公开(公告)号：CN105745356A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201380081083.5

申请日：2013-11-21

申请人： 贺利氏德国有限两合公司

发明人： A.卢卡斯 ,  P.温策尔 ,  M.多伊施勒 ,  E.米尔克 ,  S.托马斯 ,  J.沙夫

IPC分类号： C23C26/00 ,  C23C18/08 ,  C23C30/00 ,  C23C14/00 ,  C23C16/00 ,  H01L21/00 ,  C23C18/02

CPC分类号： B23K35/40 ,  B23K20/007 ,  B23K20/10 ,  B23K35/0261 ,  B23K35/0272 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/302 ,  B23K35/322 ,  B23K35/404 ,  B23K2101/42 ,  C22F1/08 ,  C23C14/14 ,  C23C18/08 ,  C23C28/00 ,  C23C30/00 ,  C23F17/00 ,  C25D5/34 ,  C25D7/0607 ,  H01B1/026 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/745 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43823 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43826 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2224/45663 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45673 ,  H01L2224/45676 ,  H01L2224/45678 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/10287 ,  H05K2203/049 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12889 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033

摘要： 本发明涉及接合线，其包含具有表面（15）的芯（2）和涂层（3），其中芯（2）包含选自铜和银的芯主要组分，涂层（3）至少部分叠加在芯（2）的表面（15）上，其中涂层（3）包含选自钯、铂、金、铑、钌、锇和铱的涂层组分，其中通过使液体的膜沉积在线芯前体上从而将涂层施加在芯的表面上，其中所述液体包含涂层组分前体，并且其中加热所沉积的膜以使涂层组分前体分解成金属相。

公开(公告)号：CN104272456A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201380023814.0

申请日：2013-05-07

申请人： 贺利氏材料工艺有限责任两合公司

发明人： E.米尔克 ,  P.普雷诺西尔 ,  S.托马斯

IPC分类号： H01L23/49

CPC分类号： H01B1/026 ,  C22F1/08 ,  H01B1/023 ,  H01B13/00 ,  H01B13/0016 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01006

摘要： 本发明涉及导线，优选地用于微电子学中的结合的结合导线，包括具有表面的铜芯（2）和涂层（3），该涂层（3）被叠加在芯（2）的表面上，其中，涂层（3）包括铝，其中，在导线的任何截面图中，基于导线的截面的总面积，涂层（3）的面积份额在从20至50%范围内，并且其中，在任何截面图中通过导线的最长路径与最短路径之间的纵横比在从大于0.8至1.0范围内，并且其中，导线具有在从100μm至600μm范围内的直径。本发明还涉及一种用于制作导线的工艺、由所述工艺可获得的导线、包括至少两个元件和至少上述导线的电设备、包括所述电设备的推进设备和由楔结合通过上述导线来连接两个元件的工艺。

公开(公告)号：CN1574338A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410061683.8

申请日：2004-06-24

申请人： 株式会社瑞萨科技

发明人： 田中直敬 ,  岩崎富生 ,  三浦英生 ,  中岛靖之 ,  松泽朝夫

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015

摘要： 一种半导体器件，对于Cu布线/Low－k材料的叠层布线结构LSI，可降低对键合焊盘的损伤，确立可与现有的铝布线的LSI同样使用的窄间距焊丝键合技术。在由Cu布线/Low－k绝缘膜材料形成多层叠层布线的半导体元件中，通过全部由Cu布线层形成，直至最上层的帽盖布线，在由Cu层形成的键合焊盘部中，在其上层形成Ti(钛)膜或(钨)膜等的高熔点的中间金属层，在其上层再形成铝合金层的键合焊盘结构来实现所述技术。

公开(公告)号：CN104285287B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201380023826.3

申请日：2013-05-07

申请人： 贺利氏材料工艺有限责任两合公司

发明人： E.米尔克 ,  P.普雷诺西尔 ,  S.托马斯

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/49 ,  H01B1/02

CPC分类号： H01L24/48 ,  B21C1/003 ,  B21C9/00 ,  B32B15/01 ,  H01B1/023 ,  H01B1/026 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L25/165 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45033 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20643 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/2075 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T428/1275 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01049

摘要： 本发明涉及一种条带，优选地用于微电子学中的结合的结合条带，包括包含具有表面的铜的第一层（2）和被叠加在第一层（2）的表面上的至少一个涂层（3）以及中间层（7），其中，该涂层（3）包括铝，其中，在条带的截面图中，基于条带的截面的总面积，第一层（2）的面积份额在从50至96%范围内，其中，截面图中的条带的宽度和高度之间的纵横比在从0.03至小于0.8范围内，其中，所述条带具有在从25000µm2至800000µm2范围内的截面面积，其中，所述中间层（7）被布置在第一层（2）与涂层（7）之间。其中，所述中间层（7）包括至少一个金属间相，其包括第一层（2）的材料和涂层（3）的材料。本发明还涉及一种用于制作导线的工艺、由所述工艺可获得的导线、包括至少两个元件和至少上述导线的电设备、包括所述电设备的推进设备和由楔结合通过上述导线来连接两个元件的工艺。

公开(公告)号：CN103962714A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410043880.0

申请日：2014-01-29

申请人： 希捷科技有限公司

发明人： L·李 ,  S·科欧 ,  K·L·梅塔格 ,  P·P·帕里克 ,  J·R·欧康斯基 ,  M·A·赫伦丁 ,  J·W·赫恩 ,  R·L·希普韦尔 ,  J·J·斯戈布尔 ,  J·L·伊贝尔 ,  R·玛卡特 ,  E·纳特森

IPC分类号： B23K20/10 ,  H05K3/34 ,  H01L21/607

CPC分类号： G11B5/102 ,  G11B5/3169 ,  G11B5/3173 ,  G11B5/4826 ,  G11B2005/0021 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/85012 ,  H01L2224/85099 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/20306 ,  H01L2924/20307 ,  H01L2924/20308 ,  H01L2924/20309 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  B23K20/10

摘要： 本申请公开了环境温度的球焊接头。本公开的技术描述了使用超声波焊接能量但未对下层焊垫进行加热的条件下，使用直径小于0.001英寸的金引线来获得球焊接头的系统和方法。所述的球焊接头允许使用特别小的焊垫，该焊垫与相邻的微电子器件结构特别接近，而这限制了具有浅的离源角的其他焊接技术的使用。

公开(公告)号：CN101419919A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810172912.1

申请日：2008-10-24

申请人： 欧姆龙株式会社

发明人： 吉田和孝 ,  川井若浩

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/607 ,  H01L23/498 ,  G06K19/077

CPC分类号： H01L24/92 ,  H01L21/4857 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/83906 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H05K1/09 ,  H05K3/305 ,  H05K3/328 ,  H05K2201/0129 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10977 ,  H05K2203/0285 ,  H05K2203/1189 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体芯片安装法、半导体安装布线板制作方法及半导体安装布线板。将半导体芯片安装在上面的布线板的制作方法，包括：将铝箔粘合到树脂衬底的一个表面；在所述的铝箔上提供有预定形状的热硬化树脂层；移除从所述热硬化树脂层暴露出来的所述铝箔的部分以形成布线电路；在所述布线电路上提供热塑性树脂层。在把热施加到所述布线板和把施加了超声波的所述凸点按压到所述布线板上时，所述热硬化树脂层具有使所述布线板能够防止在所述半导体芯片与所述布线电路之间短路的强度，以及具有被降低的交联度以至于使所述凸点能够移除所述热硬化树脂层以到达所述布线电路。

公开(公告)号：CN105428264B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201510462877.7

申请日：2015-07-31

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 今井诚

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/97 ,  H01L23/057 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78315 ,  H01L2224/7855 ,  H01L2224/78611 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85947 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/20306 ,  H01L2924/20307 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种能够抑制在切断的引线上产生尖端的半导体装置的制造方法。在半导体装置的制造方法中执行的引线键合工序中，对接合于导电性部件(1)的引线(2)的接合区域(3)以外的切断位置(4)进行半切断而形成切口(5)，使切口(5)振动以在切断位置(4)切断引线(2)。由于引线(2)被半切断，因此能够降低切断时对导电性部件(1)的损伤。另外，通过使形成于引线(2)的切口(5)振动，从而切口(5)的附近产生疲劳，引线(2)因来自切口(5)的断裂而切断。因此，能够抑制在引线(2)的切断面(2a)产生(至少朝向导电性部件(1)侧的)尖端。

公开(公告)号：CN104347440B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410370324.4

申请日：2014-07-30

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： G·施特罗特曼 ,  T·尼贝尔

IPC分类号： H01L21/607

CPC分类号： H05K3/328 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H05K2201/10628 ,  H05K2203/0285 ,  H05K2203/081 ,  H05K2203/082 ,  H05K2203/105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/20302 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种用于建立在第一接合对象(1)与第二接合对象(2)之间的材料锁合连接的方法。提供第一接合对象(1)和第二接合对象(2)，以及超声波发生器(6)。在第二接合对象(2)的表面(2t)上确定焊接位置。通过以超声波频率来回摆动的或来回旋转的超声波发生器(6)将第一接合对象(1)在焊接位置相对于第二接合对象(2)挤压来在第一接合对象(1)与第二接合对象(2)之间建立材料锁合的超声波焊接连接，其中法向量(n)与重力(g)的方向偏差小于90°的角(φ)，该法向量在焊接位置垂直于表面(2t)朝超声波发生器(6)的方向延伸。

公开(公告)号：CN104347440A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410370324.4

申请日：2014-07-30

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： G·施特罗特曼 ,  T·尼贝尔

IPC分类号： H01L21/607

CPC分类号： H05K3/328 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H05K2201/10628 ,  H05K2203/0285 ,  H05K2203/081 ,  H05K2203/082 ,  H05K2203/105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/20302 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及一种用于建立在第一接合对象(1)与第二接合对象(2)之间的材料锁合连接的方法。提供第一接合对象(1)和第二接合对象(2)，以及超声波发生器(6)。在第二接合对象(2)的表面(2t)上确定焊接位置。通过以超声波频率来回摆动的或来回旋转的超声波发生器(6)将第一接合对象(1)在焊接位置相对于第二接合对象(2)挤压来在第一接合对象(1)与第二接合对象(2)之间建立材料锁合的超声波焊接连接，其中法向量(n)与重力(g)的方向偏差小于90°的角(φ)，该法向量在焊接位置垂直于表面(2t)朝超声波发生器(6)的方向延伸。

公开(公告)号：CN102150294B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN200980135201.X

申请日：2009-08-28

申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司

发明人： J.H.A.M.范布尔 ,  H.施瓦布

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L51/5253 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5243 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85375 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/20301 ,  H01L2924/20302 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及一种用于利用导体（6）接触OLED的方法，该器件（1）包括具有至少一个单元（3）、接触区（4）和封装（5）的衬底（2），所述封装包括薄膜并且该薄膜包含氮化硅、碳化硅或氧化铝，其中所述封装（5）封装至少接触区（4），该方法包括步骤：将导体（6）设置在封装（5）上，以及在不事先移除导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）的情况下将导体（6）与接触区（4）互连。本发明是有利的，因为导体（6）与接触区（4）之间的封装（5）不再需要事先移除。