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    MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
    2.
    发明申请
    MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
    半导体器件的制造方法

    公开(公告)号：US20110207264A1

    公开(公告)日：2011-08-25

    申请号：US12905395

    申请日：2010-10-15

    申请人： Manabu TOMISAKA ,  Akira Tai ,  Kazuo Akamatsu ,  Yutaka Fukuda ,  Yoshiko Fukuda ,  Yuji Fukuda ,  Mika Ootsuki ,  Mayu Fukuda

    发明人： Manabu TOMISAKA ,  Akira Tai ,  Kazuo Akamatsu ,  Yutaka Fukuda ,  Yoshiko Fukuda ,  Yuji Fukuda ,  Mika Ootsuki ,  Mayu Fukuda

    IPC分类号： H01L21/56

    CPC分类号： H01L21/304 ,  H01L29/66333 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes cutting a part of a resin insulating layer formed on a surface of a semiconductor substrate with a cutting tool. The cutting the part of the resin insulating layer includes cutting a portion of the resin insulating layer that has a surface on which a metal layer is disposed. The cutting the portion of the resin insulating layer is performed in such a manner that, in a stress distribution inside the resin insulating layer along an edge portion of the cutting tool and a peripheral portion of the edge portion, a width at 90% of a maximum value is not more than 1.3 μm.

    摘要翻译： 半导体器件的制造方法包括：利用切削工具切断形成在半导体基板的表面上的树脂绝缘层的一部分。 切割树脂绝缘层的一部分包括切割具有设置有金属层的表面的树脂绝缘层的一部分。 切割树脂绝缘层的部分是这样一种方式进行的：在树脂绝缘层沿着切削工具的边缘部分和边缘部分的周边部分的应力分布中，90％的宽度 最大值不大于1.3μm。

    Hard butter composition
    3.
    发明授权
    Hard butter composition 失效
    硬黄油组成

    公开(公告)号：US4219584A

    公开(公告)日：1980-08-26

    申请号：US939797

    申请日：1978-09-05

    申请人： Hiroyuki Mori ,  Yukiya Iwanaga ,  Kazuo Akamatsu ,  Hayato Kubota

    发明人： Hiroyuki Mori ,  Yukiya Iwanaga ,  Kazuo Akamatsu ,  Hayato Kubota

    IPC分类号： A23D9/00 ,  A23G1/00 ,  A23G1/36 ,  A23G1/38 ,  A23D5/00

    CPC分类号： A23G1/36 ,  A23D9/00 ,  A23G1/38

    摘要： A hard butter composition useful as a cacoa butter substitute comprising an intermediate fraction of palm oil and a solid fat fraction of shea fat, the total content of 2-oleo-1,3-distearin and 2-oleo-palmito-stearin in said shea fat fraction being lower than 80% by weight, wherein an intermediate fraction of palm oil having a slip melting point of 29.0.degree.-32.5.degree. C. and a clear point of not more than 34.degree. C. is utilized, whereby the shea fat fraction is not required to be specifically purified.

    摘要翻译： 可用作包括棕榈油的中间部分的棕榈油黄油替代品的硬黄油组合物，以及所述剪切板中的2-油烯-1,3-二硬脂酸酯和2-油醇 - 棕榈醇 - 硬脂精的总含量 脂肪馏分低于80重量％，其中使用具有滑移熔点为29.0-32.5℃和澄清点不超过34℃的棕榈油的中间馏分，由此得到牛油脂分数 不需要特别纯化。

    Method of manufacturing semiconductor device
    7.
    发明授权
    Method of manufacturing semiconductor device 失效
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US06908857B2

    公开(公告)日：2005-06-21

    申请号：US10657081

    申请日：2003-09-09

    申请人： Kazuo Akamatsu ,  Yoshihiko Isobe ,  Hiroyuki Yamane

    发明人： Kazuo Akamatsu ,  Yoshihiko Isobe ,  Hiroyuki Yamane

    IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/485 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/7685 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method for manufacturing a semiconductor device having on a silicon substrate semiconductor elements and aluminum (Al) alloy wiring leads as electrically connected thereto is disclosed. The method includes the steps of forming on the silicon substrate an Al alloy layer containing therein copper (Cu), and forming on the Al alloy layer a titanium nitride (TiN) film with enhanced chemical reactivity by using sputtering techniques while applying thereto a DC power of 5.5 W/cm2 or less. Fabrication of such reactivity-rich TiN film on the Al alloy layer results in a reaction layer of Al and Ti being subdivided into several spaced-apart segments. In this case, the reaction layer hardly serves as any diffusion path; thus, it becomes possible to prevent Cu as contained in the Al alloy layer from attempting to outdiffuse with the reaction layer being as its diffusion path. This makes it possible to suppress or minimize unwanted fabrication of AlN on or above the surface of an Al containing lead pattern, thereby enabling increase in electromigration (EM) lifetime of electrical interconnect leads used.

    摘要翻译： 公开了一种制造半导体器件的方法，该半导体器件具有硅衬底半导体元件和与其电连接的铝（Al）合金布线引线。 该方法包括以下步骤：在硅衬底上形成含有铜（Cu）的Al合金层，并且通过使用溅射技术在Al合金层上形成具有增强的化学反应性的氮化钛（TiN）膜，同时施加直流电力 为5.5W / cm 2以下。 在Al合金层上制备这种富含反应性的TiN膜导致Al和Ti的反应层被细分成几个间隔开的段。 在这种情况下，反应层几乎不作为任何扩散路径; 因此，可以防止Al合金层中所含的Cu作为其扩散路径而反向扩散。 这使得可以抑制或最小化在含铝的引线图案的表面上或上方的AlN的不希望的制造，从而能够增加使用的电互连引线的电迁移（EM）寿命。