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    Artificial dielectrics using nanostructures
    27.
    发明申请
    Artificial dielectrics using nanostructures 失效
    使用纳米结构的人造电介质

    公开(公告)号：US20070296032A1

    公开(公告)日：2007-12-27

    申请号：US11203432

    申请日：2005-08-15

    申请人： David Stumbo ,  Stephen Empedocles ,  Francisco Leon ,  J. Parce

    发明人： David Stumbo ,  Stephen Empedocles ,  Francisco Leon ,  J. Parce

    IPC分类号： H01L27/12

    CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G11C2213/16 ,  G11C2213/81 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/0537 ,  Y10S977/743 ,  Y10S977/745 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/813 ,  Y10S977/936

    摘要： Artificial dielectrics using nanostructures, such as nanowires, are disclosed. In embodiments, artificial dielectrics using other nanostructures, such as nanorods, nanotubes or nanoribbons and the like are disclosed. The artificial dielectric includes a dielectric material with a plurality of nanowires (or other nanostructures) embedded within the dielectric material. Very high dielectric constants can be achieved with an artificial dielectric using nanostructures. The dielectric constant can be adjusted by varying the length, diameter, carrier density, shape, aspect ratio, orientation and density of the nanostructures. Additionally, a controllable artificial dielectric using nanostructures, such as nanowires, is disclosed in which the dielectric constant can be dynamically adjusted by applying an electric field to the controllable artificial dielectric. A wide range of electronic devices can use artificial dielectrics with nanostructures to improve performance. Example devices include, capacitors, thin film transistors, other types of thin film electronic devices, microstrip devices, surface acoustic wave (SAW) filters, other types of filters, and radar attenuating materials

    摘要翻译： 公开了使用纳米结构的人造电介质，例如纳米线。 在实施例中，公开了使用其他纳米结构的人造电介质，例如纳米棒，纳米管或纳米带等。 人造电介质包括具有嵌入电介质材料内的多个纳米线（或其他纳米结构）的电介质材料。 使用纳米结构的人造电介质可以实现非常高的介电常数。 可以通过改变纳米结构的长度，直径，载流子密度，形状，纵横比，取向和密度来调节介电常数。 此外，公开了使用纳米结构的可控人造电介质，例如纳米线，其中可以通过向可控人造电介质施加电场来动态地调整介电常数。 各种电子器件可以使用具有纳米结构的人造电介质来提高性能。 示例性器件包括电容器，薄膜晶体管，其他类型的薄膜电子器件，微带器件，表面声波（SAW）滤波器，其它类型的滤波器以及雷达衰减材料

    Alignment of multicomponent microfabricated structures
    28.
    发明申请
    Alignment of multicomponent microfabricated structures 审中-公开
    多组分微制造结构的对齐

    公开(公告)号：US20060261033A1

    公开(公告)日：2006-11-23

    申请号：US11497464

    申请日：2006-07-31

    申请人： Jeffrey Wolk ,  Richard McReynolds ,  J. Parce

    发明人： Jeffrey Wolk ,  Richard McReynolds ,  J. Parce

    IPC分类号： C23F1/00

    CPC分类号： B01L3/502707 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0887 ,  B01L2400/0415 ,  B01L2400/0487

    摘要： Multilayered microfluidic devices include structures that are used to align elements that make up the devices. Such elements include additional substrate layers, external sampling elements, and the like. In one embodiment, a multilayered microfluidic device includes first and second substrate layers attached one to the other, each substrate layer having a notch in an edge of the substrate layer. The notches are positioned such that they circumscribe a single opening into which an alignment key is inserted. In a method of fabricating a multilayered microfluidic device, notches are provided in first and second substrate layers, the notches circumscribing a single opening when the substrate layers are mated together. An alignment key is inserted into the single opening, and the substrate layers are bonded together. The alignment key may be, for example, a shim or a capillary element.

    摘要翻译： 多层微流体装置包括用于对准构成装置的元件的结构。 这些元件包括附加的基底层，外部取样元件等。 在一个实施例中，多层微流体装置包括彼此附接的第一和第二衬底层，每个衬底层在衬底层的边缘中具有凹口。 凹口定位成使得它们围绕插入对准键的单个开口。 在制造多层微流体装置的方法中，在第一和第二衬底层中设置缺口，当衬底层配合在一起时，限制单个开口的凹口。 将对准键插入到单个开口中，并且将基底层粘结在一起。 对准键可以是例如垫片或毛细管元件。