半導体装置の製造方法および半導体装置

    公开(公告)号:JP2017168704A

    公开(公告)日:2017-09-21

    申请号:JP2016053322

    申请日:2016-03-17

    摘要: 【課題】半導体装置における電磁波障害を抑制することである。 【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体素子と、半導体素子を封止する封止樹脂層と、半導体素子に電気的に接続され且つ封止樹脂層の一面から突出するグランド電位に接続可能なグランド端子および信号端子と、を具備する被処理体と、第1の面と、第2の面と、第1の面から第2の面まで連続的に露出する第1の溝と、第1の面に露出する第2の溝と、を具備する治工具と、をグランド端子が第1の溝に挿入され信号端子が第2の溝に挿入されるとともに一面が第1の面に接するように重ね合わせて配置する工程と、封止樹脂層の露出部およびグランド端子の露出部を覆うように導電性シールド層を形成して導電性シールド層とグランド端子との間を電気的に接続する工程と、を具備する。 【選択図】図1