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公开(公告)号：WO2023025457A1
公开(公告)日：2023-03-02
申请号：PCT/EP2022/069624
申请日：2022-07-13
发明人： HEIMANN, Matthias , LORZ, Roland , MÜLLER, Bernd , RADÜGE, Christian , STEGMEIER, Stefan , STROGIES, Jörg
IPC分类号： H01L23/373 , H01L25/07 , H05K3/28
摘要： Die Erfindung betrifft eine leistungselektronische Baugruppe (100) und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbzeugs für eine leistungselektronischen Baugruppe (100). Um eine verbesserte leistungselektronische Baugruppe (100) anzugeben wird vorgeschlagen, dass die Baugruppe (100), ein Substrat (20) mit einer Metallisierung (30), die durch Zwischenräume (40) voneinander getrennte erste und zweite Strukturen (35, 36) ausbildet und eine Dicke (D30) von zumindest 300 µm aufweist, wobei auf die ersten Strukturen (35) ein Leistungshalbleiter (50) aufgebracht ist. Bezüglich der Zwischenräume (40) ist zumindest abschnittsweise ein elektrischer Isolator (42) mit einer Wärmeleitfähigkeit von zumindest 50 W/mK so angeordnet, dass die an den jeweiligen Zwischenraum (40) angrenzenden Strukturen (35, 36) durch den Isolator (42) thermisch verbunden sind.
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公开(公告)号：WO2020259958A1
公开(公告)日：2020-12-30
申请号：PCT/EP2020/065052
申请日：2020-05-29
发明人： LASCH, Markus , MÜLLER, Claus , RAAB, Oliver , STEGMEIER, Stefan , WALTRICH, Uwe
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/40 , H01L25/07 , H01L21/48 , H01L23/42
摘要： Die Erfindung gibt eine Anordnung mit einem Leistungshalbleiterbauelemente (3) aufweisenden Leistungsmodul (1) und mit einem Bauteil (2) an, wobei das Bauteil (2) eine gekrümmte Oberfläche aufweist und das Leistungsmodul (1) auf der Oberfläche angeordnet und mit dem Bauteil (2) kraftschlüssig lösbar verbunden ist. Ein Stromrichter mit einer derartigen Anordnung und ein Fahrzeug mit einem Stromrichter werden ebenfalls angegeben.
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公开(公告)号：WO2018219967A1
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：PCT/EP2018/064100
申请日：2018-05-29
IPC分类号： H01L23/051 , H01L23/62
CPC分类号： H01L23/051 , H01L23/62
摘要： Das leistungselektronisches Schaltmodul umfasst mindestens einen Leistungshalbleiter, an welchem an einer Anbindungsstelle des Leistungshalbleiters ein erster Schaltkontakt elektrisch leitend angebunden oder anbindbar ist und an welchem ein zweiter Schaltkontakt elektrisch leitend angebunden oder anbindbar ist, wobei ein Plasmapfadableiter angeordnet ist, der angeordnet und ausgebildet ist, den sich bei einem Kurzschluss von ersten und zweitem Schaltkontakt an der Anbindungsstelle ausbildenden Plasmapfad vom Leistungshalbleiter fortzuleiten.
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4.发明申请VERFAHREN ZUR KONTAKTIERUNG EINER KONTAKTFLÄCHE EINES HALBLEITERBAUTEILS UND ELEKTRONIKMODUL 审中-公开方法用于接触半导体元件和电子模块的接触面
公开(公告)号：WO2017055244A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：PCT/EP2016/072912
申请日：2016-09-27
发明人： STEGMEIER, Stefan , ZAPF, Jörg
IPC分类号： H01L23/485
CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/82 , H01L2224/02166 , H01L2224/03318 , H01L2224/03334 , H01L2224/0346 , H01L2224/03505 , H01L2224/04026 , H01L2224/05556 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/29101 , H01L2224/73267 , H01L2224/82101 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/1203 , H01L2924/1205 , H01L2924/1206 , H01L2924/1207 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15786 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kontaktierung einer Kontaktfläche (90) eines Halbleiterbauteils (50) und ein Elektronikmodul. Bei dem Verfahren zur Kontaktierung einer Kontaktfläche (90) eines Halbleiterbauteils (50), wird zunächst an die Kontaktfläche (90) eine sich in Richtung von der Kontaktfläche (90) weg verjüngende elektrisch leitfähige Schicht (200) gebracht und nachfolgend wird an der Schicht in zumindest einer Erstreckungsrichtung der Kontaktfläche angrenzend Isolationsmaterial (230) gebracht. Das Elektronikmodul ist insbesondere ein Leistungsmodul und umfasst ein Halbleiterbauteil mit einer Kontaktfläche (90) und mit einer Leiterbahn (225), wobei die Kontaktfläche (90) mittels eines solchen Verfahrens kontaktiert ist.
摘要翻译： 本发明涉及一种用于接触半导体器件（50）和电子模块的接触表面（90）。 在用于接触半导体器件（50）的接触表面（90）的方法中，在所述接触表面（90）远离锥形导电层（200）的方向配置第一在接触表面（90），并随后在层 带来了相邻的绝缘材料（230）的接触面中的至少一个延伸的方向。 电子模块是特别的功率模块，并包括具有接触表面（90）的半导体器件，并与导体路径（225），其中，所述接触表面（90）是由这样的方法的装置接触。
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5.发明申请
公开(公告)号：WO2021239437A1
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：PCT/EP2021/062091
申请日：2021-05-07
摘要： Bei dem Verfahren zur Prüfung eines Schaltungsträgers, wird der Schaltungsträger in Ultraschallschwingungen versetzt und die Ultraschallschwingungen des Schaltungsträgers werden mittels Hochfrequenzwellen erfasst, wobei von der elektronischen Baugruppe reflektierte Hochfrequenzwellen erfasst werden und aufgrund der erfassten Hochfrequenzwellen auf einen Defekt des Schaltungsträgers geschlossen wird.
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公开(公告)号：WO2021018713A1
公开(公告)日：2021-02-04
申请号：PCT/EP2020/070753
申请日：2020-07-23
发明人： RAAB, Oliver , STEGMEIER, Stefan
摘要： Bei dem Verfahren zum thermischen Sprühen von mindestens einer mit einem ersten metallischen und elektrisch leitfähigen Material (40) gebildeten Leiterbahn (20) wird die mindestens eine Leiterbahn zusätzlich mittels mindestens eines zweiten metallischen Materials (50) gesprüht, welches verglichen mit dem ersten Material (40) einen niedrigeren Schmelzpunkt aufweist. Das Elektronikmodul weist mindestens eine Leiterbahn (20) auf, wobei die Leiterbahn (20) mit einem ersten elektrisch leitfähigen Material (40) und zusätzlich mittels eines zweiten metallischen Materials (50) gebildet ist, wobei das zweite Material (50) verglichen mit dem ersten Material (40) einen niedrigeren Schmelzpunkt aufweist und wobei das erste (40) und das zweite Material (50) miteinander interdiffundiert, insbesondere legiert und/oder vermischt sind.
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公开(公告)号：WO2020259957A1
公开(公告)日：2020-12-30
申请号：PCT/EP2020/065051
申请日：2020-05-29
发明人： LASCH, Markus , MÜLLER, Claus , RAAB, Oliver , STEGMEIER, Stefan , WALTRICH, Uwe
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/051 , H01L23/373
摘要： Die Erfindung gibt eine Anordnung für einen Stromrichter (12) an, aufweisend mindestens ein Leistungshalbleiterbauelemente (5) aufweisendes Leistungsmodul (1) und einen Kühler (10), wobei der Kühler (10) eine gekrümmte Oberfläche aufweist und das Leistungsmodul (1) auf der Oberfläche angeordnet und mit dem Kühler (10) stoffschlüssig verbunden ist. Ein zugehöriges Herstellungsverfahren sowie ein Stromrichter mit einer derartigen Anordnung und ein Fahrzeug mit einem Stromrichter werden ebenfalls angegeben.
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公开(公告)号：WO2018145955A2
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：PCT/EP2018/052292
申请日：2018-01-30
发明人： BAUEREGGER, Hubert , DONAT, Albrecht , KASPAR, Michael , KRIEGEL, Kai , MITIC, Gerhard , SCHWARZ, Markus , SCHWARZBAUER, Herbert , STEGMEIER, Stefan , WEIDNER, Karl , ZAPF, Jörg
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/83 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/27312 , H01L2224/2732 , H01L2224/2733 , H01L2224/27552 , H01L2224/27825 , H01L2224/27848 , H01L2224/29005 , H01L2224/29011 , H01L2224/29211 , H01L2224/29224 , H01L2224/29239 , H01L2224/29244 , H01L2224/29247 , H01L2224/29255 , H01L2224/2928 , H01L2224/29395 , H01L2224/3201 , H01L2224/32227 , H01L2224/32235 , H01L2224/831 , H01L2224/83192 , H01L2224/8392 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： Bei dem Verfahren zur elektrischen Kontaktierung eines Bauteils mit mindestens einem elektrischen Kontakt wird an den zumindest einen Kontakt eine offenporige Kontaktschicht additiv gebildet.
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公开(公告)号：WO2018055148A1
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：PCT/EP2017/074166
申请日：2017-09-25
IPC分类号： H01L23/473
摘要： Das Leistungsmodul weist mindestens ein Kühlkanal und mindestens ein Leistungsbauteil auf. Dabei ist das Leistungsbauteil im Kühlkanal angeordnet und einerseits mittels mindestens eines zumindest teilweise im Kühlkanal angeordneten ersten mit offenporigem Material gebildeten Kontaktstücks elektrisch kontaktiert und andererseits entwärmbar angeordnet und vorzugsweise elektrisch kontaktiert.
摘要翻译： 功率模块具有至少一个冷却通道和至少一个功率组件。 在此，由至少一个在K导航用途hlkanal布置在一方面至少部分地在K导航用途hlkanal功率器件布置成与开孔的材料形成的第一Kontaktst导航用途;电接触CKS和在另一方面entw BEAR rmbar布置并且优选电接触。
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10.发明申请
公开(公告)号：WO2016193038A1
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：PCT/EP2016/061595
申请日：2016-05-23
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/492 , H01L23/495 , H01L23/367
CPC分类号： H01L23/49 , C25D3/38 , C25D5/18 , C25D21/14 , H01L23/3733 , H01L23/3735 , H01L23/4922 , H01L23/49513 , H01L23/49537 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49811 , H01L23/50 , H01L24/05 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/75 , H01L24/77 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/24105 , H01L2224/24227 , H01L2224/24245 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/3207 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/37005 , H01L2224/37111 , H01L2224/37124 , H01L2224/37139 , H01L2224/37144 , H01L2224/37147 , H01L2224/37155 , H01L2224/37166 , H01L2224/3719 , H01L2224/37211 , H01L2224/37224 , H01L2224/37239 , H01L2224/37244 , H01L2224/37247 , H01L2224/37255 , H01L2224/37266 , H01L2224/3729 , H01L2224/373 , H01L2224/37395 , H01L2224/376 , H01L2224/4007 , H01L2224/40227 , H01L2224/40499 , H01L2224/756 , H01L2224/75703 , H01L2224/776 , H01L2224/77703 , H01L2224/821 , H01L2224/82101 , H01L2224/83007 , H01L2224/831 , H01L2224/834 , H01L2224/83411 , H01L2224/83424 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83466 , H01L2224/8349 , H01L2224/83511 , H01L2224/83524 , H01L2224/83539 , H01L2224/83544 , H01L2224/83547 , H01L2224/83555 , H01L2224/83566 , H01L2224/8359 , H01L2224/836 , H01L2224/83695 , H01L2224/8385 , H01L2224/83907 , H01L2224/84007 , H01L2224/841 , H01L2224/8485 , H01L2224/8492 , H01L2224/84951 , H01L2224/9201 , H01L2224/9205 , H01L2224/9221 , H01L2224/97 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H05K3/424 , H01L2924/00012 , H05K3/4661 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/0105 , H01L2224/83 , H01L2224/84 , H01L2224/82 , H01L2924/01014
摘要： Bei einem Verfahren zur elektrischen Kontaktierung eines Bauteils (10) (z.B. eines Leistungsbauteils und/oder eines (Halbleiter)Bauteils mit mindestens einem Transistor, vorzugsweise einem IGBT (eng. insulated-gate bipolar transistor)) mit zumindest einem Kontakt (40, 50) wird an den zumindest einen Kontakt (40, 50) zumindest ein offenporiges Kontaktstück (60, 70) galvanisch (elektrochemisch oder außenstromfrei) angebunden. Damit wird ein Bauteilmodul gebildet. Der Kontakt (40, 50) ist vorzugsweise ein Flachteil bzw. weist eine Kontaktfläche auf, deren größte flächige Erstreckung größer ist als eine Erstreckung des Kontakts (40, 50) senkrecht zu dieser Kontaktfläche. Die Temperatur der galvanischen Anbindung beträgt höchstens 100 °C, vorzugsweise höchstens 60 °C, zweckmäßig höchstens 20 °C und idealerweise höchstens 5 °C und/oder weicht von der Betriebstemperatur des Bauteils um höchstens 50 °C, vorzugsweise um höchstens 20 °C, insbesondere um höchstens 10 °C und idealerweise um höchstens 5 °C, vorzugsweise höchstens 2 °C, ab. Das Bauteil (10) kann mittels des Kontaktstücks (60, 70) mit einem weiteren Bauteil, Stromleiter und/oder Substrat (90) kontaktiert werden. Vorzugsweise wird ein Bauteil (10) mit zwei Kontakten (40, 50) an einander abgewandten Seiten des Bauteils (10) herangezogen, wobei je Kontakt (40, 50) zumindest ein offenporiges Kontaktstück (60, 70) an dieser galvanisch angebunden wird.
摘要翻译： 在用于电组件（10）（例如，功率成分和/或具有至少一个晶体管，优选（一个IGBT窄。绝缘栅双极晶体管）一个（半导体）装置）与至少一个接触（40，50）接触的方法 到所述至少一个触点（40，50）的至少一个开孔的接触片（60，70）是电（电化学或无电镀免费）附接。 为了使部件模块被形成。 接触（40，50）优选地是平坦的部分或具有接触表面，最大的面积范围大于所述接触（40，50）垂直于延长所述接触表面。 电偶连接的温度为至多100℃，优选至多60℃，有利的是最多20℃，并且理想地不超过5℃和/或不超过50℃，从该部件的运行温度偏离优选最多20℃， 特别地至多10℃，并且理想地不大于5℃，优选至多2℃，从。 成分（10）可以通过所述接触件（60，70）到另一个部件，导体和/或底物（90）的联系方式。 优选地，具有两个触点（40，50）的部件（10）上的部件（10）的相对侧上，其中，每个接触件（40，50）的至少一个开孔的接触片（60，70）电连接到该使用。
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