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公开(公告)号：CN102144291B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN200980145387.7
申请日：2009-11-17
申请人： 先进封装技术私人有限公司
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/48 , H01L23/498 , H01L23/60
CPC分类号： H01L23/5385 , H01L21/4846 , H01L23/49861 , H01L23/552 , H01L23/60 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/105 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/1532 , H01L2924/014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
摘要： 一种半导体基板被公开，该半导体基板包括载体、第一导电层与第二导电层。载体具有第一表面、第二表面以及用以容置半导体元件的凹部。第一导电层埋设在第一表面中，并形成多个电隔离的封装走线。第二导电层埋设在第二表面中，并与第一导电层电连接。半导体基板可以应用于半导体封装，用于容纳半导体芯片，且半导体基板与用于固定该芯片的填充结构结合。此外，多个半导体基板可以被堆叠且通过粘结层连接，以便形成具有复杂结构的半导体装置。
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公开(公告)号：CN102246261B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN200980149327.2
申请日：2009-11-17
申请人： 先进封装技术私人有限公司
CPC分类号： H01L21/56 , H01L21/561 , H01L23/3121 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明描述用于密封半导体裸片的两个系统(100，300)。两个系统(100，300)涉及将具有一个或多于一个孔(104，304)的密封隔离体(102，302，302a，302b)附接在相关联的衬底(150)上，从而一组芯片被定位在所述孔(104，304)中。第一系统(100)涉及将密封剂(103)直接分配到孔中。第二系统(300)涉及将密封剂输送层(350，351)附接到所述密封隔离体上，并通过凹进浇口(308)将密封剂排入孔中。
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公开(公告)号：CN102484078B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN200980161160.1
申请日：2009-09-01
申请人： 先进封装技术私人有限公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L23/485
CPC分类号： H01L21/563 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05567 , H01L2224/05578 , H01L2224/056 , H01L2224/05687 , H01L2224/0569 , H01L2224/10125 , H01L2224/10126 , H01L2224/13008 , H01L2224/13012 , H01L2224/13016 , H01L2224/13027 , H01L2224/141 , H01L2224/14153 , H01L2224/16245 , H01L2224/26125 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/014 , H01L2924/15788 , H01L2924/05442 , H01L2924/05042 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开一种封装结构。封装结构包括一半导体元件、一第一保护层、一第二保护层及至少一导电凸块。半导体元件具有至少一接垫。第一保护层设置于半导体元件上并暴露接垫。第二保护层设置于第一保护层上，且第二保护层具有至少一第一开口及至少一第二开口。第一开口暴露出接垫的部分表面。第二开口暴露出第一保护层的部分表面。导电凸块相对接垫设置于第二保护层上，且此些导电凸块通过此些第一开口耦接于接垫。
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公开(公告)号：CN104254917A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201380021583.X
申请日：2013-03-26
申请人： 先进封装技术私人有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号： H01L23/12 , H01L21/4842 , H01L21/4857 , H01L21/56 , H01L23/13 , H01L23/295 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , Y10T29/49121 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供半导体基底(105、105a)，其包括形成在牺牲性载体(110)上的两层或多层堆积的结构层(120、220)。每个堆积的结构层包括导体迹线层(114a)和互连层(118a、218a)，结构层模制在树脂模塑料内。该模塑料的顶表面被研磨，然后，由粘合层(123、124、224)沉积。然后在最外面的导体迹线层(128a、228a)形成在粘合层上且载体(110)或加强环(110b)被移去之后，可以获得多层基底(105、105a)。
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公开(公告)号：CN102299082B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110255914.9
申请日：2011-08-31
申请人： 先进封装技术私人有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/14 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/562 , H01L23/293 , H01L23/3114 , H01L23/3121 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49541 , H01L23/49582 , H01L23/49861 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/32227 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , Y10T29/49155 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本发明公开一种半导体承载元件的制造方法及应用其的封装件的制造方法。半导体承载元件的制造方法包括以下步骤。首先，提供电性载板，电性载板具有相对的第一面与第二面。然后，形成导线层于电性载板的第二面。然后，形成导柱层于导线层上。然后，形成封装体包覆导线层及导柱层。然后，露出导柱层的一端。然后，形成电镀导电层完全地包覆电性载板、封装体及导柱层的该端。然后，形成缺口于电性载板，其中导线层及封装体从缺口露出。然后，形成表面处理层于露出的导柱层的至少一部分上。然后，移除电镀导电层。
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公开(公告)号：CN103165566A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210589672.1
申请日：2012-12-19
申请人： 先进封装技术私人有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/488 , H01L21/48
CPC分类号： H05K1/18 , H01L21/4828 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/142 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/49537 , H01L23/49582 , H01L23/49861 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/97 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/81 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2224/45099 , H01L2924/207
摘要： 本发明公开一种基板结构、半导体封装件及半导体封装件的制造方法。基板结构包括导电结构、电性元件、封装体及一环状电性结构。导电结构包括第一导电层及第二导电层。第一导电层具有下表面。第二导电层及电性元件设于第一导电层的下表面上。封装体包覆导电结构及电性元件且具有上表面。环状电性结构环绕导电结构及电性元件而设于封装体的上表面的边缘并露出导电结构。
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公开(公告)号：CN102484078A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200980161160.1
申请日：2009-09-01
申请人： 先进封装技术私人有限公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L23/485
CPC分类号： H01L21/563 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05567 , H01L2224/05578 , H01L2224/056 , H01L2224/05687 , H01L2224/0569 , H01L2224/10125 , H01L2224/10126 , H01L2224/13008 , H01L2224/13012 , H01L2224/13016 , H01L2224/13027 , H01L2224/141 , H01L2224/14153 , H01L2224/16245 , H01L2224/26125 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01006 , H01L2924/014 , H01L2924/15788 , H01L2924/05442 , H01L2924/05042 , H01L2224/13099 , H01L2224/05099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开一种封装结构。封装结构包括一半导体元件、一第一保护层、一第二保护层及至少一导电凸块。半导体元件具有至少一接垫。第一保护层设置于半导体元件上并暴露接垫。第二保护层设置于第一保护层上，且第二保护层具有至少一第一开口及至少一第二开口。第一开口暴露出接垫的部分表面。第二开口暴露出第一保护层的部分表面。导电凸块相对接垫设置于第二保护层上，且此些导电凸块通过此些第一开口耦接于接垫。
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公开(公告)号：CN1606155B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200410034758.3
申请日：2004-05-12
申请人： 先进封装技术私人有限公司
发明人： 金辉·谭 , 刘世奎 , 庄汉·沈 , 巴拉苏布科马尼恩·西瓦格纳姆 , 罗斯马丽·塔卡普洛特 , 延元·庞 , 马·L·南·托伊 , 林中·信
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/52 , H01L21/60 , H01L21/28 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种包括衬底和在所述衬底上以某种图案形成的一个或多个柱形结构的管芯以及形成该管芯的方法。
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公开(公告)号：CN1315187C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN02803799.5
申请日：2002-06-12
申请人： 先进封装解决方案私人有限公司
发明人： 罗密欧伊曼纽尔P.阿尔瓦莱斯 , 约翰布莱尔 , 周辉星·吉米
IPC分类号： H01L23/485
CPC分类号： H01L24/10 , H01L23/3114 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05026 , H01L2224/0508 , H01L2224/05568 , H01L2224/13 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/1357 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01018 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00 , H01L2224/05644 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155
摘要： 金层(405)设置在带突点的晶片(205)上的铜柱(210)的上表面(225)上。然后将涂覆材料(410)施加到低于铜柱(210)的高度处，设置腐蚀剂以除去金层(405)上的涂覆材料，并除去附着到铜柱(210)侧面的涂覆材料(410)。然后将焊料球(405)设置在铜柱(210)的端部，铜柱(210)伸入到焊料球(405)内。在可替代实施例中，焊料球首先附着到铜柱的自由端，施加涂覆材料以密封半导体晶片上的焊料球和铜柱。然后使用腐蚀剂除去部分涂覆材料，从而充分露出焊料球。
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公开(公告)号：CN1231953C
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN02120218.4
申请日：2002-05-20
申请人： 先进封装解决方案私人有限公司
发明人： 谭铁悟 , R·E·P·爱法利斯
IPC分类号： H01L21/50
CPC分类号： H01L24/81 , B23K1/206 , B23K2101/40 , H01L23/4951 , H01L23/49572 , H01L23/49586 , H01L24/17 , H01L24/45 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/10175 , H01L2224/11822 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13566 , H01L2224/1357 , H01L2224/13599 , H01L2224/16245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/81011 , H01L2224/81191 , H01L2224/81801 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2224/13099 , H01L2224/29099 , H01L2224/48 , H01L2924/00 , H01L2224/05647
摘要： 一种形成倒装式半导体封装的方法，其主要步骤是：提供氧化(220)的铜引线框和具有从芯片焊盘延伸的铜柱并且在铜柱的自由端上具有焊料球的半导体芯片，焊料球用焊剂涂覆(225)。将半导体芯片放在(230)氧化的铜引线框上，焊料球临近氧化物层上的部分，并且与引线框上的互连位置对准。当再流(235)时，与氧化物层的部分临近的焊剂从互连位置选择性地清除了氧化物层的部分。此外，焊料球变为熔融态并粘结到互连位置的清除了氧化物层的表面上。没有被清除的氧化物层的剩余部分有利地提供了钝化层，此钝化层有利地包容熔融焊料，并防止熔融焊料从互连位置流走。
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