公开(公告)号：CN109273417A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201710716656.7

申请日：2017-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑礼辉 ,  林俊成 ,  蔡柏豪

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/535 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 提供一种封装结构，所述封装结构包括集成扇出型封装及多个导电端子。所述集成扇出型封装包括：集成电路组件；多个导电穿孔；绝缘包封体，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；以及重布线路结构。所述绝缘包封体在侧向上包封所述导电穿孔及所述集成电路组件。所述导电穿孔中的每一者包括突出部分，所述突出部分被所述绝缘包封体显露出。所述重布线路结构电连接到所述集成电路组件且覆盖所述绝缘包封体的所述第一表面及所述集成电路组件。所述导电端子设置在所述导电穿孔的所述突出部分上并电连接到所述导电穿孔的所述突出部分，且在所述导电端子与所述突出部分之间形成有多个金属间化合物顶盖。

公开(公告)号：CN105374693B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201410808031.X

申请日：2014-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  林俊成 ,  蔡柏豪

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明的实施例包括半导体封装件及其形成方法。一个实施例为一种方法，包括：形成第一管芯封装件，第一管芯封装件包括第一管芯、第一电连接件和第一再分布层，第一再分布层连接至第一管芯和第一电连接件；在第一管芯封装件上方形成底部填充物；图案化底部填充物以具有露出第一电连接件的一部分的开口；以及利用接合结构将第二管芯封装件接合至第一管芯封装件，接合结构连接至底部填充物的开口中的第一电连接件。

公开(公告)号：CN109216213A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201711342088.5

申请日：2017-12-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  郑礼辉 ,  蔡柏豪

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明的实施例提供了一种方法，包括：在载体上方形成离型膜；通过管芯附接膜将器件附接在离型膜上方；将器件包封在包封材料中；在包封材料上进行平坦化以暴露器件；将器件和包封材料与载体分离；蚀刻管芯附接膜以暴露器件的背面；以及在器件的背面上施加导热材料。本发明的实施例还提供了一种封装件。

公开(公告)号：CN108807298A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710605899.3

申请日：2017-07-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  郑礼辉 ,  蔡柏豪 ,  潘志坚

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L23/528 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体封装、一种半导体封装的制造方法及其所使用的印刷模块。所述半导体封装具有重布线层、位于重布线层之上的至少一个管芯、位于重布线层上及管芯的侧边的层间通孔以及包封设置在重布线层上的管芯及层间通孔的模制化合物。半导体封装具有连接到层间通孔的连接件、覆盖模制化合物及管芯的聚合物覆盖膜以及设置在连接件的侧边的聚合物挡坝结构。聚合物覆盖膜及聚合物挡坝结构是通过印刷形成的。

公开(公告)号：CN104282580B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201410299937.3

申请日：2014-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡柏豪 ,  洪瑞斌 ,  林俊成 ,  李隆华

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/19 ,  H01L21/486 ,  H01L21/568 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4647 ,  H05K2203/1469 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明提供了一种半导体结构，包括模塑料、导电插塞和覆盖件。导电插塞位于模塑料中。覆盖件位于导电插塞和模塑料之间的顶部汇合点的上方。半导体结构还具有介电质。介电质位于覆盖件和模塑料上。本发明还提供了一种半导体3D封装件以及制造半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN103996630B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201310188263.5

申请日：2013-05-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  蔡柏豪

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/14 ,  H01L24/19 ,  H01L24/46 ,  H01L24/73 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明公开了封装半导体器件和封装器件及方法。在一个实施例中，一种封装半导体器件的方法包括提供第一集成电路管芯，该第一集成电路管芯与包括多个设置在其上的衬底通孔(TSV)的衬底的第一表面相连接。导体球状件与衬底的第二表面上的多个TSV中的每个相连接，第二表面与衬底的第一表面相反。第二集成电路管芯与衬底的第二表面相连接，并且模塑料形成在导体球状件、第二集成电路管芯和衬底的第二表面之上。模塑料被从导体球状件的顶面上去除，并且导体球状件的顶面被形成凹部。在导体球状件的顶面和模塑料上方形成有再分配层(RDL)。

公开(公告)号：CN106206530A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510321434.6

申请日：2015-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  蔡柏豪 ,  郑礼辉 ,  陈建声

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/105 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012

Abstract: 公开了半导体器件以及用于提供从集成扇出叠层封装结构内的半导体管芯增强地去除热量的方法。在实施例中，金属层形成在半导体管芯的背侧上，并且密封半导体管芯和通孔。暴露出金属层的一部分并且连接热管芯以从半导体管芯去除热量。本发明涉及半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN103137587B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201210076845.X

申请日：2012-03-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  蔡柏豪

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1401 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于形成凸块结构的机制，其降低了芯片和封装件衬底之间的间距变化。通过在电镀之后平坦化芯片和/或衬底上的凸块结构的焊料层，使得因管芯内和晶圆内位置、图案密度、管芯尺寸以及工艺变化引起的凸块结构的高度变化降至最小。结果，可将芯片和衬底之间的间距控制为一致。因此，底部填充的质量得到改善。本发明还公开了用于底部填充控制的平坦化凸块。

公开(公告)号：CN103035618B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201210032013.8

申请日：2012-02-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  蔡柏豪

IPC: H01L23/544

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13566 ,  H01L2224/13578 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种工件，包括：第一含铜柱，该第一含铜柱具有顶面和侧壁；第一保护层，该第一保护层位于第一含铜柱的侧壁上而不位于第一含铜柱的顶面上方；测试焊盘，该测试焊盘包括第二含铜柱，该第二含铜柱具有顶面和侧壁，该测试焊盘电连接至第一含铜柱；以及第二保护层，该第二保护层被设置在第二含铜柱的侧壁上，而不设置在第二含铜柱的顶面上方，第一保护层和第二保护层包含铜和聚合物的化合物，并且是介电层。本发明还提供了用于3DIC测试的结构设计。

公开(公告)号：CN104658988A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410385267.7

申请日：2014-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑礼辉 ,  蔡柏豪 ,  洪瑞斌

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/482 ,  H01L24/19 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169

Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括管芯、设置为邻近管芯的导电柱以及包围导电柱和管芯的模塑件，模塑件包括从导电柱的侧壁凸出并且设置在导电柱的顶面上的凸部。另外，一种制造半导体器件的方法包括设置管芯，邻近管芯设置导电柱，在导电柱和管芯上方设置模塑件，从模塑件的顶部去除部分模塑件以及在导电柱的顶面之上形成模塑件的凹部。