公开(公告)号：CN109427702A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810461232.5

申请日：2018-05-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宗澍 ,  洪文兴 ,  李虹錤 ,  陈琮瑜

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56

Abstract: 在实施例中，器件包括：位于中介层上方并且电连接至中介层的管芯堆叠件，管芯堆叠件包括最顶集成电路管芯，最顶集成电路管芯包括：具有前侧和与前侧相对的背侧的衬底，衬底的前侧包括有源表面；从衬底的背侧至少部分地延伸至衬底内的伪衬底通孔(TSV)，伪TSV与有源表面电隔离；位于最顶集成电路管芯上方的热界面材料；以及位于热界面材料中的伪连接件，热界面材料围绕伪连接件，伪连接件与最顶集成电路管芯的有源表面电隔离。本发明的实施例还涉及散热器件和方法。

公开(公告)号：CN105280599B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201410829436.1

申请日：2014-12-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄昶嘉 ,  林宗澍 ,  谢政杰 ,  吴伟诚

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/488 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/06515 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121

Abstract: 本发明提供了利用邻近接触焊盘的伪焊盘部件的器件及其制造方法。接触焊盘可以是集成的扇出封装件中的接触焊盘，在集成的扇出封装件中，模塑料沿着管芯的侧部放置并且接触焊盘在管芯和模塑料的上方延伸。接触焊盘使用一个或多个重分布层电连接至管芯。伪焊盘部件与接触焊盘电隔离。在一些实施例中，伪焊盘部件部分地环绕接触焊盘，并且位于模塑料的拐角区域中、管芯的中心区域中和/或管芯的边缘和模塑料之间的界面区域中。本发明涉及用于半导体器件的接触焊盘。

公开(公告)号：CN106952831A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201611135570.7

申请日：2016-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  苏安治 ,  陈威宇 ,  陈英儒 ,  林宗澍 ,  张进传 ,  陈宪伟 ,  吴伟诚 ,  叶德强 ,  黄立贤 ,  吴集锡

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

Abstract: 本发明实施例提供一种使用热与机械强化层的装置及其制造方法。本发明实施例提供的方法包含将第一层级装置裸片附接到虚设裸片，将所述第一层级装置裸片囊封于第一囊封材料中，在所述第一层级装置裸片上方形成贯穿通路并且将其电耦合到所述第一层级装置裸片，将第二层级装置裸片附接于所述第一层级装置裸片上方，以及将所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片于囊封第二囊封材料中。重布线形成于所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片上方并且电耦合到所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片。所述虚设裸片、所述第一层级装置裸片、所述第一囊封材料、所述第二层级装置裸片、以及所述第二囊封材料形成复合晶片的部分。

公开(公告)号：CN106711092A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610724021.7

申请日：2016-08-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  苏安治 ,  林宗澍

IPC: H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/02315 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了半导体器件及形成方法。模塑料沿着第一管芯和第二管芯的侧壁延伸。在第一管芯、第二管芯和模塑料上方形成再分布层。再分布层包括位于第一管芯和第二管芯之间的间隙上面的导体。在第一管芯的边缘上方以第一角度布线导体。相对于沿着第一管芯和第二管芯之间的最短的线延伸的直线测量第一角度，并且第一角度大于0。本发明的实施例还涉及集成扇出结构以及形成方法。

公开(公告)号：CN103107152B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210041605.6

申请日：2012-02-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊宏 ,  陈玉芬 ,  林宗澍 ,  普翰屏 ,  陈宪伟

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/14179 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552

Abstract: 芯片级半导体器件包括半导体管芯、第一凸块和第二凸块。具有第一直径和第一高度的第一凸块形成在半导体管芯的外部区域上。具有第二直径和第二高度的第二凸块形成在半导体管芯的内部区域上。第二直径大于第一直径，而第二高度与第一高度相同。通过改变凸块的形状，可以重新分配整个凸块的应力和应变。因此，提高了芯片级半导体器件的热循环可靠性。本发明还提供了一种用于芯片级封装的凸块。

公开(公告)号：CN102779794B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201110324836.3

申请日：2011-10-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宗澍 ,  谢玉宸 ,  张国钦

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/3157 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种方法，该方法包括确定集成电路(IC)封装设计的翘曲。IC封装设计包括衬底，该衬底具有在第一主表面上的顶部阻焊膜以及在与第一主表面相对的第二主表面上的底部阻焊膜。第一主表面具有安装在顶部阻焊膜上方的IC管芯。修正该设计，包括修正包括顶部阻焊膜和底部阻焊膜的组中的一个的平均厚度。根据修正的设计制造IC封装。

公开(公告)号：CN102593072B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201110249261.3

申请日：2011-08-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文益 ,  林柏尧 ,  林宗澍 ,  张国钦 ,  王守怡

IPC: H01L23/02

CPC classification number: H01L23/16 ,  H01L23/055 ,  H01L23/562 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 在封装结构中，加强环位于第一封装部件的上方且与其顶面接合。第二封装部件位于第一封装部件的上方且与其顶面接合，且第二封装部件被加强环所围绕。金属盖位于加强环的上方且与其接合。金属盖具有贯通开口。本发明公开了一种倒装封装中用于提高可靠性的盖式设计。

公开(公告)号：CN103107152A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210041605.6

申请日：2012-02-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊宏 ,  陈玉芬 ,  林宗澍 ,  普翰屏 ,  陈宪伟

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/14179 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552

Abstract: 芯片级半导体器件包括半导体管芯、第一凸块和第二凸块。具有第一直径和第一高度的第一凸块形成在半导体管芯的外部区域上。具有第二直径和第二高度的第二凸块形成在半导体管芯的内部区域上。第二直径大于第一直径，而第二高度与第一高度相同。通过改变凸块的形状，可以重新分配整个凸块的应力和应变。因此，提高了芯片级半导体器件的热循环可靠性。本发明还提供了一种用于芯片级封装的凸块。

公开(公告)号：CN116779454A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310564005.6

申请日：2023-05-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡昇翰 ,  邱元升 ,  许周叡 ,  林宗澍

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00

Abstract: 根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括在半导体衬底上方形成多个介电层，在多个介电层中形成多个金属线和通孔，形成延伸到多个介电层中的内密封环的下部部分和外密封环的下部部分，在多个金属线和通孔上方沉积第一介电层，并且蚀刻第一介电层以形成穿透第一介电层的开口。在第一介电层被蚀刻之后，内密封环的下部部分的顶表面被暴露，并且外密封环的下部部分的整个顶表面与第一介电层的底表面接触。然后形成内密封环的上部部分以延伸到开口中并且连接内密封环的下部部分。沉积第二介电层以覆盖内密封环的上部部分。根据本申请的其他实施例，还提供了封装件结构。

公开(公告)号：CN109427702B

公开(公告)日：2020-07-17

申请号：CN201810461232.5

申请日：2018-05-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宗澍 ,  洪文兴 ,  李虹錤 ,  陈琮瑜

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56

Abstract: 在实施例中，器件包括：位于中介层上方并且电连接至中介层的管芯堆叠件，管芯堆叠件包括最顶集成电路管芯，最顶集成电路管芯包括：具有前侧和与前侧相对的背侧的衬底，衬底的前侧包括有源表面；从衬底的背侧至少部分地延伸至衬底内的伪衬底通孔(TSV)，伪TSV与有源表面电隔离；位于最顶集成电路管芯上方的热界面材料；以及位于热界面材料中的伪连接件，热界面材料围绕伪连接件，伪连接件与最顶集成电路管芯的有源表面电隔离。本发明的实施例还涉及散热器件和方法。