公开(公告)号：WO2017073233A1

公开(公告)日：2017-05-04

申请号：PCT/JP2016/078832

申请日：2016-09-29

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 別芝　範之 ,  石井　隆一 ,  福　優 ,  山田　隆行 ,  三井　貴夫

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/0655 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4922 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32137 ,  H01L2224/32258 ,  H01L2224/3303 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48175 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014

Abstract: 電力用半導体素子の電極と配線との接続信頼性を従来に比べて向上可能である、電力用半導体装置を提供する。半導体素子５と、半導体素子を接合した電極層１を有する絶縁基板１０と、半導体素子の上面電極とはんだ接合され上面方向に折り曲げた外部接続用端部７ｄを有する外部配線７と、絶縁基板の電極層に固着された枠部材８とを備え、枠部材は、外部接続用端部と嵌合する嵌合部８ｂを有し、外部配線は、半導体素子側へ突出する、少なくとも２つの突起部７ｂを有する。

Abstract translation: 与传统的半导体器件相比，能够提高功率半导体元件的电极和布线之间的连接可靠性的功率半导体器件。 具有与半导体元件接合的电极层1的绝缘基板10;焊接在半导体元件的上表面电极上且具有向上表面方向弯曲的外部连接端7d的外部布线7; 以及固定在电极层上的框架部件（8），框架部件具有与外部连接用端部嵌合的嵌合部（8b），外部配线具有至少两个突起部 与7B。

公开(公告)号：WO2015043969A2

公开(公告)日：2015-04-02

申请号：PCT/EP2014/069368

申请日：2014-09-11

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

Inventor： STROGIES, Jörg ,  WILKE, Klaus

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H05K3/341 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29034 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/3011 ,  H01L2224/30131 ,  H01L2224/30134 ,  H01L2224/30177 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32221 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/33107 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83825 ,  H05K1/11 ,  H05K1/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Diffusionslöten, bei dem ein elektronisches Bauelement (13) auf ein Substrat (12) aufgesetzt wird. Dabei sind die Fügeflächen so gestaltet, dass Hohlräume (20) im Bereich des Fügespalts (21) entstehen. Dies kann beispielsweise durch Vorsehen von Vertiefungen in der Montagefläche (18) des Bauelements (13) gewährleistet werden. Die Hohlräume (20) haben den Vorteil, dass Lotmaterial (19) beim Aufsetzen des Bauteils (13) auf die Kontaktfläche (14) des Substrats (12) in die Hohlräume entweichen kann, um die geforderte Breite des Fügespalts (21) zu erreichen. Damit kann der Fügespalt (21) so schmal gewählt werden, dass sich dieser beim Löten mit einer den Fügespalt (21) überbrückenden Diffusionszone ausbildet. Auf diese Weise entsteht eine Diffusionslötverbindung, vorteilhafterweise auch bei Verwendung von Standardloten. Weiterhin betrifft die Erfindung auch eine elektronische Baugruppe (11), die auf dem beschriebenen Weg gefertigt wurde.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于扩散硬钎焊的方法，其中电子元件（13）被放置在基板（12）上。 接合面被设计成使得腔（20）中的接合间隙（21）的区域中形成。 这可以确保，例如，通过在成分（13）的安装表面（18）提供的凹部。 空腔（20）具有的优点是，以实现的接合间隙（21）所要求的宽度放置构件（13）的接触表面时，衬底（12）的钎焊材料（19）（14）可以逸出到空腔。 因此，接合间隙（21）可以选择如此狭窄，与接合间隙焊接在该桥接形成（21）扩散区。 因此，扩散焊接，有利地，使用标准焊料即使形成。 此外，本发明还涉及一种电子组件（11），其对所描述的路径制备。

公开(公告)号：WO2013185965A1

公开(公告)日：2013-12-19

申请号：PCT/EP2013/058482

申请日：2013-04-24

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： GUENTHER, Michael

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29016 ,  H01L2224/29018 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014

Abstract: Es wird ein Verbundbauteil aus einem ersten Fügepartner(2), einem zweiten Fügepartner (3) und einer zwischen den beiden Fügepartnern angeordneten Fügeschicht (4) vorgeschlagen. Die Fügeschicht(4) und/ oder der erste Fügepartner (2) weist bzw. weisen dabei eine Struktur (5) auf, mittels welcher eine Sollbruchstelle in den ersten Fügepartner (2) zum Abbau mechanischer Spannungen vordefiniert wird. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines Verbundbauteils sowie eine elektrische Schaltungsbaugruppe umfassend ein solches Verbundbauteil vorgeschlagen.

Abstract translation: 它提出了一种第一对接件（2）的复合材料部件，第二接合部件（3），并且布置在两个对接件接合层（4）之间。 该粘结层（4）和/或所述第一接合部件（2）具有或具有一个，从而结构（5），通过该第一接合部件（2）的预定的断裂点被预先确定，以减少机械应力的装置。 此外，用于制造复合材料部件，以及一个电路组件的方法，包括建议的这样的复合材料部件。

公开(公告)号：WO2011158412A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：PCT/JP2011/002062

申请日：2011-04-07

Applicant: パナソニック株式会社 ,  小和田 弘枝 ,  山口 敦史

Inventor： 小和田　弘枝 ,  山口　敦史

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/293 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83951 ,  H05K3/284 ,  H05K3/288 ,  H05K3/3489 ,  H05K2203/0228 ,  H05K2203/0264 ,  H05K2203/176 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029

Abstract: 　回路基板１に電子部品２を接合金属３で実装した実装構造体であって、フラックス４は水酸基をもつ化合物を含み接合金属３の表面に残存しており、コーティング樹脂５はイソシアネートを１０～５０重量％含み、フラックス４とコーティング樹脂５の界面にコーティング樹脂５とフラックス４の反応物８が形成されている。フラックス４を洗浄しなくても防水・防湿性能を得ることができる。フラックス４のガラス転移点温度以上の温度にすることでコーティング樹脂５の剥離を容易に行える。

Abstract translation: 公开了一种通过用电焊接金属（3）将电子部件（2）安装在电路板（1）上而获得的封装结构。 在包装结构中，助熔剂（4）含有具有羟基的化合物并保留在接合金属（3）的表面上，涂料树脂（5）含有10-50重量％的异氰酸酯和反应 涂层树脂（5）的产品（8）和焊剂（4）形成在焊剂（4）和涂覆树脂（5）之间的界面上。 无需清洗助焊剂即可获得防水防潮的特性（4）。 通过加热至不低于助熔剂（4）的玻璃化转变温度的温度，涂布树脂（5）可以容易地分离。

公开(公告)号：WO2015146328A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：PCT/JP2015/053649

申请日：2015-02-10

Applicant: ソニー株式会社

Inventor： 鈴木　淳

IPC: G09F9/33 ,  G09F9/30 ,  H01L21/60 ,  H01L23/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L25/167 ,  G09G3/2003 ,  G09G2320/064 ,  G09G2320/0666 ,  H01L21/4846 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/83951

Abstract: 本発明は半導体デバイスにおいてボイドの発生を抑制するためのものである。本発明の半導体デバイス（２１０、２２０）は、半導体素子（２１１、２１２）と、複数の信号線（２１２、２２２）と、保護層（２４０）とを具備する。この半導体デバイスにおいて、半導体素子は、基板（２５０）に設けられる。また、その半導体デバイスにおける複数の信号線は、基板において半導体素子に接続される。さらに、その半導体デバイスにおいて保護層は、基板において複数の信号線のうち隣り合う２つの信号線のそれぞれの両端に囲まれた信号線間領域に設けられる。

Abstract translation: 本发明的目的是抑制半导体器件中的空隙的产生。 这些半导体器件（210,220）设置有半导体元件（211,221），多条信号线（212,222）和保护层（240）。 在半导体器件中，半导体元件设置在基板（250）上。 半导体器件中的多条信号线连接到衬底上的半导体元件。 半导体器件的保护层设置在由衬底上的多个信号线中的两条相邻信号线的端部包围的信号线之间的区域中。

公开(公告)号：WO2015043969A3

公开(公告)日：2015-07-02

申请号：PCT/EP2014069368

申请日：2014-09-11

Applicant: SIEMENS AG

Inventor： STROGIES JÖRG ,  WILKE KLAUS

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H05K3/341 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29034 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/3011 ,  H01L2224/30131 ,  H01L2224/30134 ,  H01L2224/30177 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32221 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/33107 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83825 ,  H05K1/11 ,  H05K1/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: The invention relates to a diffusion soldering method in which an electronic component (13) is placed on a substrate (12). The joining surfaces are designed such that cavities (20, 27) are formed in the region of the joining gap (21). The formation of said cavities can be ensured for example by providing depressions in the mounting surface (18) of the component (13) and/or in the contact surface (14) of the substrate (12), the depressions (27) being cup-shaped or advantageously being in the form of channels (20) that surround columnar structural elements (22), the end faces of said structural elements (22) forming the mounting surface (18) or the contact surface (14) for the connection. The cavities (20, 27) are advantageous in that solder material (19) can leak into the cavities when the component (13) is placed on the contact surface (14) of the substrate (12) in order to achieve the required width of the joining gap (21). Thus, the joining gap (21) can be selected so as to have a width so narrow that the joining gap is formed with a diffusion zone (24) which bridges the joining gap (21) upon soldering. In this manner, a diffusion solder connection is produced in an advantageous manner even when using standard solder. The invention further relates to an electronic assembly (11) which has been produced in the aforementioned manner.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于扩散硬钎焊的方法，其中电子元件（13）被放置在基板（12）上。 接合面被设计成使得腔（20，27）中的接合间隙（21）的区域中形成。 这可以，例如，通过在部件的安装表面（18）提供的凹部（13）和/或在基片（12）的接触表面（14）能够确保，其中，所述凹部（27）是杯形或有利地在通道的形式（ 20）已经包围柱状结构元件（22），其特征在于，形成用于连接所述安装表面（18）或所述接触表面（14）中的结构元件（22）的端面上。 腔（20,27）具有焊接材料19的接触表面上放置在空腔中衬底（12）的组件13（14）当优势（20，27）可以逃逸到的所需的宽度 到达接合间隙（21）。 因此，接合间隙（21）可以被选择为使得其窄与接合间隙（21）扩散区域（24）的形式，其例如由金属间化合物的焊接期间这个桥接。 因此，扩散焊接，有利地，使用标准焊料即使形成。 此外，本发明还涉及一种电子组件（11），其对所描述的路径制备。

公开(公告)号：WO2014041684A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：PCT/JP2012/073666

申请日：2012-09-14

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社 ,  紺野 順平 ,  西田 隆文 ,  坂田 賢治 ,  木下 順弘 ,  杉山 道昭 ,  木田 剛 ,  小野 善宏

Inventor： 紺野　順平 ,  西田　隆文 ,  坂田　賢治 ,  木下　順弘 ,  杉山　道昭 ,  木田　剛 ,  小野　善宏

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/065 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/29012 ,  H01L2224/29015 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83906 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L21/304 ,  H01L2224/03 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68381 ,  H01L21/4825 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/01047

Abstract: 　配線基板上に、平面視における平面サイズの異なる第１半導体チップと第２半導体チップを、接着材を介してそれぞれ積層する半導体装置の製造方法であって、相対的に平面サイズの小さい第１半導体チップ上に相対的に平面サイズの大きい第２半導体チップを搭載する。また、第１および第２半導体チップを搭載した後、第１および第２半導体チップを樹脂で封止する。ここで、第２半導体チップと配線基板の隙間は、樹脂で封止する前に、第１および第２半導体チップを搭載する際に使用した接着材で予め塞がれているものである。

Abstract translation: 一种制造半导体器件的方法，其中平面图中具有不同平面尺寸的第一半导体芯片和第二半导体芯片被堆叠在具有粘合剂的布线板上，具有相对较大的平面尺寸的第二半导体芯片安装在 第一半导体芯片具有相对较小的平面尺寸。 在安装第一和第二半导体芯片之后，第一和第二半导体芯片被树脂密封。 通过在安装第一和第二半导体芯片时使用的粘合剂，预先在树脂密封之前阻止第二半导体芯片和布线板之间的间隙。

公开(公告)号：WO2014077282A1

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：PCT/JP2013/080695

申请日：2013-11-13

Applicant: 日産自動車株式会社 ,  サンケン電気株式会社 ,  富士電機株式会社

Inventor： 谷本　智 ,  佐藤　伸二 ,  谷澤　秀和 ,  松井　康平

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/488 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/3207 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75756 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83457 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 　本発明の半導体装置は、半導体素子１とＣｕを主原料としたＣｕ基板２との間にＡｕ系はんだ層３を挟持し、Ｃｕ基板２とＡｕ系はんだ層３との間に、平面視した際に所定の形状となるようにパターニングされた微細スリット２４を有する緻密金属膜２３を配設し、Ｃｕ基板２、Ａｕ系はんだ層３及び緻密金属膜２３の微細スリット２４のそれぞれにＣｕとＡｕを主元素とする微小亜鈴断面構造体４を埋設する。

Abstract translation: 根据本发明的半导体器件，其具有夹在半导体元件（1）和主要由Cu制成的Cu衬底（2）之间的Au基焊料层（3），其中半导体器件包括致密金属膜（23） ），其布置在Cu基板（2）和Au基焊料层（3）之间，并且在平面图中具有图案化以具有规定形状的细缝隙（24） 和具有哑铃状横截面的精细结构（4），其具有Cu和Au作为主要元素，并且分别被埋在Cu基底（2），Au基焊料层（3）的细缝隙中，并且密集 金属膜（23）。

公开(公告)号：WO2013105153A1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：PCT/JP2012/005426

申请日：2012-08-29

Applicant: パナソニック株式会社 ,  山下 裕貴 ,  油井 隆 ,  川端 毅 ,  萩原 清己 ,  横山 賢司

Inventor： 山下　裕貴 ,  油井　隆 ,  川端　毅 ,  萩原　清己 ,  横山　賢司

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/12 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/49541 ,  H01L21/563 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3312 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92127 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 　電極２０ａ及び２０ｂを持つチップ６の外縁に拡張部１を設けてなる拡張型半導体チップ３１上に、電極２４を持つチップ５が搭載されている。電極２０ａと電極２４とが導電部材８により電気的に接続されている。チップ６上における導電部材８の配置領域の外側から拡張部１上に亘って再配線構造２が形成されている。拡張部１上に、電極２０ｂと再配線構造２を介して電気的に接続された接続端子２１が形成されている。

Abstract translation: 具有电极（24）的芯片（5）安装在通过在具有电极（20a，20b）的芯片（6）的外边缘上设置扩展部（1）形成的扩展半导体芯片（31）上。 电极（20a）和电极（24）通过导电构件（8）电连接。 从导电构件（8）布置在芯片（6）到膨胀部分（1）的顶部的区域的外侧形成重新布线结构（2）。 在膨胀部（1）上形成有经由再配线结构（2）与电极（20b）电连接的连接端子（21）。

公开(公告)号：WO2011030867A1

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：PCT/JP2010/065652

申请日：2010-09-10

Applicant: ローム株式会社 ,  安永 尚司

Inventor： 安永　尚司

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49541 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/2733 ,  H01L2224/29034 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32059 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/4805 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399

Abstract: 半導体装置は、半導体チップと、半導体チップの側方に配置されるリードと、一端および他端がそれぞれ半導体チップおよびリードに接合されて、半導体チップおよびリード上にそれぞれボール部および側面視楔状のステッチ部を有するワイヤとを含んでいる。リードに対するワイヤの進入角度が５０°以上であり、ステッチ部の長さが３３μｍ以上である。

Abstract translation: 公开了一种包括半导体芯片的半导体器件; 设置在半导体芯片侧的引线; 以及其一端和另一端连接到半导体芯片和引线的导线，并且设置有从侧面观察时具有楔形形状的球形部分和线迹部分的两个半导体 芯片和引线。 导线与引线的入口角度至少为50°，线圈部分的长度至少为33μm。