公开(公告)号：CN102347319B

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201010558951.2

申请日：2010-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨宗颖 ,  史朝文 ,  蔡豪益 ,  陈宪伟 ,  李明机 ,  刘醇鸿

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/5385 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种半导体装置，包含封装基板，该封装基板包含一延伸至该封装基板顶面上的第一非回焊金属凸块，一位于该封装基板上，且通过多个第一焊接凸块接合至该封装基板的裸片，一位于此裸片上且接合至上述封装基板的封装组件。此封装组件包含一延伸至上述封装基板底面下的第二非回焊金属凸块。上述封装组件大体上是择自由一装置裸片、一额外封装基板及其组合所组成的族群。一焊接凸块将第一非回焊金属凸块接合至第二非回焊金属凸块。本发明的金属凸块间桥接的可能性更小且金属凸块的数量也可增加。

公开(公告)号：CN103151329A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210258782.X

申请日：2012-07-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑心圃 ,  吴伟诚 ,  侯上勇 ,  余振华 ,  刘醇鸿 ,  邱志威 ,  许国经

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L22/34 ,  G01R31/2884 ,  H01L21/76885 ,  H01L22/32 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 以上描述的实施例提供用于在封装的集成电路(IC)芯片上方形成金属焊盘上金属凸块和测试焊盘的机制。形成钝化层，以覆盖测试焊盘和可能覆盖金属焊盘的部分。钝化层不覆盖远离测试焊盘区和金属焊盘区的表面。通过钝化层有限地覆盖测试焊盘和金属焊盘的部分减小了在金属焊盘和金属凸块之间形成的UBM层的界面阻抗。这种界面阻抗的减小导致金属凸块的阻抗的减小。本发明还提供了用于封装芯片的钝化层。

公开(公告)号：CN102593043A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110201477.2

申请日：2011-07-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  刘醇鸿

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/522 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05089 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种通过优化伪金属分布增大介电强度的方案，该方案包括以下方法：提供晶圆表示件，包括金属层和在该金属层的上方的多个凸块焊盘，其中，该金属层包括：凸块焊盘正下方区域。将固体金属图案插入金属层，其中，固体金属图案包括：位于凸块焊盘正下方区域中的第一部件和位于凸块焊盘正下方区域以外的第二部件。去除固体金属图案的第二部件的部分，其中，基本上没有去除固体金属图案的第一部件的部分。在去除形成的伪金属图案的步骤期间没有去除固体金属图案的剩余部分。在半导体晶圆中实施伪金属图案和多个凸块焊盘。

公开(公告)号：CN102403290A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110204956.X

申请日：2011-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴伟诚 ,  侯上勇 ,  郑心圃 ,  刘醇鸿 ,  邱志威 ,  史朝文

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05012 ,  H01L2224/05014 ,  H01L2224/05015 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种半导体组件及制造半导体组件的方法，半导体组件包含接合垫结构，其中接合垫结构具有介于金属接合垫与凸块下金属(UBM)层的环状应力缓冲层。应力缓冲层是用介电层、高分子聚合物层或铝层来形成，其中介电层具有小于3.5的介电常数。上述应力缓冲层是圆形环、方形环、八边形(Octagonal)环或任何几何形状的环。

公开(公告)号：CN221747211U

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202420063254.7

申请日：2024-01-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于宗源 ,  刘醇鸿

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 本实用新型包括一种集成电路封装。所述集成电路封装包括第一管芯、第二管芯、第一包封体、第三管芯以及第二包封体。所述第二管芯具有较所述第一管芯大的侧向范围，所述第一管芯通过第一组连接件接合至所述第二管芯。所述第一包封体在侧向上环绕所述第一管芯，其中所述第二管芯的侧壁与所述第一包封体的侧壁共线，所述第一管芯、所述第二管芯及所述第一包封体形成第一封装。所述第三管芯包括重布线结构，所述第一封装接合至所述重布线结构以形成集成扇出型装置。所述第二包封体在侧向上环绕所述第一封装且在侧向上延伸至所述重布线结构的边缘。

公开(公告)号：CN222896685U

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202421202167.1

申请日：2024-05-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘醇鸿 ,  吴志伟

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L25/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 本实用新型提供一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括：第一元件晶粒；第二元件晶粒，堆叠在所述第一元件晶粒上；以及多个第一电连接件与多个第二电连接件，设置于第一与第二元件晶粒之间。多个第一电连接件的第一节距大于多个第二电连接件的第二节距。第一与第二电连接件分别包括焊料接点以及位于焊料接点的相对两侧的第一金属材料所构成的多层第一金属层。各第二连接件更包括由第二金属材料构成的至少一第二金属层。如此一来，具有较短节距的各第二电连接件中的焊料接点接触于较薄的第一金属层，其为造成侧向内缩的介金属化合物的材料源。基于缩减导致侧向内缩的材料源，可有效地防止具有较短节距的第二电连接件的严重颈缩或是断裂。

公开(公告)号：CN221977912U

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202420316927.5

申请日：2024-02-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于宗源 ,  蔡豪益 ,  刘醇鸿 ,  林彦良

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/538

Abstract: 本实用新型提供一种封装结构包括第一封装。第一封装具有有源区以及围绕有源区的周边区。第一封装包括第一重布线结构、第二重布线结构、管芯、包封体以及密封环结构。第二重布线结构配置于第一重布线结构上。管芯配置于有源区中，且位于第一重布线结构与第二重布线结构之间。包封体横向包封管芯。密封环结构配置于周边区中。密封环结构的第一部分嵌入第一重布线结构中，且密封环结构的第二部分嵌入第二重布线结构中。

公开(公告)号：CN220774365U

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202322229653.4

申请日：2023-08-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘醇鸿 ,  蔡豪益

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/535 ,  H01L23/31 ,  H01L23/34 ,  H01L23/48

Abstract: 本实用新型提供一种半导体封装包括第一重布线结构、第二重布线结构、第一管芯、第一包封体、第二管芯、第二包封体、导电连接件以及第三管芯。第二重布线结构位于第一重布线结构上。第一管芯位于第一重布线结构与第二重布线结构之间。第一包封体在侧向上包封第一管芯。第二管芯设置于第二重布线结构上且与第二重布线结构电连接。第二包封体在侧向上包封第二管芯。导电连接件环绕第二管芯且嵌入于第二包封体中。第三管芯设置于第二管芯上。第三管芯与第二包封体及导电连接件实体接触。

公开(公告)号：CN222653945U

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202420021586.9

申请日：2024-01-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘醇鸿

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/528 ,  H01L25/16

Abstract: 本实用新型提供一种半导体封装。形成半导体封装的方法包括形成重构晶圆(reconstructed wafer)，包括在第一载体上方形成凸块下金属(Under‑Bump Metallurgy，UBM)，在UBM上方形成包括多条重分布线并电连接到UBM的第一互连线结构，在第一互连线结构上方接合第一管芯并将第一管芯封装在第一包封体中，在第一管芯上方形成第二互连线结构，并在第二互连线结构上方接合第二管芯。所述方法更包括从第一载体上剥离重构晶圆，形成物理接触UBM的电性连接件，切割重构晶圆以形成多个封装，以及将多个封装中的一个封装接合到封装构件。

公开(公告)号：CN221262371U

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202322180642.1

申请日：2023-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘醇鸿 ,  蔡豪益

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/00

Abstract: 本实用新型实施例提供一种半导体封装。所述半导体封装包括：半导体管芯，由绝缘包封体在侧向上覆盖；第一重布线结构，上覆于绝缘包封体以及半导体管芯的后表面上；第二重布线结构，位于绝缘包封体以及半导体管芯的与后表面相对的有源表面之下；多个有源绝缘穿孔(TIV)，穿透过绝缘包封体；以及多个虚设特征。所述半导体管芯经由第二重布线结构及有源绝缘穿孔电性耦合至第一重布线结构。所述虚设特征中的每一者包括由绝缘包封体在侧向上覆盖的虚设绝缘穿孔，所述虚设绝缘穿孔在俯视图中沿着封装边缘设置且所述虚设特征是电性浮动的。