公开(公告)号：CN105378903A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201380078117.5

申请日：2013-07-08

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 大月咏子 ,  贞松康史 ,  吉浦康博

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/8611 ,  H01L2924/12036

摘要： n-型半导体衬底(1)具有有源区域和终端区域，该终端区域与有源区域相比配置在外侧。在有源区域，在n-型半导体衬底(1)的上表面的一部分形成有p+型阳极层(2)。在终端区域，在n-型半导体衬底(1)的上表面形成有多个p+型保护环层(3)。在n-型半导体衬底(1)的下表面形成有n+型阴极层(5)。阳极电极(6)与p+型阳极层(2)连接。金属制的阴极电极(7)与n+型阴极层(5)连接。在终端区域，n+型阴极层(5)被挖除而形成凹部(8)。阴极电极(7)也形成在凹部(8)内。

公开(公告)号：CN103299425B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201180064721.3

申请日：2011-06-09

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 海老池勇史 ,  中谷贵洋 ,  渡边宽 ,  藤井善夫 ,  绫淳 ,  中木义幸 ,  川上刚史 ,  中田修平

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/0465 ,  H01L23/544 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/872 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的目的在于，提供一种能够抑制高电场的产生、抑制绝缘破坏的产生的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置的制造方法具备：（a）准备作为由第1导电类型的碳化硅半导体构成的基底的n+基板（1）的工序；（b）在n+基板（1）上使用抗蚀剂图案（13）来形成包围元件区域的凹槽构造（14）的工序；以及（c）通过经由抗蚀剂图案（13）的杂质注入而在凹槽构造（14）内的凹槽底面（15）以及凹槽侧面（20）的面内形成作为第2导电类型的杂质层的保护环注入层（3）的工序，其中，凹槽构造（14）的拐角部分被杂质层（3）所覆盖。

公开(公告)号：CN105210194A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201480012215.3

申请日：2014-03-04

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 中野佑纪 ,  中村亮太

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L29/063 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/36 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7825

摘要： 本发明的半导体装置包含：第1导电型的半导体层，具有单元部及配置在所述单元部的周围的外周部，在所述单元部的表面侧形成有栅极沟槽；以及栅极电极，隔着栅极绝缘膜埋入所述栅极沟槽，当导通时在所述栅极沟槽的侧部形成沟道，所述外周部具有配置在所述栅极沟槽的深度以上的深度位置的半导体表面，进一步包含耐压构造，其具有形成在所述外周部的所述半导体表面的第2导电型的半导体区域。

公开(公告)号：CN101855726B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN200880115194.2

申请日：2008-09-08

申请人： 克里公司

发明人： 张清纯 ,  A·K·阿加沃尔

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/732

摘要： 双极结晶体管包括具有第一导电类型的集电极、在集电极上的具有第一导电类型的漂移层、在漂移层上的且具有与第一导电类型相反的第二导电类型的基极层、在基极层上的具有第一导电类型的并且与基极层形成p-n结的轻度掺杂的缓冲层、以及在缓冲层上的具有第一导电类型的且具有侧壁的发射极台面。缓冲层包括邻接于发射极台面的侧壁的且与其隔离开的台面台阶，并且在发射极台面之下的缓冲层的第一厚度大于在台面台阶之外的缓冲层的第二厚度。

公开(公告)号：CN104685632A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201380051524.7

申请日：2013-10-21

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 日吉透 ,  和田圭司

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66143

摘要： 碳化硅衬底(10)的第一主表面(P1)具有位于元件部(CL)中的平坦表面(FT)以及位于终端部(TM)中的侧壁表面(ST)。碳化硅衬底(10)具有杂质层(11)，其具有位于第一主表面(P1)和第二主表面(P2)的平坦表面(FT)的每一个处的部分。在平坦表面(FT)上，肖特基电极(31)接触杂质层(11)。在第二主表面(P2)上，对电极(42)接触杂质层(11)。绝缘膜(21)覆盖侧壁表面(ST)。侧壁表面(ST)相对于{000-1}面倾斜不小于50°且不大于80°。这抑制了碳化硅半导体器件(101)的泄漏电流。

公开(公告)号：CN104600116A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410592595.4

申请日：2014-10-29

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·聪德尔 ,  K-H·巴赫 ,  A·伍德

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/66477

摘要： 本发明涉及一种场效应构件，包括半导体主体，其在边缘区域从背面延伸至半导体主体的表面，并且半导体主体包括半导体台面，半导体台面以垂直于背面和/或表面的竖直的方向延伸至安置在表面之上的一个高度(hM)处的半导体台面顶侧，其中，半导体主体在竖直的横截面中还包括：漂移区，其至少在边缘区域中延伸至表面并且部分地安置在半导体台面之中；以及至少部分地安置在半导体台面之中的主体区，其与漂移区形成第一pn结，第一pn结在半导体台面的两个侧壁之间延伸，其中，第一pn结在水平方向上离半导体台面顶侧的垂直距离(d)会变化并且在由两个侧壁隔开的中央区域中采用最大的值(d1)，并且其中，该最大的值(d1)至少为高度(hM)的70％。

公开(公告)号：CN102637595B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201110060799.X

申请日：2011-03-14

申请人： 陈自雄

发明人： 陈自雄

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/8725 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/407 ,  H01L29/66143

摘要： 本发明公开一种沟槽式肖特基二极管及其制作方法。该方法包括下列步骤：提供半导体基板，并形成多个沟槽结构，其中部分的沟槽结构底部有多个注入区域；形成栅极氧化层覆盖于该多个沟槽结构与该半导体基板的表面；形成多晶硅结构覆盖于该栅极氧化层；对该多晶硅结构进行蚀刻，使得该多晶硅结构覆盖于该多个沟槽结构；形成掩模层覆盖于部分的该多个沟槽结构与部分基板上的栅极氧化层，并露出部分该半导体基板的表面；于该掩模层与部分的该半导体基板表面形成金属溅镀层。

公开(公告)号：CN104347699A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410384611.0

申请日：2014-08-05

申请人： 首尔半导体株式会社

发明人： 竹谷元伸

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L23/367 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7828 ,  H01L2924/0002 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开一种氮化物系场效应晶体管及其制造方法。所述氮化物系场效应晶体管包括：源极；第一导电型的第一开关半导体层，形成于所述源极的下部；第二导电型的第二开关半导体层，形成于所述第一开关半导体层下部；所述第一导电型的第三开关半导体层，以包裹所述第二开关半导体层的下部以及所述第一开关半导体层和第二开关半导体层的侧面的形态形成；栅芯，在所述第一开关半导体层和第二开关半导体层的侧部形成为侧面具有用于形成沟道的垂直面或倾斜面；栅极绝缘膜，形成于所述栅极下表面；漏极，根据经由所述沟道的垂直方向的电荷流动而与所述源极电耦合。

公开(公告)号：CN104321873A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201380022013.2

申请日：2013-03-18

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 木下明将 ,  辻崇 ,  福田宪司

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/7839 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/872

摘要： 在碳化硅基板基体的表面层选择性地设置p+型区(3)、(4)以及p型区(5)。p+型区(3)设置在包围活性区(101)的耐压构造部(102)。p+型区(4)设置在活性区(101)且构成JBS构造。p型区(5)包围p+型区(3)，构成结终端(JTE)构造。肖特基电极(9)与n型碳化硅外延层(2)形成肖特基结。此外，肖特基电极(9)在覆盖p+型区(3)的一部分以及p型区(5)的层问绝缘膜(6)上伸出，该伸出的部分作为场板发挥作用。由此，可以提供能够维持高耐压、且使用具有高可靠性的宽带隙半导体而构成的半导体装置及其制造方法。

公开(公告)号：CN102244091B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201110119588.9

申请日：2011-05-10

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： G.施密特

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/861

CPC分类号： H01L29/0661 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7396 ,  H01L29/74 ,  H01L29/7811

摘要： 具有沟槽边缘终端的半导体元件，包括：半导体本体，具有第一表面和第二表面且具有内部区域和边缘区域；pn结，位于第一导电类型的第一半导体区域和第二导电类型的第二半导体区域之间，该pn结在内部区域中在半导体本体的横向方向延伸；第一沟槽，从边缘区域中第一侧延伸到半导体本体内，其中该沟槽具有彼此相对布置且相对于半导体本体的水平方向倾斜的侧壁。