Chun Chuang ,  Yu-Chen Hsu ,  Hao-Juin Liu ,  Chita Chuang ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chen-Shien Chen

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/562 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： A structure comprises a plurality of connectors formed on a top surface of a first semiconductor die, a second semiconductor die formed on the first semiconductor die and coupled to the first semiconductor die through the plurality of connectors and a first dummy conductive plane formed between an edge of the first semiconductor die and the plurality of connectors, wherein an edge of the first dummy conductive plane and a first distance to neutral point (DNP) direction form a first angle, and wherein the first angle is less than or equal to 45 degrees.

摘要翻译： 一种结构包括形成在第一半导体管芯的顶表面上的多个连接器，形成在第一半导体管芯上并通过多个连接器耦合到第一半导体管芯的第二半导体管芯，以及形成在第一半导体管芯的边缘 的第一半导体管芯和多个连接器，其中第一虚拟导电平面的边缘和中性点（DNP）方向的第一距离形成第一角度，并且其中第一角度小于或等于45度。

公开(公告)号：US09679836B2

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：US13298102

申请日：2011-11-16

申请人： Ching-Wen Hsiao ,  Ming-Da Cheng ,  Chih-Wei Lin ,  Chen-Shien Chen ,  Chih-Hua Chen ,  Chen-Cheng Kuo

发明人： Ching-Wen Hsiao ,  Ming-Da Cheng ,  Chih-Wei Lin ,  Chen-Shien Chen ,  Chih-Hua Chen ,  Chen-Cheng Kuo

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L21/683 ,  H01L25/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/16 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： A device includes a redistribution line, and a polymer region molded over the redistribution line. The polymer region includes a first flat top surface. A solder region is disposed in the polymer region and electrically coupled to the redistribution line. The solder region includes a second flat top surface not higher than the first flat top surface.

公开(公告)号：US20130119539A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：US13298102

申请日：2011-11-16

申请人： Ching-Wen Hsiao ,  Ming-Da Cheng ,  Chih-Wei Lin ,  Chen-Shien Chen ,  Chih-Hua Chen ,  Chen-Cheng Kuo

发明人： Ching-Wen Hsiao ,  Ming-Da Cheng ,  Chih-Wei Lin ,  Chen-Shien Chen ,  Chih-Hua Chen ,  Chen-Cheng Kuo

IPC分类号： H05K1/11 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/16 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： A device includes a redistribution line, and a polymer region molded over the redistribution line. The polymer region includes a first flat top surface. A solder region is disposed in the polymer region and electrically coupled to the redistribution line. The solder region includes a second flat top surface not higher than the first flat top surface.

摘要翻译： 一种装置包括再分布线，以及在再分配线上模制的聚合物区域。 聚合物区域包括第一平坦顶表面。 焊料区域设置在聚合物区域中并电耦合到再分配线路。 焊料区域包括不高于第一平坦顶表面的第二平坦顶表面。

公开(公告)号：US08178970B2

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：US12623925

申请日：2009-11-23

申请人： Wen-Wei Shen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chih-Hua Chen ,  Ching-Wen Hsiao

发明人： Wen-Wei Shen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chih-Hua Chen ,  Ching-Wen Hsiao

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/207

摘要： A flip-chip packaging assembly and integrated circuit device are disclosed. An exemplary flip-chip packaging assembly includes a first substrate; a second substrate; and joint structures disposed between the first substrate and the second substrate. Each joint structure comprises an interconnect post between the first substrate and the second substrate and a joint solder between the interconnect post and the second substrate, wherein the interconnect post exhibits a width and a first height. A pitch defines a distance between each joint structure. The first height is less than half the pitch.

摘要翻译： 公开了一种倒装芯片封装组件和集成电路器件。 示例性的倒装芯片封装组件包括第一基板; 第二基板; 以及设置在第一基板和第二基板之间的接合结构。 每个接头结构包括在第一基板和第二基板之间的互连柱和在互连柱和第二基板之间的接合焊料，其中互连柱呈现宽度和第一高度。 间距定义每个关节结构之间的距离。 第一高度小于音高的一半。

公开(公告)号：US20110227216A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US12725322

申请日：2010-03-16

申请人： Ming-Hung Tseng ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chih-Hua Chen ,  Ching-Wen Hsiao

发明人： Ming-Hung Tseng ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Cheng Kuo ,  Chih-Hua Chen ,  Ching-Wen Hsiao

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01084 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05005

摘要： An under-bump metallization (UBM) structure for a semiconductor device is provided. A passivation layer is formed over a contact pad such that at least a portion of the contact pad is exposed. A protective layer, such as a polyimide layer, may be formed over the passivation layer. The UBM structure, such as a conductive pillar, is formed over the underlying contact pad such that the underlying contact pad extends laterally past the UBM structure by a distance large enough to prevent or reduce cracking of the passivation layer and or protective layer.

摘要翻译： 提供了一种用于半导体器件的凸块下金属化（UBM）结构。 钝化层形成在接触焊盘上，使得接触焊盘的至少一部分被暴露。 可以在钝化层上方形成保护层，例如聚酰亚胺层。 诸如导电柱的UBM结构形成在下面的接触焊盘之上，使得下面的接触焊盘横向延伸越过UBM结构一个足够大的距离，以防止或减少钝化层和/或保护层的破裂。