压力传感器封装体和电子器件

    公开(公告)号:CN101375146B

    公开(公告)日:2010-08-11

    申请号:CN200780003176.0

    申请日:2007-01-19

    Abstract: 本发明的压力传感器封装体(10)具有:压力传感器(11),在半导体衬底(12)的一面,在其中央区域(α)的内部具有空间(13),把位于该空间的上部的薄板化了的区域作为隔膜部(14),在该隔膜部配置有压敏元件(15),在所述一面,至少具有第一导电部(17),该第一导电部配置在除了所述隔膜部以外的外缘区域(β),并且与所述各压敏元件电连接;以及第一凸起(18),单独配置于所述第一导电部之上,并且与所述第一导电部电连接。所述外缘区域的半导体衬底的厚度D1、所述隔膜部的厚度D2、所述空间的高度D3、在所述中央区域除了所述D2和所述D3以外的半导体衬底的剩余部分的厚度D4,满足(D2+D3)<<D4,并且D1≈D4。

    压力传感器封装体和电子器件

    公开(公告)号:CN101375146A

    公开(公告)日:2009-02-25

    申请号:CN200780003176.0

    申请日:2007-01-19

    Abstract: 本发明的压力传感器封装体(10)具有:压力传感器(11),在半导体衬底(12)的一面,在其中央区域(α)的内部具有空间(13),把位于该空间的上部的薄板化了的区域作为隔膜部(14),在该隔膜部配置有压敏元件(15),在所述一面,至少具有第一导电部(17),该第一导电部配置在除了所述隔膜部以外的外缘区域(β),并且与所述各压敏元件电连接;以及第一凸起(18),单独配置于所述第一导电部之上,并且与所述第一导电部电连接。所述外缘区域的半导体衬底的厚度D1、所述隔膜部的厚度D2、所述空间的高度D3、在所述中央区域除了所述D2和所述D3以外的半导体衬底的剩余部分的厚度D4,满足(D2+D3)<<D4,并且D1≈D4。

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