公开(公告)号：WO2012111174A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：PCT/JP2011/056237

申请日：2011-03-16

申请人： オムロン株式会社 ,  奥野 敏明 ,  井上 勝之 ,  藤原 剛史 ,  積 知範

发明人： 奥野　敏明 ,  井上　勝之 ,  藤原　剛史 ,  積　知範

IPC分类号： H01L23/02

CPC分类号： H01L21/78 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00873 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29012 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/163 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014

摘要： 　ウエハレベルパッケージ（２０Ａ）は、面内に複数の半導体チップ（１）が搭載又は形成された基部用ウエハ（２２）と該基部用ウエハ（２２）に対向するカバー部用ウエハ（２３）とを備える。基部用ウエハ（２２）とカバー部用ウエハ（２３）とは各半導体チップ（１）の周りを封止する枠状のシール枠（４）を挟んで接合されている。互いに隣接する各半導体チップ（１）におけるシール枠（４）同士の間には隙間（２４）が形成されている。互いに隣接する各半導体チップ（１）のシール枠（４）の隙間（２４）には、両シール枠（４）を互いに部分的に連結する部分連結部（２６）が設けられている。これにより、ダイシング時におけるシール枠のクラックの発生を回避すると共に、ウェットプロセスや液体洗浄の後に高温のプロセスを通してもウエハにおける剥離の発生を抑制し得るウエハレベルパッケージ、チップサイズパッケージデバイス及びウエハレベルパッケージの製造方法を提供することができる。

摘要翻译： 根据本发明的晶片级封装（20A）设置有在其表面上安装或形成的多个半导体芯片（1）的基底晶片（22）和与基底晶片（22）相对的覆盖晶片（23） 。 基底晶片（22）和盖晶片（23）被接合以夹在其间密封每个半导体芯片的周边的框状密封框架（4）。 在相邻的半导体芯片（1）的各个密封框架（4）之间形成间隙（24）。 在相互邻接的半导体芯片（1）的各个密封框架（4）之间的间隙（24）中，设有将两个密封框架（4）相互部分连接的部分连接部件（26）。 因此，当提供晶片级封装时，切割时可以避免在密封框架中出现裂纹，芯片尺寸封装器件和制造晶片级封装的方法，其可以抑制从...的剥离的发生 即使在湿法或液体清洗之后施加高温处理也是如此。

公开(公告)号：WO2015151874A1

公开(公告)日：2015-10-08

申请号：PCT/JP2015/058530

申请日：2015-03-20

申请人： デクセリアルズ株式会社

发明人： 阿久津　恭志 ,  荒木　雄太

IPC分类号： H01R11/01 ,  H01L21/60 ,  H01R43/00

CPC分类号： H01L24/27 ,  H01B1/22 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2743 ,  H01L2224/27515 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29357 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81488 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83488 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0615 ,  H01L2924/069 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/07 ,  H01L2924/0675 ,  H01L2924/061 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/0105

摘要： 生産性高く製造することができ、かつショート発生率を抑制できる異方性導電フィルム（１Ａ）は、そのフィルム厚方向（ｚ）の所定の深さに導電粒子（２ａ）が分散している第１導電粒子層（３ａ）と、第１導電粒子層（３ａ）と異なる深さに導電粒子（２ｂ）が分散している第２導電粒子層（３ｂ）を有する。各導電粒子層（３ａ、３ｂ）において、隣り合う導電粒子（２ａ、２ｂ）の最近接距離（Ｌａ、Ｌｂ）は、導電粒子（２ａ、２ｂ）の平均粒子径の２倍以上である。

摘要翻译： 可以以高生产率制造并能够抑制短路速率的各向异性导电膜（1A）包括其中导电颗粒（2a）在膜厚度方向上以预定深度分散的第一导电颗粒层（3a） z）和第二导电颗粒层（3b），其中导电颗粒（2b）在不同于第一导电颗粒层（3a）的深度处分散。 在每个导电粒子层（3a，3b）中，相邻的导电粒子（2a，2b）之间的最近距离（La，Lb）是导电粒子（2a，2b）的平均粒径的两倍以上。

公开(公告)号：WO2014205193A1

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：PCT/US2014/043139

申请日：2014-06-19

申请人： UNIVERSITY OF CONNECTICUT

发明人： STAGON, Stephen, P. ,  HUANG, Hanchen

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L24/83 ,  B22F1/0025 ,  B22F1/025 ,  B22F3/02 ,  B23K35/00 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/0261 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L51/448 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/56 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29611 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83099 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  Y02E10/549 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/053

摘要： The present disclosure provides improved systems and methods for low-temperature bonding and/or sealing with spaced nanorods. In exemplary embodiments, the present disclosure provides for the use of metallic nanorods to bond and seal two substrates. The properties of the resulting bond are mechanical strength comparable to adhesives, impermeability comparable to metals and long term stability comparable to metals. The bond may be attached to any flat substrate and superstrate with strong adhesion. In certain embodiments, the bond is achieved at room temperature with only pressure or at a temperature above room temperature (e.g., about 150°C or less) and reduced pressure. Exemplary bonds are both mechanically strong and substantially impermeable to oxygen and moisture.

摘要翻译： 本公开提供了用于具有间隔的纳米棒的低温粘合和/或密封的改进的系统和方法。 在示例性实施例中，本公开提供使用金属纳米棒来粘合和密封两个基底。 所得结合的性质是与粘合剂相当的机械强度，与金属相当的不渗透性和与金属相当的长期稳定性。 该粘合剂可以附着在具有强粘附性的任何平坦基材和上层。 在某些实施方案中，在室温下仅在压力下或在高于室温（例如，约150℃或更低）的温度和减压下实现粘合。 示例性的粘合剂对于氧气和水分均具有机械强度和基本不渗透性。

公开(公告)号：WO2013085019A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：PCT/JP2012/081749

申请日：2012-12-07

申请人： デクセリアルズ株式会社 ,  小嶋 亮二

发明人： 小嶋　亮二

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/30 ,  B28D5/0064 ,  B28D5/022 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/3001 ,  H01L2224/30505 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/206

摘要： 　優れた導通信頼性及び接続信頼性を発揮することが可能な接続方法、及びこの接続方法によって接続されてなる接続構造体を提供することを目的とする。絶縁性接フィルム（２０）は、絶縁性接着剤組成物（２１ａ）にフィラー（２１ｂ）を含有する第１の絶縁性接着剤層（２１）と、絶縁性接着剤組成物（２２ａ）にフィラーを含有しない第２の絶縁性接着剤層（２２）とが積層されてなる。ＩＣチップ（１０）のバンプの高さＨ、第１の絶縁性接着剤層（２１）の厚さＴｆ、第２の絶縁性接着剤層（２２）の厚さＴｎにおいて、Ｈ／２＜Ｔｆ＜Ｈ≦Ｔｆ＋Ｔｎを満たす。第１の絶縁性接着剤層（２１）と電子部品の電極が形成された面とが対峙するように配置された絶縁性接着フィルム（２０）を介して、基板の電極が形成された面とＩＣチップ（１０）のバンプ（１２）が形成された面とを接続し、基板の電極とＩＣチップ（１０）のバンプ（１２）とを接続する。

摘要翻译： 提供了能够实现高导电可靠性和连接可靠性的连接方法，以及通过使用连接方法进行连接而构成的连接结构。 在绝缘粘合膜（20）中，在绝缘性粘合剂组合物（21a）中含有填料（21b）的第一绝缘粘合剂层（21）和绝缘粘合剂组合物中不含填料的第二绝缘粘合剂层（22） （22a）。 满足以下等式：H / 2

公开(公告)号：WO2018145955A2

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：PCT/EP2018/052292

申请日：2018-01-30

申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

发明人： BAUEREGGER, Hubert ,  DONAT, Albrecht ,  KASPAR, Michael ,  KRIEGEL, Kai ,  MITIC, Gerhard ,  SCHWARZ, Markus ,  SCHWARZBAUER, Herbert ,  STEGMEIER, Stefan ,  WEIDNER, Karl ,  ZAPF, Jörg

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2733 ,  H01L2224/27552 ,  H01L2224/27825 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29224 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29244 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/2928 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8392 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： Bei dem Verfahren zur elektrischen Kontaktierung eines Bauteils mit mindestens einem elektrischen Kontakt wird an den zumindest einen Kontakt eine offenporige Kontaktschicht additiv gebildet.

公开(公告)号：WO2017019385A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：PCT/US2016/042966

申请日：2016-07-19

申请人： NORTHEASTERN UNIVERSITY ,  UNIVERSITY OF NORTH FLORIDA

发明人： STAGON, Stephen, Peter ,  HUANG, Hanchen ,  ELLIOTT, Paul, Robert

IPC分类号： B23K35/26 ,  B23K35/02 ,  H01L23/00

CPC分类号： B23K35/264 ,  B23K35/02 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/0261 ,  B23K35/26 ,  B23K2201/40 ,  B23K2201/42 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/00 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32012 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/83099 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01322

摘要： Bonded surfaces are formed by adhering first nanorods and second nanorods to respective first and second surfaces. The first shell is formed on the first nanorods and the second shell is formed on the second nanorods, wherein at least one of the first nanorods and second nanorods, and the first shell and the second shell are formed of distinct metals. The surfaces are then exposed to at least one condition that causes the distinct metals to form an alloy, such as eutectic alloy having a melting point below the temperature at which the alloy is formed, thereby bonding the surfaces upon solidification of the alloy.

摘要翻译： 粘合表面通过将第一纳米棒和第二纳米棒粘附到相应的第一和第二表面上而形成。 第一壳形成在第一纳米棒上，第二壳形成在第二纳米棒上，其中第一纳米棒和第二纳米棒中的至少一个以及第一壳和第二壳由不同的金属形成。 然后将这些表面暴露于使不同金属形成合金的至少一种条件，例如熔点低于合金形成温度的共晶合金，从而在合金固化时粘结表面。

公开(公告)号：WO2013065101A1

公开(公告)日：2013-05-10

申请号：PCT/JP2011/075073

申请日：2011-10-31

申请人： 株式会社日立製作所 ,  谷江 尚史 ,  新谷 寛 ,  田中 直敬

发明人： 谷江　尚史 ,  新谷　寛 ,  田中　直敬

IPC分类号： H01L21/60 ,  H05K1/18

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/52 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/11444 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/38 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40106 ,  H01L2224/40229 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/41176 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/291 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 　半導体装置は、半導体チップ１の上面を変形吸収層２ａおよび接合層３ａを介して導電部材４に電気的に接続し、下面を変形吸収層２ｂおよび接合層３ｂを介して導電部材５に電気的に接続した実装構造を有している。変形吸収層２ａ、２ｂのそれぞれは、厚さ方向の中央に配置されたナノ構造層７と、ナノ構造層７を挟む２層のプレート層６、８とで構成されている。ナノ構造層７は、１μｍ以下のサイズを有する複数のナノ構造体９を平面状に配置した構造を有しており、半導体装置を構成する各部材の熱変形差に起因する熱応力をナノ構造体９の変形によって吸収する。

摘要翻译： 半导体器件具有其中半导体芯片（1）的顶表面经由变形吸收层（2a）和接合层（3a）与导电构件（4）电连接的安装结构，并且底表面 通过变形吸收层（2b）和接合层（3b）与导电构件（5）电连接。 变形吸收层（2a，2b）分别由设置在厚度方向中间的纳米结构层（7）和纳米结构层（7）两侧的两个板层（6,8）构成。 纳米结构层（7）具有如下结构：其中，尺寸为1μm以下的多个纳米结构体（9）以平面构造排列，并且由构成半导体器件的不同构件之间的热变形差引起的热应力 被纳米结构体（9）的变形所吸收。

公开(公告)号：WO2014103955A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：PCT/JP2013/084329

申请日：2013-12-20

申请人： 三菱マテリアル株式会社

发明人： 大橋　東洋 ,  長友　義幸 ,  長瀬　敏之 ,  黒光　祥郎

IPC分类号： H01L21/52 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00

CPC分类号： H05K7/02 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  C22C13/00 ,  H01L21/52 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/473 ,  H01L23/488 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00014

摘要： 本発明のパワーモジュールは、回路層（１２）のうち半導体素子（３）との接合面に、銅又は銅合金からなる銅層が設けられており、回路層（１２）と半導体素子（３）との間には、はんだ材を用いて形成されたはんだ層（２０）が形成されている。はんだ層（２０）のうち回路層（１２）との界面には、主成分としてＳｎを含有するとともに、Ｎｉを０．５ｍａｓｓ％以上１０ｍａｓｓ％以下、Ｃｕを３０ｍａｓｓ％以上４０ｍａｓｓ％以下、含有する合金層（２１）が形成され、この合金層（２１）の厚さが２μｍ以上２０μｍ以下の範囲内とされており、パワーサイクル試験において、通電時間５秒、温度差８０℃の条件のパワーサイクルを１０万回負荷したときの熱抵抗上昇率が１０％未満である。

摘要翻译： 该功率模块具有：铜层或铜合金的铜层，设置在与半导体元件（3）接合的电路层（12）上; 以及通过使用焊料材料形成并形成在电路层（12）和半导体元件（3）之间的焊接层（20）。 在焊接层（20）和电路层（12）之间的界面形成有以Sn为主要成分并且还含有0.5〜10质量％Ni，30〜40质量％Cu的合金层（21）。 该合金层（21）的厚度设定在2-20μm的范围内，并且在功率循环试验中的热阻增加率不大于10％，其中在温度差 80℃，导通时间为5秒，设定为100,000次。

公开(公告)号：WO2013146141A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：PCT/JP2013/056123

申请日：2013-03-06

申请人： デクセリアルズ株式会社 ,  森山 浩伸

发明人： 森山　浩伸

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L21/78 ,  C09J7/00 ,  C09J7/10 ,  C09J2201/134 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81855 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/14 ,  Y10T403/479 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0532

摘要： 　対向する電極との良好な接合を得ることができる回路接続材料、及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。半導体チップ（１０）側に接着される第１の接着剤層（２１）と、第１の接着剤層（２１）の最低溶融粘度到達温度よりも高い最低溶融粘度到達温度を有する第２の接着剤層（２２）とが積層された回路接続材料（２０）を用いる。この回路接続材料（２０）が貼り付けられた半導体チップ（１０）を回路基板（３０）に搭載した際、第１の接着剤層（２１）の厚みＨｂ１が下記式（１）を満たす範囲であることにより、対向する電極との良好な接合を得ることができる。

摘要翻译： 提供一种电路连接材料，从而可以获得与面对电极的良好接合，以及使用电路连接材料的半导体器件制造方法。 本发明使用其中与半导体芯片（10）侧接合的第一粘合剂层（21）的电路连接材料（20）和具有最高熔融粘度温度的第二粘合剂层（22） 的第一粘合剂层（21）。 当将具有电路连接材料（20）的半导体芯片（10）安装在电路板（30）上时，第一粘合层（21）的厚度（Hb1）在满足公式（1）的范围内， 从而获得与面对电极的良好的接合。

公开(公告)号：WO2013122126A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：PCT/JP2013/053488

申请日：2013-02-14

申请人： 三菱マテリアル株式会社

发明人： 西元　修司 ,  西川　仁人 ,  長友　義幸

IPC分类号： H01L23/40 ,  B23K1/00 ,  B23K1/19

CPC分类号： H01L24/33 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/19 ,  B23K1/203 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/0272 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/36 ,  B23K35/3602 ,  B23K35/3607 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29286 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83539 ,  H01L2224/83686 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/206

摘要： 　このはんだ接合構造、前記接合構造を利用したパワーモジュール、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びそれらの製造方法、並びにはんだ下地層形成用ペーストでは、金属部材上に配設され、焼成されることによって、金属部材表面に発生した酸化皮膜と反応して金属部材上にはんだ下地層を形成し、パワーサイクル及びヒートサイクル負荷時においても、アルミニウム部材の表面にうねりやシワが発生することを抑制でき、被接合部材との接合信頼性を向上させることが可能である。

摘要翻译： 焊接结构，利用接头结构的功率模块，用于功率模块的散热器附接的衬底，用于制造衬底的方法以及用于形成焊料底层的糊料。 将该糊状物配置在金属构件上，然后烧结，与金属构件的表面上产生的氧化物涂膜反应，在金属构件上形成焊锡层。 以这种方式，可以防止在铝构件的表面上形成隆起或起皱，并且甚至可以提高铝构件和待接合到铝构件的构件之间的接合的可靠性 施加动力循环或热循环。