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公开(公告)号：WO2015004956A1
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：PCT/JP2014/058852
申请日：2014-03-27
申请人： 三菱電機株式会社
CPC分类号： H01L24/49 , B23K20/004 , B23K35/3006 , C22C5/06 , H01L23/49 , H01L23/49513 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/04026 , H01L2224/05568 , H01L2224/05639 , H01L2224/26175 , H01L2224/2733 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/325 , H01L2224/32507 , H01L2224/4501 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/4516 , H01L2224/48225 , H01L2224/48499 , H01L2224/48507 , H01L2224/49173 , H01L2224/83011 , H01L2224/83014 , H01L2224/8309 , H01L2224/8314 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/83385 , H01L2224/83439 , H01L2224/85801 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/12 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19107 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 接合対象物間が接合された接合部において、ボイドが少ない高融点の金属間化合物を形成することを目的とする。 本発明の半導体装置（３０）は、実装基板（回路基板（１２））に形成された第１のＡｇ層（４）と、半導体素子（９）に形成された第２のＡｇ層（１０）との間に挟持された合金層（１３）を備え、合金層（１３）は、第１のＡｇ層（４）及び第２のＡｇ層（１０）のＡｇ成分と、Ｓｎによって形成されたＡｇ３Ｓｎの金属間化合物を有し、Ａｇを含んだ複数のワイヤ（５）が当該合金層（１３）の外周側から延伸して配置されたことを特徴とする。
摘要翻译： 本发明的目的是在物体接合的接头处形成具有高熔点和较少空隙的金属间化合物。 根据本发明的半导体器件（30）的特征在于，半导体器件（30）设置有夹在形成在安装基板（电路基板（12））上的第一Ag层（4） ）和形成在半导体元件（9）上的第二Ag层（10），合金层（13）包括由第一Ag层（4）的Ag成分和第二Ag层（10）形成的Ag 3 Sn的金属间化合物 ）和Sn，并且从合金层（13）的外周侧延伸设置有多个含Ag电极线（5）。
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公开(公告)号：WO2012053178A1
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：PCT/JP2011/005790
申请日：2011-10-17
CPC分类号： H01L24/30 , B22F2999/00 , B23K1/0016 , B23K35/0238 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K2201/40 , B32B15/018 , C22C1/0483 , C22C5/02 , C22C5/06 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C13/00 , H01L21/563 , H01L23/4827 , H01L23/562 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05147 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/2733 , H01L2224/29 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/32245 , H01L2224/32503 , H01L2224/32507 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83 , H01L2224/83065 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/8381 , H01L2224/83815 , H01L2924/00015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , B22F1/0003 , H01L2924/0105 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01047 , H01L2924/01083 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2224/45099
摘要： 優れた応力緩和性を有し、同時に耐熱性も有する半導体接合構造体を得ること。 半導体素子(１０２)と電極(１０３)がはんだ材料により接合された接合構造体であって、接合した部分(２１２)は、電極側に形成された第１金属間化合物層(２０７')と、半導体素子側に形成された第２金属間化合物層(２０８')と、第１金属間化合物層(２０７')および第２金属間化合物層(２０８')の２つの層で挟まれた、Ｓｎを含む相(２１０)および棒状金属間化合物部(２０９')とで構成された第３の層(３００)と、を有し、棒状金属間化合物部(２０９')が、第１金属間化合物層(２０７')と第２金属間化合物層(２０８')の両方に層間接合している。
摘要翻译： 本发明解决了获得具有优异的应力吸收并且同时具有耐热性的半导体接合结构的问题。 接合结构具有通过焊料材料接合的半导体元件（102）和电极（103），其中，接合部（212）具有形成在电极侧的第一金属间化合物层（207'），第二金属间化合物层 208'）和夹在第一金属间化合物层（207'）之间的含Sn相（210）和棒状金属间化合物部分（209'）构成的第三层（300） 和第二金属间化合物层（208'）。 棒状金属间化合物部分（209'）作为中间层连接到第一金属间化合物层（207'）和第二金属间化合物层（208'）。
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公开(公告)号：WO2011030867A1
公开(公告)日：2011-03-17
申请号：PCT/JP2010/065652
申请日：2010-09-10
发明人： 安永 尚司
CPC分类号： H01L24/73 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L2224/05554 , H01L2224/27013 , H01L2224/2733 , H01L2224/29034 , H01L2224/32057 , H01L2224/32059 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/4554 , H01L2224/48011 , H01L2224/4805 , H01L2224/4809 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48455 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/73265 , H01L2224/78301 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10162 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2224/85399
摘要： 半導体装置は、半導体チップと、半導体チップの側方に配置されるリードと、一端および他端がそれぞれ半導体チップおよびリードに接合されて、半導体チップおよびリード上にそれぞれボール部および側面視楔状のステッチ部を有するワイヤとを含んでいる。リードに対するワイヤの進入角度が５０°以上であり、ステッチ部の長さが３３μｍ以上である。
摘要翻译： 公开了一种包括半导体芯片的半导体器件; 设置在半导体芯片侧的引线; 以及其一端和另一端连接到半导体芯片和引线的导线，并且设置有从侧面观察时具有楔形形状的球形部分和线迹部分的两个半导体 芯片和引线。 导线与引线的入口角度至少为50°，线圈部分的长度至少为33μm。
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公开(公告)号：WO2018145955A2
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：PCT/EP2018/052292
申请日：2018-01-30
发明人： BAUEREGGER, Hubert , DONAT, Albrecht , KASPAR, Michael , KRIEGEL, Kai , MITIC, Gerhard , SCHWARZ, Markus , SCHWARZBAUER, Herbert , STEGMEIER, Stefan , WEIDNER, Karl , ZAPF, Jörg
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/83 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/27312 , H01L2224/2732 , H01L2224/2733 , H01L2224/27552 , H01L2224/27825 , H01L2224/27848 , H01L2224/29005 , H01L2224/29011 , H01L2224/29211 , H01L2224/29224 , H01L2224/29239 , H01L2224/29244 , H01L2224/29247 , H01L2224/29255 , H01L2224/2928 , H01L2224/29395 , H01L2224/3201 , H01L2224/32227 , H01L2224/32235 , H01L2224/831 , H01L2224/83192 , H01L2224/8392 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： Bei dem Verfahren zur elektrischen Kontaktierung eines Bauteils mit mindestens einem elektrischen Kontakt wird an den zumindest einen Kontakt eine offenporige Kontaktschicht additiv gebildet.
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公开(公告)号：WO2014094436A1
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：PCT/CN2013/080708
申请日：2013-08-02
申请人： 华为技术有限公司
CPC分类号： H01L24/83 , H01L23/66 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05638 , H01L2224/1134 , H01L2224/13144 , H01L2224/1411 , H01L2224/2733 , H01L2224/29019 , H01L2224/29078 , H01L2224/29082 , H01L2224/29144 , H01L2224/32057 , H01L2224/32245 , H01L2224/32502 , H01L2224/32506 , H01L2224/73265 , H01L2224/81192 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2224/83444 , H01L2224/83805 , H01L2224/92247 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/1421 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01014
摘要： 提供一种金/硅共晶芯片焊接方法及晶体管，用来解决现有金/硅共晶焊接方法中由于芯片载体上电镀金层较厚造成的晶体管成本上升的技术问题。该金/硅共晶芯片焊接方法包括：在芯片载体（21）的表面电镀厚度小于等于1微米的金层；在焊接区域（22）的金层上键合多个金凸起（25）；在共晶温度下将芯片在焊接区域（22）进行摩擦形成焊接层。晶体管包括芯片、芯片载体（21）和连接芯片和芯片载体（21）的中间层，焊中间层为利用前述焊接方法获得的焊接层。该方法较大程度上减少了金的用量，降低了金/硅共晶焊的成本，也相应降低了晶体管的成本。
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