公开(公告)号：WO2018098100A1

公开(公告)日：2018-05-31

申请号：PCT/US2017/062667

申请日：2017-11-21

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： NGUYEN, Thanh X. ,  ZENG, Weimin ,  CAO, Yong

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  H01J37/34

CPC classification number: H01J37/3441 ,  H01J37/3438 ,  H01J37/3488 ,  H01L21/02266

Abstract: Embodiments of process kits for process chambers and methods for processing a substrate are provided herein. In some embodiments, a process kit includes a non-conductive upper shield having an upper portion to surround a sputtering target and a lower portion extending downward from the upper portion; and a conductive lower shield disposed radially outward of the non-conductive upper shield and having a cylindrical body with an upper portion and a lower portion, a lower wall projecting radially inward from the lower portion, and a lip protruding upward from the lower wall. The cylindrical body is spaced apart from the non-conductive upper shield by a first gap. The lower wall is spaced apart from the lower portion of the non-conductive upper shield by a second gap to limit a direct line of sight between a volume within the non-conductive upper shield and the cylindrical body of the conductive lower shield.

公开(公告)号：WO2016200498A1

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：PCT/US2016/029746

申请日：2016-04-28

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： MEBARKI, Bencherki ,  MANNA, Pramit ,  MIAO, Li Yan ,  PADHI, Deenesh ,  KIM, Bok Hoen ,  BENCHER, Christopher Dennis

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31138 ,  H01L2221/00

Abstract: Embodiments of the disclosure relate to deposition of a conformal organic material over a feature formed in a photoresist or a hardmask, to decrease the critical dimensions and line edge roughness. In various embodiments, an ultra-conformal carbon-based material is deposited over features formed in a high-resolution photoresist. The conformal organic layer formed over the photoresist thus reduces both the critical dimensions and the line edge roughness of the features.

Abstract translation: 本公开的实施例涉及在光致抗蚀剂或硬掩模中形成的特征上沉积保形有机材料，以减少临界尺寸和线边缘粗糙度。 在各种实施例中，将超适形碳基材料沉积在形成于高分辨率光致抗蚀剂中的特征上。 在光致抗蚀剂上形成的共形有机层因此降低了特征的临界尺寸和线边缘粗糙度。

公开(公告)号：WO2016137964A1

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：PCT/US2016/019086

申请日：2016-02-23

Applicant: CORNING INCORPORATED

Inventor： BOUGHTON, Daniel Robert ,  FAGAN, James Gerard ,  MEBERT, Valerie Elise

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6831

Abstract: An electrostatic chucking apparatus includes a movable member arranged for movement relative to an axial axis, at least one electrostatic chuck coupled to the movable member, and a stationary member. At least one moving insulated electrode is coupled to the movable member, and at least one stationary insulated electrode is coupled to the stationary member in an axial position corresponding to the at least one moving insulated electrode. A slip ring contact couples electrical energy from the at least one stationary insulated electrode to the at least one moving insulated electrode.

Abstract translation: 一种静电吸附装置包括一个可相对于轴向运动的可动件，至少一个连接到可动件上的静电吸盘和一个固定件。 至少一个移动绝缘电极耦合到可移动构件，并且至少一个固定绝缘电极在对应于至少一个移动绝缘电极的轴向位置中联接到固定构件。 滑环接触将来自至少一个固定绝缘电极的电能耦合到至少一个移动绝缘电极。

公开(公告)号：WO2016019672A1

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：PCT/CN2014/093649

申请日：2014-12-12

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 赵磊 ,  郭炜

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/34 ,  H01L21/467 ,  H01L21/47573 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 公开了金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法、显示装置，属于薄膜晶体管制造工艺领域。其中，该金属氧化物薄膜晶体管的制作方法包括采用一次构图工艺形成薄膜晶体管的氧化物有源层和刻蚀阻挡层的图形。

公开(公告)号：WO2016016761A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：PCT/IB2015/055414

申请日：2015-07-17

Applicant: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： NAGAMATSU, Sho ,  MORIWAKA, Tomoaki

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: A first conductor is formed over a substrate. A first insulator is formed over the first conductor. A second insulator including aluminum oxide is formed over the first insulator. A third insulator is formed in contact with a top surface of the second insulator. A first opening portion reaching the first conductor is provided in the first to third insulators. A second conductor is formed over the third insulator and in the first opening portion. A third conductor is formed in the first opening portion by removing part of the second conductor over the third insulator so that a surface of the third conductor is parallel to a bottom surface of the substrate. A first transistor including an oxide semiconductor is formed over the third insulator.

Abstract translation: 第一导体形成在衬底上。 在第一导体上形成第一绝缘体。 在第一绝缘体上形成包括氧化铝的第二绝缘体。 第三绝缘体形成为与第二绝缘体的顶表面接触。 到达第一导体的第一开口部分设置在第一至第三绝缘体中。 第二导体形成在第三绝缘体上并且在第一开口部分中。 第三导体通过在第三绝缘体上除去第二导体的一部分而形成在第一开口部分中，使得第三导体的表面平行于衬底的底表面。 包括氧化物半导体的第一晶体管形成在第三绝缘体上。

公开(公告)号：WO2015137198A1

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：PCT/JP2015/056238

申请日：2015-03-03

Applicant: 株式会社アルバック

Inventor： 小林　宏樹 ,  逸見　充則 ,  廣瀬　光隆 ,  塚越　和也 ,  木村　勲 ,  鄒　弘綱

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/06 ,  H01L21/316 ,  H01L41/187 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319

CPC classification number: H01L41/319 ,  C23C14/083 ,  C23C14/088 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316

Abstract: 　本発明の多層膜の製造方法は、基板（２、３１）に導電層（３）を形成し、前記導電層（３）を覆うように、ペロブスカイト構造を有する酸化物を含むシード層（４）をスパッタ法により形成し、前記シード層（４）を覆うように誘電体層（５）を形成する。

Abstract translation: 在该多层膜的制造方法中，在基板（2,31）上形成导电层（3），溅射包含具有钙钛矿结构的氧化物的晶种层（4），以覆盖导电层（3） ），并且形成介电层（5）以覆盖种子层（4）。

公开(公告)号：WO2015073640A1

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：PCT/US2014/065403

申请日：2014-11-13

Applicant: MICHIGAN TECHNOLOGICAL UNIVERSITY

Inventor： DAUNAIS, Thomas ,  BERGSTROM, Paul, L.

IPC: H01L21/00

CPC classification number: G01N33/54386 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N27/127 ,  G01N27/4146 ,  G01N33/552 ,  G01N33/56916 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/311 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775

Abstract: A method for fabricating silicon nanowires. The method includes the steps of: depositing a silicon nitride layer on a silicon on insulator (SOI) starting wafer; patterning the silicon nitride to define at least one silicon microbar; etching the SOI starting wafer to expose the at least one silicon microbar, wherein the at least one microbar is surrounded by a raised perimeter; growing a silicon oxide layer on the raised perimeter of the at least one microbar; and etching a portion of the at least one silicon microbar to produce at least one silicon nanowire adjacent the silicon oxide layer.

Abstract translation: 一种制造硅纳米线的方法。 该方法包括以下步骤：在绝缘体上硅（SOI）起始晶片上沉积氮化硅层; 图案化氮化硅以限定至少一个硅微孔; 蚀刻所述SOI起始晶片以暴露所述至少一个硅微型棒，其中所述至少一个微型棒被升高的周边包围; 在所述至少一个微条的隆起周边上生长氧化硅层; 以及蚀刻所述至少一个硅微量棒的一部分以产生邻近所述氧化硅层的至少一个硅纳米线。

公开(公告)号：WO2014185034A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：PCT/JP2014/002443

申请日：2014-05-08

Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社

Inventor： 根来　昇 ,  鶴見　直大 ,  柴田　大輔

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/316 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L23/3171 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/283 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/291 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/475 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 　半導体装置は、窒化物半導体からなる半導体層と、半導体層上に形成されたオーミック電極とショットキー電極と、オーミック電極とショットキー電極の間の半導体層上とショットキー電極とを覆う単位体積あたりの水素含有量の少ない第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の上に形成された第１の絶縁膜より単位体積あたりの水素含有量の多い第２の絶縁膜とを備える。

Abstract translation: 该半导体器件具有：包含氮化物半导体的半导体层; 形成在半导体层上的欧姆电极和肖特基电极; 第一绝缘膜，其每单位体积的氢含量低，并且在欧姆电极和肖特基电极之间覆盖肖特基电极和半导体层的顶部; 以及第二绝缘膜，其具有比第一绝缘膜高的每单位体积的氢含量，并且形成在第一绝缘膜上。

公开(公告)号：WO2014113472A1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：PCT/US2014/011683

申请日：2014-01-15

Applicant: SOLAN, LLC ,  DAVIS, Mark, Alan

Inventor： DAVIS, Mark, Alan

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L29/66

CPC classification number: C01B32/182 ,  C01B32/00 ,  C01B32/152 ,  C01B32/16 ,  C01B32/18 ,  C01B32/184 ,  C01B32/186 ,  C01B32/188 ,  C01B32/20 ,  C01B2204/04 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/34 ,  C23C16/04 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/0226 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02296 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/413 ,  H01L29/66015

Abstract: A method of forming a graphite-based structure on a substrate comprises patterning the substrate thereby forming a plurality of elements on the substrate. Each respective element in the plurality of elements is separated from an adjacent element on the substrate by a corresponding trench in a plurality of trenches on the substrate and each respective element in the plurality of elements has a corresponding top surface. The method further comprises segmentedly depositing a graphene initiating layer onto the top surface of each respective element in the plurality of elements; and generating graphene using the graphene initiating layer thereby forming the graphite -based structure.

Abstract translation: 在基板上形成石墨基结构的方法包括对基板进行图案化，从而在基板上形成多个元件。 多个元件中的每个元件通过衬底上的多个沟槽中的对应沟槽与衬底上的相邻元件分离，并且多个元件中的每个相应元件具有相应的顶表面。 该方法还包括在多个元件的每个相应元件的顶表面上分段沉积石墨烯起始层; 并使用石墨烯起始层产生石墨烯，从而形成基于石墨的结构。

公开(公告)号：WO2013183547A1

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：PCT/JP2013/065107

申请日：2013-05-30

Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所

Inventor： 酒井　滋樹 ,  ジャン　ウェイ ,  高橋　光恵

IPC: H01L21/8246 ,  C23C14/08 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L29/516 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28291 ,  H01L21/324 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6684 ,  H01L29/78391

Abstract: 200nm以下の強誘電体膜厚でもメモリウィンドウが広く優れたデータ保持特性と優れたパルス書換え耐性等を持つFeFET（強誘電体電界効果トランジスタ）を提供する。ソース領域12とドレイン領域13を有する半導体基体10上に、絶縁体11およびゲート電極導体4がこの順に積層された構造を有するFeFETであって、絶縁体11が基体10上に第一絶縁体1、第二絶縁体2の順に積層されて構成され、第二絶縁体2の主成分がストロンチウムとカルシウムとビスマスとタンタルの酸化物である。

Abstract translation: 提供即使铁电膜厚度为200nm以下也具有宽的存储窗口的铁电场效应晶体管（FeFET），具有优异的数据保存特性，脉冲重写耐久性等。 具有绝缘体（11）和栅电极导体（4）的结构依次层叠在具有源极区域（12）和漏极区域（13）的半导体基体（10）上的FeFET。 绝缘体（11）通过在基体（10）上依次层叠第一绝缘体（1）和第二绝缘体（2）而构成，第二绝缘体（2）主要由 锶，钙，铋和钽。