公开(公告)号：WO2006114825A1

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：PCT/JP2005/006741

申请日：2005-04-06

Applicant: 株式会社ルネサステクノロジ ,  新井 克夫 ,  中條 卓也 ,  大川 啓一 ,  松山 明子 ,  鍵井 秀政 ,  佐藤 仁久 ,  中村 弘幸 ,  岡 浩偉 ,  武藤 晃 ,  清水 一男

Inventor： 新井 克夫 ,  中條 卓也 ,  大川 啓一 ,  松山 明子 ,  鍵井 秀政 ,  佐藤 仁久 ,  中村 弘幸 ,  岡 浩偉 ,  武藤 晃 ,  清水 一男

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/565 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 　半導体チップ（２）の表面のゲートパッド電極に接続されたゲート端子とソースパッド電極（２ｓ）に接続されたソース端子（３）が封止樹脂部（６）の裏面（６ｂ）で露出され、半導体チップ（２）の裏面ドレイン電極（２ｄ）に接続されたドレイン端子（５）の第１の部分（５ａ）が封止樹脂部（６）の上面（６ａ）で露出され、第１の部分（５ａ）と一体的に形成されたドレイン端子（５）の第２の部分（５ｂ）が封止樹脂部（６）の裏面（６ｂ）で露出されている。このような半導体装置（１）を製造する際に、まず半導体チップ（２）に半田（１１）を介してドレイン端子（５）の第１の部分（５ａ）、ゲート端子およびソース端子（３）を接合した後、金型のキャビティ内に配置し、半田（１１）が溶融した状態で金型をクランプし、半田（１１）が固化した後に金型のキャビティ内に封止樹脂材料を導入して封止樹脂部を形成する。

Abstract translation: 连接到半导体芯片（2）的前平面上的栅极焊盘电极和连接到源极焊盘电极（2s）的源电极（3）的栅电极从密封树脂部分的后平面（6b）露出 （6）中，与半导体芯片（2）的背面侧漏电极（2d）连接的漏极端子（5）的第一部分（5a）从密封树脂部分（6）的上平面（6a）露出 ），并且与所述第一部分（5a）一体形成的所述排水端子（5）的第二部分（5b）从所述密封树脂部分（6）的后平面（6b）露出。 在制造这种半导体器件（1）时，漏极端子（5）的第一部分（5a），栅极端子和源极端子（3）通过焊料（11）结合在半导体芯片（2）上 ），然后将半导体芯片配置在金属模具的空腔内，将金属模具夹持在焊料（11）熔融的状态下，在焊料之后将密封树脂材料引入金属模具的型腔 （11）固化，形成密封树脂部。

公开(公告)号：WO2005124850A1

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：PCT/JP2005/010921

申请日：2005-06-15

Applicant: 株式会社ルネサステクノロジ ,  池田 靖 ,  岡本 正英 ,  春田 亮 ,  鍵井 秀政 ,  岡 浩偉 ,  中村 弘幸

Inventor： 池田 靖 ,  岡本 正英 ,  春田 亮 ,  鍵井 秀政 ,  岡 浩偉 ,  中村 弘幸

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L23/49562 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29123 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/83205

Abstract: A power semiconductor device having a semiconductor element die-mount-connected onto a lead frame in a leadless manner. Die-mount-connection between a semiconductor element (1) and a lead frame (2) that have large thermal expansion coefficient difference between them, wherein the connection is made by an intermetallic compound layer (200) having a melting point of at least 260aeC or by a leadless solder having a melting point of 260aeC through 400aeC, and thermal stress caused by a temperature cycle is buffered by a metal layer (100) having a melting point of at least 260aeC. The leadless die-mount-connection can be made without being melted at reflowing and without causing chip-crack under a thermal stress.

Abstract translation: 一种功率半导体器件，具有半导体元件，其以无引线方式管芯安装到引线框架上。 在半导体元件（1）和引线框架（2）之间的模具安装连接，它们之间具有大的热膨胀系数差，其中，连接是由熔点至少为260aeC的金属间化合物层（200）制成的 或通过熔点为260aeC至400aeC的无铅焊料，并且由温度循环引起的热应力由熔点至少为260ae℃的金属层（100）缓冲。 无引线模具安装连接可以在回流时不熔化而不会在热应力下引起芯片裂纹。

公开(公告)号：WO2011121756A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：PCT/JP2010/055847

申请日：2010-03-31

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社 ,  谷藤 雄一 ,  岡 浩偉

Inventor： 谷藤　雄一 ,  岡　浩偉

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03436 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/2612 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40132 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92157 ,  H01L2224/92166 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/05442

Abstract: 　配線板のチップ搭載部上にダイボンド材を塗布する工程で使用するスタンピングノズル（４２）の下面には、ダイボンド材が充填される堀り込み部（５０）が設けられている。掘り込み部（５０）の平面寸法は、チップ搭載部上に搭載されるチップの外形寸法よりも小さい。また、掘り込み部（５０）の深さは、上記チップの厚さよりも小さい。上記チップの厚さが１００μｍ以下である場合に、上記スタンピングノズル（４２）を使ってチップ搭載部上にダイボンド材を塗布することにより、上記チップの上面にダイボンド材が這い上がる不具合が回避される。

Abstract translation: 冲压喷嘴（42）的下表面设置有待填充芯片接合材料的雕刻部分（50），所述冲压喷嘴用于将模片接合材料施加到芯片安装部分 接线板 雕刻部分（50）的平面尺寸小于要安装在芯片安装部分上的芯片的外部尺寸。 此外，雕刻部分（50）的深度小于芯片的厚度。 当芯片的厚度为100μm以下时，通过使用冲压喷嘴（42）将芯片接合材料施加到芯片安装部分来消除在芯片的上表面上方的芯片接合材料的问题。