公开(公告)号：US20080077369A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：US11525824

申请日：2006-09-25

申请人： Rong-Yeu Chang ,  Yu-Feng Chen ,  Wen-Hsien Yang ,  Cheng-Yung Liu ,  Yi-Hui Peng ,  Chia-Hsiang Hsu

发明人： Rong-Yeu Chang ,  Yu-Feng Chen ,  Wen-Hsien Yang ,  Cheng-Yung Liu ,  Yi-Hui Peng ,  Chia-Hsiang Hsu

IPC分类号： G06G7/48

CPC分类号： G06F17/5018 ,  G06F2217/41

摘要： The invention provides an apparatus and method for simulating a mold cooling process for injection molding. The mold includes a moldbase and a cavity; the method comprises the steps of creating a plurality of cavity meshes for the cavity, automatically creating a plurality of uniform or adaptive moldbase meshes for the moldbase, and determining the relationship between the cavity meshes and the moldbase meshes. Based on the relationship, a numerical method is applied to calculate the temperature distributions of the cavity and moldbase in the mold cooling process.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于模拟注射成型的模具冷却过程的装置和方法。 模具包括模具底座和腔体; 该方法包括以下步骤：为空腔创建多个空腔网格，自动创建用于模具基座的多个均匀或适应的模具基准网格，以及确定空腔网格和模具基体网格之间的关系。 基于该关系，应用数值方法计算模具冷却过程中腔体和模具基体的温度分布。

公开(公告)号：US08981559B2

公开(公告)日：2015-03-17

申请号：US13532402

申请日：2012-06-25

申请人： Chun-Lei Hsu ,  Chung-Shi Liu ,  De-Yuan Lu ,  Ming-Che Ho ,  Yu-Feng Chen

发明人： Chun-Lei Hsu ,  Chung-Shi Liu ,  De-Yuan Lu ,  Ming-Che Ho ,  Yu-Feng Chen

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/48 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L25/10 ,  H01L25/00 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49822 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15323 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/15333 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3651

摘要： Package on package (PoP) devices and methods of packaging semiconductor dies are disclosed. In one embodiment, a PoP device includes a first packaged die and a second packaged die coupled to the first packaged die. Metal pillars are coupled to the first packaged die. The metal pillars have a first portion proximate the first packaged die and a second portion disposed over the first portion. Each of the metal pillars is coupled to a solder joint proximate the second packaged die.

摘要翻译： 封装封装（PoP）器件和封装半导体管芯的方法被公开。 在一个实施例中，PoP器件包括第一封装管芯和耦合到第一封装管芯的第二封装管芯。 金属柱连接到第一封装的模具。 金属支柱具有靠近第一封装模具的第一部分和设置在第一部分上的第二部分。 每个金属支柱都联接到靠近第二包装模具的焊接接头。

公开(公告)号：US08680663B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13342751

申请日：2012-01-03

申请人： Yu-Feng Chen ,  Han-Ping Pu

发明人： Yu-Feng Chen ,  Han-Ping Pu

IPC分类号： H01L23/02

CPC分类号： H01L23/02 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： Methods and apparatus for package on package structures. A structure includes a first integrated circuit package including at least one integrated circuit device mounted on a first substrate, a plurality of package on package connectors extending from a bottom surface and arranged in a pattern of one or more rows proximal to an outer periphery of the first substrate; and a second integrated circuit package including at least another integrated circuit device mounted on a second substrate and a plurality of lands on an upper surface coupled to the plurality of package on package connectors, and a plurality of external connectors extending from a bottom surface of the second substrate; wherein the pattern of the external connectors is staggered from the pattern of the package on package connectors so that the package on package connectors are not in vertical alignment with the external connectors. Methods for forming structures are disclosed.

摘要翻译： 封装结构封装的方法和装置。 一种结构包括第一集成电路封装，其包括安装在第一基板上的至少一个集成电路器件，从封装连接器上的多个封装，其从底表面延伸并且以一个或多个行的图案布置， 第一底物; 以及第二集成电路封装，其包括安装在第二基板上的至少另一个集成电路器件和耦合到封装连接器上的多个封装的上表面上的多个焊盘，以及从所述第二基板的底表面延伸的多个外部连接器 第二基板; 其中外部连接器的图案与包装连接器上的包装图案交错，使得包装连接器上的包装件不与外部连接器垂直对准。 公开了形成结构的方法。

公开(公告)号：US20130187277A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：US13443556

申请日：2012-04-10

申请人： Yu-Feng Chen ,  Chun-Hung Lin ,  Han-Ping Pu ,  Chih-Hang Tung ,  Kai-Chiang Wu ,  Ming-Che Ho

发明人： Yu-Feng Chen ,  Chun-Hung Lin ,  Han-Ping Pu ,  Chih-Hang Tung ,  Kai-Chiang Wu ,  Ming-Che Ho

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/488 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor die includes a crack stopper on an under-bump metallization (UBM) layer. The crack stopper is in the shape of hollow cylinder with at least two openings.

摘要翻译： 半导体管芯包括在凸块下金属化（UBM）层上的裂纹阻挡层。 裂缝止动器为具有至少两个开口的中空圆筒形状。

公开(公告)号：US20130175705A1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：US13348449

申请日：2012-01-11

申请人： Chun-Hung Lin ,  Yu-Feng Chen ,  Han-Ping Pu ,  Hung-Jui Kuo

发明人： Chun-Hung Lin ,  Yu-Feng Chen ,  Han-Ping Pu ,  Hung-Jui Kuo

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49822 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： A stress compensation for use in packaging, and a method of forming, is provided. The stress compensation layer is placed on an opposing side of a substrate from an integrated circuit die. The stress compensation layer is designed to counteract at least some of the stress exerted structures on the die side of the substrate, such as stresses exerted by a molding compound that at least partially encapsulates the first integrated circuit die. A package may also be electrically coupled to the substrate.

摘要翻译： 提供了用于包装的应力补偿，以及形成方法。 应力补偿层从集成电路管芯放置在衬底的相对侧上。 应力补偿层被设计成抵抗基板的模具侧上的应力施加结构中的至少一些，例如由至少部分地封装第一集成电路管芯的模制化合物施加的应力。 封装还可以电耦合到衬底。

公开(公告)号：US08288871B1

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US13095185

申请日：2011-04-27

申请人： Yuh Chern Shieh ,  Han-Ping Pu ,  Yu-Feng Chen ,  Tin-Hao Kuo

发明人： Yuh Chern Shieh ,  Han-Ping Pu ,  Yu-Feng Chen ,  Tin-Hao Kuo

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L21/00 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1405 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/145 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17104 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81484 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

摘要： The embodiments of bump-on-trace (BOT) structures and their layout on a die described reduce stresses on the dielectric layer on the metal pad and on the metal traces of the BOT structures. By orienting the axes of the metal bumps away from being parallel to the metal traces, the stresses can be reduced, which can reduce the risk of delamination of the metal traces from the substrate and the dielectric layer from the metal pad. Further, the stresses of the dielectric layer on the metal pad and on the metal traces may also be reduced by orienting the axes of the metal traces toward the center of the die. As a result, the yield can be increased.

摘要翻译： 凹凸跟踪（BOT）结构及其在芯片上的布局的实施例减少了金属焊盘上的电介质层和BOT结构的金属迹线上的应力。 通过将金属凸块的轴线定位成远离金属轨迹，可以减小应力，这可以降低金属迹线从基板和电介质层与金属垫分层的危险。 此外，金属焊盘和金属迹线上的电介质层的应力也可以通过将金属迹线的轴线朝向芯片的中心定向而减小。 结果，可以提高收率。

公开(公告)号：US09806042B2

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：US13448217

申请日：2012-04-16

申请人： Hsien-Wei Chen ,  Ying-Ju Chen ,  Tsung-Yuan Yu ,  Yu-Feng Chen ,  Tsung-Ding Wang

发明人： Hsien-Wei Chen ,  Ying-Ju Chen ,  Tsung-Yuan Yu ,  Yu-Feng Chen ,  Tsung-Ding Wang

IPC分类号： H01L33/48 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/206

摘要： A semiconductor device includes a semiconductor die having first and second conductive pads, and a substrate having third and fourth bonding pads. A width ratio of the first conductive pad over the third bonding pad at an inner region is different from a width ratio of the second conductive pad over the fourth bonding pad at an outer region.

公开(公告)号：US09041223B2

公开(公告)日：2015-05-26

申请号：US13610050

申请日：2012-09-11

申请人： Yuh Chern Shieh ,  Han-Ping Pu ,  Yu-Feng Chen ,  Tin-Hao Kuo

发明人： Yuh Chern Shieh ,  Han-Ping Pu ,  Yu-Feng Chen ,  Tin-Hao Kuo

IPC分类号： H01L23/40 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  H01L21/00 ,  H01L21/44 ,  H01L23/00 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1405 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/145 ,  H01L2224/16104 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17104 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81484 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

摘要： A bump-on-trace (BOT) structure is described. The BOT structure includes a first work piece with a metal trace on a surface of the first work piece, wherein the metal trace has a first axis. The BOT structure further includes a second work piece with an elongated metal bump, wherein the elongated metal bump has a second axis, wherein the second axis is at a non-zero angle from the first axis. The BOT structure further includes a metal bump, wherein the metal bump electrically connects the metal trace and the elongated metal bump. A package having a BOT structure and a method of forming the BOT structure are also described.

摘要翻译： 描述了跟踪（BOT）结构。 BOT结构包括在第一工件的表面上具有金属迹线的第一工件，其中金属迹线具有第一轴线。 BOT结构还包括具有细长金属凸块的第二工件，其中细长金属凸块具有第二轴线，其中第二轴线与第一轴线成非零角度。 BOT结构还包括金属凸块，其中金属凸块电连接金属迹线和细长金属凸块。 还描述了具有BOT结构的封装和形成BOT结构的方法。

公开(公告)号：US20120199966A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13023011

申请日：2011-02-08

申请人： Tin-Hao Kuo ,  Yu-Feng Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Hua Yu ,  Sheng-Yu Wu ,  Chita Chuang

发明人： Tin-Hao Kuo ,  Yu-Feng Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Hua Yu ,  Sheng-Yu Wu ,  Chita Chuang

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/14141 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： An elongated bump structure for semiconductor devices is provided. An uppermost protective layer has an opening formed therethrough. A pillar is formed within the opening and extending over at least a portion of the uppermost protective layer. The portion extending over the uppermost protective layer exhibits a generally elongated shape. In an embodiment, the position of the opening relative to the portion of the bump structure extending over the uppermost protective layer is such that a ratio of a distance from an edge of the opening to an edge of the bump is greater than or equal to about 0.2. In another embodiment, the position of the opening is offset relative to center of the bump.

摘要翻译： 提供了用于半导体器件的细长凸块结构。 最上面的保护层具有通过其形成的开口。 在该开口内形成一个支柱，并延伸至最上层保护层的至少一部分。 在最上保护层上延伸的部分呈现大致细长的形状。 在一个实施例中，开口相对于在最上保护层上延伸的凸起结构的部分的位置使得从开口的边缘到凸起的边缘的距离的比例大于或等于约 0.2。 在另一个实施例中，开口的位置相对于凸块的中心偏移。

公开(公告)号：US09093332B2

公开(公告)日：2015-07-28

申请号：US13023011

申请日：2011-02-08

申请人： Tin-Hao Kuo ,  Yu-Feng Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Hua Yu ,  Sheng-Yu Wu ,  Chita Chuang

发明人： Tin-Hao Kuo ,  Yu-Feng Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Hua Yu ,  Sheng-Yu Wu ,  Chita Chuang

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/14141 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： An elongated bump structure for semiconductor devices is provided. An uppermost protective layer has an opening formed therethrough. A pillar is formed within the opening and extending over at least a portion of the uppermost protective layer. The portion extending over the uppermost protective layer exhibits a generally elongated shape. In an embodiment, the position of the opening relative to the portion of the bump structure extending over the uppermost protective layer is such that a ratio of a distance from an edge of the opening to an edge of the bump is greater than or equal to about 0.2. In another embodiment, the position of the opening is offset relative to center of the bump.

摘要翻译： 提供了用于半导体器件的细长凸块结构。 最上面的保护层具有通过其形成的开口。 在该开口内形成一个支柱，并延伸至最上层保护层的至少一部分。 在最上保护层上延伸的部分呈现大致细长的形状。 在一个实施例中，开口相对于在最上保护层上延伸的凸起结构的部分的位置使得从开口的边缘到凸起的边缘的距离的比例大于或等于约 0.2。 在另一个实施例中，开口的位置相对于凸块的中心偏移。