公开(公告)号：TW201732903A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105125251

申请日：2016-08-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  盧思維 ,  LU, SZU WEI ,  齊彥堯 ,  CHI, YEN YAO

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/50 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83005

Abstract: 提供了一種半導體元件結構。此半導體元件結構包括一基板。此半導體元件結構包括位於該基板上之一導電結構。此半導體元件結構包括位於該導電結構上之複數個第一金屬氧化物纖維。此半導體元件結構包括位於該基板上並覆蓋該導電結構與該些第一金屬氧化物纖維之一介電層。該介電層填滿了該些第一金屬氧化物纖維之間之間隙。

Abstract in simplified Chinese: 提供了一种半导体组件结构。此半导体组件结构包括一基板。此半导体组件结构包括位于该基板上之一导电结构。此半导体组件结构包括位于该导电结构上之复数个第一金属氧化物纤维。此半导体组件结构包括位于该基板上并覆盖该导电结构与该些第一金属氧化物纤维之一介电层。该介电层填满了该些第一金属氧化物纤维之间之间隙。

公开(公告)号：TW201732902A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105125250

申请日：2016-08-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  符策忠 ,  FU, TSEI CHUNG

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L23/50 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4864 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76888 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83005

Abstract: 本揭露提供一種封裝結構與其形成方法。封裝結構包括一基板與一半導體晶粒形成於該基板之上。封裝結構尚包括一封裝層相鄰於該半導體晶粒，以及一導電結構，形成於該封裝層之中。封裝結構更包括一第一絕緣層形成於該導電結構之上，且第一絕緣層包括一一價金屬氧化物(monovalent metal oxide)。封裝結構尚包括一第二絕緣層形成於第一絕緣層與封裝層之間。第二絕緣層包括一一價金屬氧化物，且一價金屬氧化物在第二絕緣層中的重量比高於一價金屬氧化物在第一絕緣層中的重量比。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种封装结构与其形成方法。封装结构包括一基板与一半导体晶粒形成于该基板之上。封装结构尚包括一封装层相邻于该半导体晶粒，以及一导电结构，形成于该封装层之中。封装结构更包括一第一绝缘层形成于该导电结构之上，且第一绝缘层包括一一价金属氧化物(monovalent metal oxide)。封装结构尚包括一第二绝缘层形成于第一绝缘层与封装层之间。第二绝缘层包括一一价金属氧化物，且一价金属氧化物在第二绝缘层中的重量比高于一价金属氧化物在第一绝缘层中的重量比。

公开(公告)号：TW201715624A

公开(公告)日：2017-05-01

申请号：TW105134964

申请日：2016-10-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林士庭 ,  LIN, SHIH-TING ,  余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  黃穗麒 ,  HUANG, SUI-CHI ,  林俊成 ,  LIN, JING-CHENG ,  蔡宗甫 ,  TSAI, TSUNG-FU

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/98 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/0053 ,  B23K1/0056 ,  B23K1/012 ,  B23K1/018 ,  B23K1/203 ,  B23K3/029 ,  H01L24/75 ,  H01L24/799 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75253 ,  H01L2224/8101 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2924/014

Abstract: 一種重加工製程包括：將第一結合頭貼合至第一半導體封裝件。所述第一半導體封裝件的接觸墊藉由焊點而結合至第二半導體封裝件的接觸墊。所述重加工製程更包括：執行第一局部加熱製程以使所述焊點熔化；使用所述第一結合頭移除所述第一半導體封裝件；以及自所述第二半導體封裝件的所述接觸墊移除焊料的至少一部分。

Abstract in simplified Chinese: 一种重加工制程包括：将第一结合头贴合至第一半导体封装件。所述第一半导体封装件的接触垫借由焊点而结合至第二半导体封装件的接触垫。所述重加工制程更包括：运行第一局部加热制程以使所述焊点熔化；使用所述第一结合头移除所述第一半导体封装件；以及自所述第二半导体封装件的所述接触垫移除焊料的至少一部分。

公开(公告)号：TWI563614B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：TW103145294

申请日：2014-12-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 黃文濬 ,  HUANG, WENCHUN ,  李建成 ,  LI, CHIENCHEN ,  劉國洲 ,  LIU, KUOCHIO ,  薛瑞雲 ,  SHIUE, RUEYYUN ,  鄭錫圭 ,  CHENG, HSIKUEI ,  林志賢 ,  LIN, CHIHHSIEN ,  林俊成 ,  LIN, JINGCHENG ,  陸湘台 ,  LU, HSIANGTAI ,  謝子逸 ,  SHIEH, TZIYI

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/145 ,  H01L23/147 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/60 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10342 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：TWI556349B

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW103146582

申请日：2014-12-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林士庭 ,  LIN, SHIHTING ,  林俊成 ,  LIN, JINGCHENG ,  盧思維 ,  LU, SZUWEI

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/78 ,  H01L23/28 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI553749B

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：TW103145535

申请日：2014-12-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 施婉婷 ,  SHIH, WANTING ,  劉乃瑋 ,  LIU, NAIWEI ,  林俊成 ,  LIN, JINGCHENG ,  黃震麟 ,  HUANG, CHENGLIN

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/04 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/19 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/02317 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

公开(公告)号：TWI552284B

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW102112460

申请日：2013-04-09

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 謝政傑 ,  HSIEH, CHENG CHIEH ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG

IPC: H01L23/34 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L23/473 ,  H01L21/4882 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI545715B

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：TW104124863

申请日：2013-03-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  盧思維 ,  LU, SZU WEI

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/488 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L25/0655 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI534952B

公开(公告)日：2016-05-21

申请号：TW102124132

申请日：2013-07-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 汪青蓉 ,  WANG, CHIEN RHONE ,  左克偉 ,  ZUO, KEWEI ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  劉雁欣 ,  LIU, YEN HSIN

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/76898 ,  H01L22/12

公开(公告)号：TWI523189B

公开(公告)日：2016-02-21

申请号：TW102128215

申请日：2013-08-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林俊成 ,  LIN, JING CHENG ,  林士庭 ,  LIN, SHIH TING ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA

IPC: H01L25/04 ,  H01L23/34

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00