公开(公告)号：US20050156485A1

公开(公告)日：2005-07-21

申请号：US11034475

申请日：2005-01-12

申请人： Roman Gouk ,  Steven Verhaverbeke

发明人： Roman Gouk ,  Steven Verhaverbeke

IPC分类号： B06B1/02 ,  H01L21/00 ,  H03H7/40 ,  H02N2/00 ,  H01L41/04

CPC分类号： H01L21/67057 ,  B06B1/0207 ,  B08B3/12 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67051 ,  H03H7/40

摘要： A method and apparatus for matching impedance magnitude and impedance phase for an acoustic-wave transducer load and an RF power source. The acoustic-wave transducer load has a load impedance magnitude and phase. The RF power source has a source impedance magnitude and phase. In one embodiment of the invention, a transformer matches the source and load impedance magnitudes. A capacitor, connected in series with the transformer, matches the source impedance phase to the load impedance phase.

摘要翻译： 一种用于匹配声波传感器负载和RF电源的阻抗幅度和阻抗相位的方法和装置。 声波传感器负载具有负载阻抗幅值和相位。 RF电源具有源阻抗幅值和相位。 在本发明的一个实施例中，变压器匹配源极和负载阻抗幅度。 与变压器串联连接的电容器将源阻抗相位与负载阻抗相位相匹配。

公开(公告)号：US06495099B1

公开(公告)日：2002-12-17

申请号：US09209101

申请日：1998-12-10

申请人： Steven Verhaverbeke ,  Christopher F. McConnell

发明人： Steven Verhaverbeke ,  Christopher F. McConnell

IPC分类号： A61L900

CPC分类号： H01L21/02052 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/31111

摘要： The present invention is directed to wet processing methods for the manufacture of electronic component precursors, such as semiconductor wafers used in integrated circuits. The electronic component precursors are placed in a reaction chamber and contacted with at least one reactive chemical process fluid for a selected period of time. The reactive process fluid can be, for example, hydrofluoric acid. The electronic component precursors are then exposed directly to a drying fluid, with no intervening rinsing fluid, for a selected period of time. The drying fluid can be a vapor.

摘要翻译： 本发明涉及用于制造电子元件前体（例如集成电路中使用的半导体晶片）的湿法加工方法。 将电子元件前体放置在反应室中并与至少一种反应性化学工艺流体接触一段选定的时间。 反应过程流体可以是例如氢氟酸。 然后将电子元件前体直接暴露于干燥流体，而没有中间冲洗流体在选定的时间段内。 干燥流体可以是蒸气。

公开(公告)号：US06245158B1

公开(公告)日：2001-06-12

申请号：US09324813

申请日：1999-06-02

申请人： Steven Verhaverbeke

发明人： Steven Verhaverbeke

IPC分类号： B08B310

CPC分类号： H01L21/02052

摘要： The present invention is directed to wet processing methods for the manufacture of electronic component precursors, such as semiconductor wafers used in integrated circuits. More specifically, this invention relates to methods of manufacturing electronic component precursors using liquids of varying temperature.

摘要翻译： 本发明涉及用于制造电子元件前体（例如集成电路中使用的半导体晶片）的湿法加工方法。 更具体地，本发明涉及使用不同温度的液体制造电子元件前体的方法。

公开(公告)号：US08778816B2

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：US13192041

申请日：2011-07-27

申请人： Tatsuya E. Sato ,  David Thompson ,  Jeffrey W. Anthis ,  Vladimir Zubkov ,  Steven Verhaverbeke ,  Roman Gouk ,  Maitreyee Mahajani ,  Patricia M. Liu ,  Malcolm J. Bevan

发明人： Tatsuya E. Sato ,  David Thompson ,  Jeffrey W. Anthis ,  Vladimir Zubkov ,  Steven Verhaverbeke ,  Roman Gouk ,  Maitreyee Mahajani ,  Patricia M. Liu ,  Malcolm J. Bevan

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/3105 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02312

摘要： Methods for preparing a substrate for a subsequent film formation process are described. Methods for preparing a substrate for a subsequent film formation process, without immersion in an aqueous solution, are also described. A process is described that includes disposing a substrate into a process chamber, the substrate having a thermal oxide surface with substantially no reactive surface terminations. The thermal oxide surface is exposed to a partial pressure of water below the saturated vapor pressure at a temperature of the substrate to convert the dense thermal oxide with substantially no reactive surface terminations to a surface with hydroxyl surface terminations. This can occur in the presence of a Lewis base such as ammonia.

摘要翻译： 描述制备用于后续成膜工艺的基材的方法。 还描述了不浸没在水溶液中制备用于后续成膜工艺的基材的方法。 描述了一种方法，其包括将衬底设置到处理室中，所述衬底具有基本上没有反应性表面终止的热氧化物表面。 热氧化物表面在基底的温度下暴露于低于饱和蒸汽压的水分压，以将基本上没有反应性表面终止的致密热氧化物转化成具有羟基表面终止的表面。 这可以在诸如氨的路易斯碱存在下进行。

公开(公告)号：US08658242B2

公开(公告)日：2014-02-25

申请号：US13193539

申请日：2011-07-28

申请人： Christopher D. Bencher ,  Roman Gouk ,  Steven Verhaverbeke ,  Li-Qun Xia ,  Yong-Won Lee ,  Matthew D. Scotney-Castle ,  Martin A. Hilkene ,  Peter I. Porshnev

发明人： Christopher D. Bencher ,  Roman Gouk ,  Steven Verhaverbeke ,  Li-Qun Xia ,  Yong-Won Lee ,  Matthew D. Scotney-Castle ,  Martin A. Hilkene ,  Peter I. Porshnev

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： G11B5/85 ,  G11B5/743 ,  G11B5/855

摘要： A method and apparatus for forming magnetic media substrates is provided. A patterned resist layer is formed on a substrate having a magnetically susceptible layer. A conformal protective layer is formed over the patterned resist layer to prevent degradation of the pattern during subsequent processing. The substrate is subjected to an energy treatment wherein energetic species penetrate portions of the patterned resist and conformal protective layer according to the pattern formed in the patterned resist, impacting the magnetically susceptible layer and modifying a magnetic property thereof. The patterned resist and conformal protective layers are then removed, leaving a magnetic substrate having a pattern of magnetic properties with a topography that is substantially unchanged.

摘要翻译： 提供了一种形成磁性介质基板的方法和装置。 在具有磁敏感层的基底上形成图案化的抗蚀剂层。 在图案化的抗蚀剂层上形成保形层，以防止后续处理期间图案的劣化。 对衬底进行能量处理，其中能量物质根据形成在图案化抗蚀剂中的图案穿透图案化抗蚀剂和保形层的部分，撞击磁敏感层并改变其磁性。 然后去除图案化的抗蚀剂和共形保护层，留下具有基本上不变的形貌的磁性质图案的磁性基底。

公开(公告)号：US08318589B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US12748780

申请日：2010-03-29

申请人： Valery V. Komin ,  Hien-Minh Huu Le ,  David Tanner ,  James S. Papanu ,  Philip A. Greene ,  Suresh M. Shrauti ,  Roman Gouk ,  Steven Verhaverbeke

发明人： Valery V. Komin ,  Hien-Minh Huu Le ,  David Tanner ,  James S. Papanu ,  Philip A. Greene ,  Suresh M. Shrauti ,  Roman Gouk ,  Steven Verhaverbeke

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C23C14/086 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： Embodiments disclosed herein generally relate to a process of depositing a transparent conductive oxide layer over a substrate. The transparent oxide layer is sometimes deposited onto a substrate for later use in a solar cell device. The transparent conductive oxide layer may be deposited by a “cold” sputtering process. In other words, during the sputtering process, a plasma is ignited in the processing chamber which naturally heats the substrate. No additional heat is provided to the substrate during deposition such as from the susceptor. After the transparent conductive oxide layer is deposited, the substrate may be annealed and etched, in either order, to texture the transparent conductive oxide layer. In order to tailor the shape of the texturing, different wet etch chemistries may be utilized. The different etch chemistries may be used to shape the surface of the transparent conductive oxide and the etch rate.

摘要翻译： 本文公开的实施例通常涉及在衬底上沉积透明导电氧化物层的工艺。 透明氧化物层有时沉积在衬底上，以供以后用于太阳能电池器件中。 可以通过冷溅射工艺沉积透明导电氧化物层。 换句话说，在溅射过程中，在处理室中点燃等离子体，其自然地加热基板。 在诸如从感受器的沉积期间不会向衬底提供额外的热量。 在沉积透明导电氧化物层之后，可以以任何顺序对衬底进行退火和蚀刻，以对透明导电氧化物层进行纹理化。 为了调整纹理的形状，可以使用不同的湿蚀刻化学物质。 可以使用不同的蚀刻化学物质来形成透明导电氧化物的表面和蚀刻速率。

公开(公告)号：US20120164470A1

公开(公告)日：2012-06-28

申请号：US13331870

申请日：2011-12-20

申请人： Kurtis Leschkies ,  Roman Gouk ,  Steven Verhaverbeke ,  Robert Visser

发明人： Kurtis Leschkies ,  Roman Gouk ,  Steven Verhaverbeke ,  Robert Visser

IPC分类号： B32B15/01 ,  C23C28/00 ,  C25D3/50 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC分类号： C23C28/021 ,  B32B15/018 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C18/1635 ,  C23C18/1658 ,  C23C18/54 ,  C23C28/023 ,  C30B7/14 ,  C30B29/02 ,  C30B29/60 ,  Y10T428/12438

摘要： Embodiments of the invention generally provide core-sheath nanostructures and methods for forming such nanostructures. In one embodiment, a method for forming core-sheath nanostructures includes stirring an aqueous dispersion containing silver nanostructures while adding a catalytic metal salt solution to the aqueous dispersion and forming catalytic metal coated silver nanostructures during a galvanic replacement process. The method further includes stirring an organic solvent dispersion containing the catalytic metal coated silver nanostructures dispersed in an organic solvent while adding a nickel salt solution to the organic solvent dispersion, and thereafter, adding a reducing solution to the organic solvent dispersion to form silver-nickel core-sheath nanostructures during a nickel coating process. In one embodiment, the core-sheath nanostructures are silver-nickel core-sheath nanowires, wherein each silver-nickel core-sheath nanowire has a sheath layer of nickel disposed over and encompassing a catalytic metal layer of palladium disposed on a nanowire core of silver.

摘要翻译： 本发明的实施方案通常提供用于形成这种纳米结构的芯鞘纳米结构和方法。 在一个实施方案中，形成芯鞘纳米结构的方法包括搅拌包含银纳米结构的水性分散体，同时在电偶置换过程中向催化金属盐溶液加入催化金属盐溶液并形成催化金属涂覆的银纳米结构。 该方法还包括搅拌含有分散在有机溶剂中的催化金属涂覆的银纳米结构的有机溶剂分散体，同时向有机溶剂分散体中加入镍盐溶液，然后向该有机溶剂分散体中加入还原溶液以形成银 - 镍 芯鞘纳米结构在镀镍过程中。 在一个实施方案中，芯鞘纳米结构是银 - 镍芯鞘纳米线，其中每个银 - 镍芯鞘纳米线具有设置在镀银的纳米线芯上的钯的催化金属层上并包围镍的护套层 。

公开(公告)号：US20110051322A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12868230

申请日：2010-08-25

申请人： Victor L. Pushparaj ,  Omkaram Nalamasu ,  Steven Verhaverbeke

发明人： Victor L. Pushparaj ,  Omkaram Nalamasu ,  Steven Verhaverbeke

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/02 ,  C25D17/00 ,  B05C1/00

CPC分类号： H01M4/364 ,  B82Y99/00 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  C23C16/54 ,  C23C28/00 ,  C25D11/005 ,  C25D11/32 ,  H01G11/28 ,  H01G11/36 ,  H01G11/86 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6776 ,  H01M4/0428 ,  H01M4/0438 ,  H01M4/0442 ,  H01M4/0492 ,  H01M4/133 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1393 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/366 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M4/587 ,  H01M4/661 ,  H01M10/0525 ,  Y02E60/122 ,  Y02E60/13 ,  Y02P70/54 ,  Y10T29/41 ,  Y10T29/417

摘要： Embodiments of the present invention generally relate to methods and apparatus for forming an energy storage device. More particularly, embodiments described herein relate to methods of forming electric batteries and electrochemical capacitors. In one embodiment a method of forming a high surface area electrode for use in an energy storage device is provided. The method comprises forming an amorphous silicon layer on a current collector having a conductive surface, immersing the amorphous silicon layer in an electrolytic solution to form a series of interconnected pores in the amorphous silicon layer, and forming carbon nanotubes within the series of interconnected pores of the amorphous silicon layer.

摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及用于形成能量存储装置的方法和装置。 更具体地，本文所述的实施例涉及形成电池和电化学电容器的方法。 在一个实施例中，提供了形成用于能量存储装置的高表面积电极的方法。 该方法包括在具有导电表面的集电器上形成非晶硅层，将非晶硅层浸入电解溶液中以在非晶硅层中形成一系列互连的孔，并在该系列互连孔内形成碳纳米管 非晶硅层。

公开(公告)号：US20100311204A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12748790

申请日：2010-03-29

申请人： VALERY V. KOMIN ,  Hien-Minh Huu Le ,  David Tanner ,  James S. Papanu ,  Philip A. Greene ,  Suresh M. Shrauti ,  Roman Gouk ,  Steven Verhaverbeke

发明人： VALERY V. KOMIN ,  Hien-Minh Huu Le ,  David Tanner ,  James S. Papanu ,  Philip A. Greene ,  Suresh M. Shrauti ,  Roman Gouk ,  Steven Verhaverbeke

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/283

CPC分类号： C23C14/086 ,  C23C14/541 ,  C23C14/56 ,  C23C14/5846 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548

摘要： Embodiments disclosed herein generally relate to a process of depositing a transparent conductive oxide layer over a substrate. The transparent oxide layer is sometimes deposited onto a substrate for later use in a solar cell device. The transparent conductive oxide layer may be deposited by a “cold” sputtering process. In other words, during the sputtering process, a plasma is ignited in the processing chamber which naturally heats the substrate. No additional heat is provided to the substrate during deposition such as from the susceptor. After the transparent conductive oxide layer is deposited, the substrate may be annealed and etched, in either order, to texture the transparent conductive oxide layer. In order to tailor the shape of the texturing, different wet etch chemistries may be utilized. The different etch chemistries may be used to shape the surface of the transparent conductive oxide and the etch rate.

摘要翻译： 本文公开的实施例通常涉及在衬底上沉积透明导电氧化物层的工艺。 透明氧化物层有时沉积在衬底上，以供以后用于太阳能电池器件中。 可以通过“冷”溅射工艺沉积透明导电氧化物层。 换句话说，在溅射过程中，在处理室中点燃等离子体，其自然地加热基板。 在诸如从感受器的沉积期间不会向衬底提供额外的热量。 在沉积透明导电氧化物层之后，可以以任何顺序对衬底进行退火和蚀刻，以对透明导电氧化物层进行纹理化。 为了调整纹理的形状，可以使用不同的湿蚀刻化学物质。 可以使用不同的蚀刻化学物质来形成透明导电氧化物的表面和蚀刻速率。

公开(公告)号：US20100261049A1

公开(公告)日：2010-10-14

申请号：US12422739

申请日：2009-04-13

申请人： BYUNG-SUNG LEO KWAK ,  Nety M. Krishna ,  Omkaram Nalamasu ,  Kaushal K. Singh ,  Steven Verhaverbeke

发明人： BYUNG-SUNG LEO KWAK ,  Nety M. Krishna ,  Omkaram Nalamasu ,  Kaushal K. Singh ,  Steven Verhaverbeke

IPC分类号： H01M6/46 ,  H01M6/00

CPC分类号： H01M10/0436 ,  H01G9/0029 ,  H01G9/012 ,  H01G9/15 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0585 ,  Y02E60/13 ,  Y10T29/49115

摘要： A readily manufacturable, high power, high energy, large area energy storage device is described. The energy storage device may use processes compatible with large area processing tools, such as large area coating systems and linear processing systems compatible with flexible thin film substrates. The energy storage devices may include batteries, super-capacitors and ultra-capacitors. An energy storage device may include a multiplicity of thin film cells formed on a single substrate, the multiplicity of cells being electrically connected in series, each one of the multiplicity of cells comprising: a current collector on the surface of the substrate; a first electrode on the current collector; a second electrode over the first electrode; and an electrolyte layer between the first electrode and the second electrode. Furthermore, an energy storage device may include a plurality of thin film cells formed on a single substrate, the plurality of cells being electrically connected in a network, the network including both parallel and serial electrical connections between individual cells of the plurality of cells.

摘要翻译： 描述了容易制造的大功率，高能量，大面积的储能装置。 能量存储装置可以使用与大面积加工工具兼容的工艺，例如与柔性薄膜基板兼容的大面积涂覆系统和线性处理系统。 储能装置可以包括电池，超级电容器和超电容器。 能量存储装置可以包括形成在单个基板上的多个薄膜单元，多个单元串联电连接，多个单元中的每一个包括：基板表面上的集电器; 集电器上的第一电极; 第一电极上的第二电极; 以及在第一电极和第二电极之间的电解质层。 此外，能量存储装置可以包括形成在单个基板上的多个薄膜单元，所述多个单元电连接在网络中，所述网络包括多个单元中各个单元之间的并联和串联电连接。