公开(公告)号：US20060068335A1

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：US11131890

申请日：2005-05-18

申请人： Suzanne Coley ,  Peter Trefonas ,  Patricia Fallon ,  Gerald Wayton

发明人： Suzanne Coley ,  Peter Trefonas ,  Patricia Fallon ,  Gerald Wayton

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/091 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392

摘要： Compositions and methods are provided that can reduce reflection of exposing radiation from a substrate back into an overcoated photoresist layer and/or function as a planarizing or via-fill layer. Preferred coating composition and methods of the invention can provide enhanced resolution of a patterned overcoated photoresist layer and include use of low activation temperature thermal acid generators as well as multiple thermal treatments to process a layer of the underlying coating composition.

摘要翻译： 提供的组合物和方法可以减少从衬底暴露辐射回到外涂光致抗蚀剂层的反射和/或作为平坦化或通孔填充层的功能。 本发明优选的涂料组合物和方法可以提供图案化涂覆的光致抗蚀剂层的增强的分辨率，并且包括使用低活化温度的热酸发生剂以及多个热处理以处理下层涂料组合物的层。

公开(公告)号：US20070092746A1

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：US11633987

申请日：2006-12-05

申请人： Gerald Wayton ,  Peter Trefonas ,  Suzzanne Coley ,  Tomoki Kurihara

发明人： Gerald Wayton ,  Peter Trefonas ,  Suzzanne Coley ,  Tomoki Kurihara

IPC分类号： B32B27/36 ,  C08K5/42

CPC分类号： C09D167/00 ,  G03F7/091 ,  Y10T428/31786

摘要： In a first aspect, organic coating compositions are provided, particularly spin-on antireflective coating compositions, that contain a polyester resin component. In a further aspect, coating compositions are provided that contain a resin component obtained by polymerization of a multi-hydroxy compound. Coating compositions of the invention are particularly useful employed in combination with an overcoated photoresist layer to manufacture integrated circuits.

公开(公告)号：US20060057491A1

公开(公告)日：2006-03-16

申请号：US11131908

申请日：2005-05-17

申请人： Gerald Wayton ,  Peter Trefonas ,  Min-Ho Jung

发明人： Gerald Wayton ,  Peter Trefonas ,  Min-Ho Jung

IPC分类号： G03C1/76

CPC分类号： G03F7/091

摘要： Compositions (particularly antireflective coating compositions or “ARCs”) are provided that can reduce reflection of exposing radiation from a substrate back into an overcoated photoresist layer and/or function as a planarizing or via-fill layer. More particularly, the invention relates to organic coating compositions, particularly antireflective coating compositions, that contain a polyester resin component that contains repeat units that comprise phenolic and/or hydroxyalkylcyanurate groups.

摘要翻译： 提供组合物（特别是抗反射涂料组合物或“ARCs”），其可以减少从衬底暴露辐射的反射回到外涂光致抗蚀剂层和/或作为平坦化或通孔填充层的功能。 更具体地说，本发明涉及含有聚酯树脂组分的有机涂料组合物，特别是抗反射涂料组合物，其含有包含酚和/或羟烷基氰脲酸酯基团的重复单元。

公开(公告)号：US09123638B2

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：US13834381

申请日：2013-03-15

申请人： Moonsub Shim ,  Nuri Oh ,  You Zhai ,  Sooji Nam ,  Peter Trefonas ,  Kishori Deshpande ,  Jake Joo

发明人： Moonsub Shim ,  Nuri Oh ,  You Zhai ,  Sooji Nam ,  Peter Trefonas ,  Kishori Deshpande ,  Jake Joo

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/22 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0352 ,  H01L29/12 ,  H01L33/06 ,  H01L51/50 ,  B82Y20/00

CPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/068 ,  H01L29/127 ,  H01L29/22 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035227 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/28 ,  H01L51/50 ,  H01L51/502 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/95

摘要： Disclosed herein is a semiconducting nanoparticle comprising a one-dimensional semiconducting nanoparticle having a first end and a second end; where the second end is opposed to the first end; a first node that comprises a first semiconductor; where the first node contacts a radial surface of the one-dimensional semiconducting nanoparticle producing a first heterojunction at the point of contact; and a second node that comprises a second semiconductor; where the second node contacts the radial surface of the one-dimensional semiconducting nanoparticle producing a second heterojunction at the point of contact; where the first heterojunction is compositionally different from the second heterojunction.

摘要翻译： 本文公开了包含具有第一端和第二端的一维半导体纳米颗粒的半导体纳米颗粒; 第二端与第一端相反; 包括第一半导体的第一节点; 其中第一节点接触一维半导体纳米颗粒的径向表面，在接触点处产生第一异质结; 以及包括第二半导体的第二节点; 其中第二节点接触一维半导体纳米颗粒的径向表面，在接触点处产生第二异质结; 其中第一异质结在组成上不同于第二异质结。

公开(公告)号：US20130209694A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：US13370606

申请日：2012-02-10

申请人： Shih-Wei Chang ,  Valeriy V. Ginzburg ,  Erin B. Vogel ,  Daniel J. Murray ,  Peter Trefonas ,  Phillip D. Hustad

发明人： Shih-Wei Chang ,  Valeriy V. Ginzburg ,  Erin B. Vogel ,  Daniel J. Murray ,  Peter Trefonas ,  Phillip D. Hustad

IPC分类号： C09D153/00 ,  C09D133/12 ,  B05D3/02 ,  C08K5/101

CPC分类号： C08L53/00 ,  B05D3/02 ,  B82Y40/00 ,  C08F120/14 ,  C08F297/026 ,  C08L2205/025 ,  C09D153/00 ,  C08F220/14 ,  C08F2230/085 ,  C08L33/12

摘要： A block copolymer composition containing a diblock copolymer blend including a first poly(methyl methacrylate)-b-poly((trimethylsilyl)methyl methacrylate) diblock copolymer; and, a second poly(methyl methacrylate)-b-poly((trimethylsilyl)methyl methacrylate) diblock copolymer. Also provided are substrates treated with the block copolymer composition.

摘要翻译： 含有二嵌段共聚物共混物的嵌段共聚物组合物，包括第一聚（甲基丙烯酸甲酯）-b-聚（（三甲基甲硅烷基）甲基丙烯酸甲酯）二嵌段共聚物; 和第二聚（甲基丙烯酸甲酯）-b-聚（（三甲基甲硅烷基）甲基丙烯酸甲酯）二嵌段共聚物。 还提供了用嵌段共聚物组合物处理的基材。

公开(公告)号：US20080220597A1

公开(公告)日：2008-09-11

申请号：US11981623

申请日：2007-10-31

申请人： James F. Cameron ,  Peter Trefonas ,  George G. Barclay ,  Jin Wuk Sung

发明人： James F. Cameron ,  Peter Trefonas ,  George G. Barclay ,  Jin Wuk Sung

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/16 ,  G03F7/405

摘要： New photoresists are provided that can be applied and imaged with reduced undesired outgassing and/or as thick coating layers. Preferred resists of the invention are chemically-amplified positive-acting resists that contain photoactive and resin components.

摘要翻译： 提供了新的光致抗蚀剂，其可以用减少的不需要的脱气和/或作为厚的涂层施加和成像。 本发明优选的抗蚀剂是含有光活性和树脂成分的化学放大的正性作用抗蚀剂。

公开(公告)号：US08961918B2

公开(公告)日：2015-02-24

申请号：US13370907

申请日：2012-02-10

申请人： Shih-Wei Chang ,  Jeffrey D. Weinhold ,  Phillip D. Hustad ,  Peter Trefonas

发明人： Shih-Wei Chang ,  Jeffrey D. Weinhold ,  Phillip D. Hustad ,  Peter Trefonas

IPC分类号： C01B15/14 ,  C01B33/20 ,  B05D3/02 ,  B05D3/04

CPC分类号： H01L21/31058 ,  B05D1/005 ,  B05D3/0254 ,  B05D7/02 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  C08G77/442 ,  C09D151/08 ,  C09D183/10 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31138

摘要： A method for processing a substrate is provided; wherein the method comprises applying a film of a copolymer composition, comprising a poly(styrene)-b-poly(dimethylsiloxane) block copolymer component to a surface of the substrate; optionally, baking the film; subjecting the film to a high temperature annealing process under particularized atmospheric conditions for a specified period of time; followed by a treatment of the annealed film to remove the poly(styrene) from the annealed film and to convert the poly(dimethylsiloxane) in the annealed film to SiOx.

摘要翻译： 提供了一种处理衬底的方法; 其中所述方法包括将包含聚（苯乙烯）-b-聚（二甲基硅氧烷）嵌段共聚物组分的共聚物组合物的膜施加到所述基材的表面; 任选地，烘烤该膜; 在特定的大气条件下对该膜进行高温退火处理一段特定的时间; 然后处理退火的膜以从退火的膜中除去聚（苯乙烯），并将退火膜中的聚（二甲基硅氧烷）转化为SiO x。

公开(公告)号：US08937294B2

公开(公告)日：2015-01-20

申请号：US13834363

申请日：2013-03-15

申请人： Moonsub Shim ,  Nuri Oh ,  You Zhai ,  Sooji Nam ,  Peter Trefonas ,  Kishori Deshpande ,  Jake Joo

发明人： Moonsub Shim ,  Nuri Oh ,  You Zhai ,  Sooji Nam ,  Peter Trefonas ,  Kishori Deshpande ,  Jake Joo

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/068 ,  H01L29/125 ,  H01L29/127 ,  H01L29/225 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/1828 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/18 ,  H01L33/28 ,  H01L33/502 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0042 ,  H01L51/502 ,  H01L51/5072 ,  H01L2251/5369 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/825 ,  Y10S977/949

摘要： Disclosed herein is a semiconducting nanoparticle comprising a one-dimensional semiconducting nanoparticle having a first end and a second end; where the second end is opposed to the first end; and two first endcaps, one of which contacts the first end and the other of which contacts the second end respectively of the one-dimensional semiconducting nanoparticle; where the first endcap that contacts the first end comprises a first semiconductor and where the first endcap extends from the first end of the one-dimensional semiconducting nanoparticle to form a first nanocrystal heterojunction; where the first endcap that contacts the second end comprises a second semiconductor; where the first endcap extends from the second end of the one-dimensional semiconducting nanoparticle to form a second nanocrystal heterojunction; and where the first semiconductor and the second semiconductor are chemically different from each other.

摘要翻译： 本文公开了包含具有第一端和第二端的一维半导体纳米颗粒的半导体纳米颗粒; 第二端与第一端相反; 和两个第一端盖，其中一个端接触第一端，另一端接触一维半导体纳米颗粒的第二端; 其中与第一端接触的第一端帽包括第一半导体，并且其中第一端帽从一维半导体纳米颗粒的第一端延伸以形成第一纳米晶体异质结; 其中与第二端接触的第一端盖包括第二半导体; 其中第一端帽从一维半导体纳米颗粒的第二端延伸以形成第二纳米晶体异质结; 并且其中第一半导体和第二半导体在化学上彼此不同。

公开(公告)号：US20140264258A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US13834363

申请日：2013-03-15

申请人： Moonsub Shim ,  Nuri Oh ,  You Zhai ,  Sooji Nam ,  Peter Trefonas ,  Kishori Deshpande ,  Jake Joo

发明人： Moonsub Shim ,  Nuri Oh ,  You Zhai ,  Sooji Nam ,  Peter Trefonas ,  Kishori Deshpande ,  Jake Joo

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0352 ,  H01L33/06

CPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/068 ,  H01L29/125 ,  H01L29/127 ,  H01L29/225 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/1828 ,  H01L33/0083 ,  H01L33/18 ,  H01L33/28 ,  H01L33/502 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0042 ,  H01L51/502 ,  H01L51/5072 ,  H01L2251/5369 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/825 ,  Y10S977/949

摘要： Disclosed herein is a semiconducting nanoparticle comprising a one-dimensional semiconducting nanoparticle having a first end and a second end; where the second end is opposed to the first end; and two first endcaps, one of which contacts the first end and the other of which contacts the second end respectively of the one-dimensional semiconducting nanoparticle; where the first endcap that contacts the first end comprises a first semiconductor and where the first endcap extends from the first end of the one-dimensional semiconducting nanoparticle to form a first nanocrystal heterojunction; where the first endcap that contacts the second end comprises a second semiconductor; where the first endcap extends from the second end of the one-dimensional semiconducting nanoparticle to form a second nanocrystal heterojunction; and where the first semiconductor and the second semiconductor are chemically different from each other.

摘要翻译： 本文公开了包含具有第一端和第二端的一维半导体纳米颗粒的半导体纳米颗粒; 第二端与第一端相反; 和两个第一端盖，其中一个端接触第一端，另一端接触一维半导体纳米颗粒的第二端; 其中与第一端接触的第一端帽包括第一半导体，并且其中第一端帽从一维半导体纳米颗粒的第一端延伸以形成第一纳米晶体异质结; 其中与第二端接触的第一端盖包括第二半导体; 其中第一端帽从一维半导体纳米颗粒的第二端延伸以形成第二纳米晶体异质结; 并且其中第一半导体和第二半导体在化学上彼此不同。

公开(公告)号：US08822124B2

公开(公告)日：2014-09-02

申请号：US13253012

申请日：2011-10-04

申请人： Peter Trefonas ,  Phillip Dene Hustad ,  Cynthia Pierre

发明人： Peter Trefonas ,  Phillip Dene Hustad ,  Cynthia Pierre

IPC分类号： G03C8/40

CPC分类号： G03F7/0388 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  C08F212/08 ,  C08F220/18 ,  C08F297/026 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/165 ,  G03F7/26

摘要： A method of forming a pattern comprises diffusing an acid formed by irradiating a portion of a photosensitive layer, into an underlayer comprising an acid sensitive copolymer having acid decomposable groups and attachment groups covalently bonded to the surface of the substrate and/or forming an interpolymer crosslink. Diffusing comprises heating the underlayer and photosensitive layer. The acid sensitive group reacts with the diffused acid to form a polar region on the underlayer, with the shape of the pattern. The photosensitive layer is removed, forming a self-assembling layer comprising a block copolymer having a first block with an affinity for the polar region, and a second block having less affinity for the polar region. The first block forms a domain aligned to the polar region, and the second block forms another domain aligned to the first. Removing either domain exposes a portion of the underlayer.

摘要翻译： 形成图案的方法包括将通过照射感光层的一部分形成的酸扩散到包含具有酸可分解基团的酸敏感共聚物和共价键合到基材表面的附着基团和/或形成互聚物交联的底层 。 扩散包括加热底层和感光层。 酸敏感基团与扩散的酸反应，在底层上形成具有图案形状的极性区域。 去除感光层，形成包含具有对极性区域具有亲和力的第一嵌段的嵌段共聚物的自组装层和对极性区域具有较小亲和力的第二嵌段。 第一块形成与极性区对准的域，并且第二块形成与第一块对准的另一域。 删除任一域暴露了底层的一部分。