公开(公告)号：US08524615B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US13238297

申请日：2011-09-21

申请人： Sang-Hoon Ahn ,  Byung-Hee Kim ,  Sang-Don Nam ,  Kyu-Hee Han ,  Gil-heyun Choi ,  Jang-Hee Lee ,  Jong-Min Baek ,  Kyoung-Hee Kim

发明人： Sang-Hoon Ahn ,  Byung-Hee Kim ,  Sang-Don Nam ,  Kyu-Hee Han ,  Gil-heyun Choi ,  Jang-Hee Lee ,  Jong-Min Baek ,  Kyoung-Hee Kim

IPC分类号： H01L21/469 ,  H01L21/31 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76829 ,  H01L2221/1047

摘要： Example embodiments relate to a method of forming a hardened porous dielectric layer. The method may include forming a dielectric layer containing porogens on a substrate, transforming the dielectric layer into a porous dielectric layer using a first UV curing process to remove the porogens from the dielectric layer, and transforming the porous dielectric layer into a crosslinked porous dielectric layer using a second UV curing process to generate crosslinks in the porous dielectric layer.

摘要翻译： 示例性实施方案涉及形成硬化多孔介电层的方法。 该方法可以包括在衬底上形成含有致孔剂的电介质层，使用第一UV固化工艺将电介质层转化为多孔介电层，以从电介质层除去致孔剂，并将多孔电介质层转化成交联的多孔介电层 使用第二UV固化方法在多孔介电层中产生交联。

公开(公告)号：US20120083117A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US13238297

申请日：2011-09-21

申请人： Sang-Hoon Ahn ,  Byung-Hee Kim ,  Sang-Don Nam ,  Kyu-Hee Han ,  Gil-Heyun Choi ,  Jang-Hee Lee ,  Jong-Min Baek ,  Kyoung-Hee Kim

发明人： Sang-Hoon Ahn ,  Byung-Hee Kim ,  Sang-Don Nam ,  Kyu-Hee Han ,  Gil-Heyun Choi ,  Jang-Hee Lee ,  Jong-Min Baek ,  Kyoung-Hee Kim

IPC分类号： H01L21/314 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76829 ,  H01L2221/1047

摘要： Example embodiments relate to a method of forming a hardened porous dielectric layer. The method may include forming a dielectric layer containing porogens on a substrate, transforming the dielectric layer into a porous dielectric layer using a first UV curing process to remove the porogens from the dielectric layer, and transforming the porous dielectric layer into a crosslinked porous dielectric layer using a second UV curing process to generate crosslinks in the porous dielectric layer.

摘要翻译： 示例性实施方案涉及形成硬化多孔介电层的方法。 该方法可以包括在衬底上形成含有致孔剂的电介质层，使用第一UV固化工艺将电介质层转化为多孔介电层，以从电介质层除去致孔剂，并将多孔电介质层转化成交联的多孔介电层 使用第二UV固化方法在多孔介电层中产生交联。

公开(公告)号：US09224593B2

公开(公告)日：2015-12-29

申请号：US13242031

申请日：2011-09-23

申请人： Sang-Hoon Ahn ,  Kyu-Hee Han ,  Kyoung-Hee Kim ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Hee Kim ,  Sang-Don Nam

发明人： Sang-Hoon Ahn ,  Kyu-Hee Han ,  Kyoung-Hee Kim ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Hee Kim ,  Sang-Don Nam

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/312 ,  C25D1/08 ,  H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56

CPC分类号： H01L21/02203 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  C25D1/08 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047

摘要： The inventive concept provides porous, low-k dielectric materials and methods of manufacturing and using the same. In some embodiments, porous, low-k dielectric materials are manufactured by forming a porogen-containing dielectric layer on a substrate and then removing at least a portion of said porogen from the layer.

摘要翻译： 本发明构思提供了多孔，低k电介质材料及其制造和使用方法。 在一些实施方案中，通过在基材上形成含致孔剂的介电层，然后从该层除去至少一部分所述致孔剂来制造多孔低k电介质材料。

公开(公告)号：US20120178253A1

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：US13242031

申请日：2011-09-23

申请人： Sang-Hoon Ahn ,  Kyu-Hee Han ,  Kyoung-Hee Kim ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Hee Kim ,  Sang-Don Nam

发明人： Sang-Hoon Ahn ,  Kyu-Hee Han ,  Kyoung-Hee Kim ,  Gil-Heyun Choi ,  Byung-Hee Kim ,  Sang-Don Nam

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02203 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  C25D1/08 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047

摘要： The inventive concept provides porous, low-k dielectric materials and methods of manufacturing and using the same. In some embodiments, porous, low-k dielectric materials are manufactured by forming a porogen-containing dielectric layer on a substrate and then removing at least a portion of said porogen from the layer.

摘要翻译： 本发明构思提供了多孔，低k电介质材料及其制造和使用方法。 在一些实施方案中，通过在基材上形成含致孔剂的介电层，然后从该层除去至少一部分所述致孔剂来制造多孔低k电介质材料。

公开(公告)号：US08736018B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US13314575

申请日：2011-12-08

申请人： Kyoung-Hee Kim ,  Gil-Heyun Choi ,  Kyu-Hee Han ,  Byung-Lyul Park ,  Byung-Hee Kim ,  Sang-Hoon Ahn ,  Kwang-Jin Moon

发明人： Kyoung-Hee Kim ,  Gil-Heyun Choi ,  Kyu-Hee Han ,  Byung-Lyul Park ,  Byung-Hee Kim ,  Sang-Hoon Ahn ,  Kwang-Jin Moon

IPC分类号： H01L21/764 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： A semiconductor device comprises a top surface having a first contact, a bottom surface having a second contact, a via hole penetrating a substrate, an insulation layer structure on a sidewall of the via hole, the insulation layer structure having an air gap therein, a through electrode having an upper surface and a lower surface on the insulation layer structure, the through electrode filling the via hole and the lower surface being the second contact, and a metal wiring electrically connected to the upper surface of the through electrode and electrically connected to the first contact.

摘要翻译： 半导体器件包括具有第一触点的顶表面，具有第二触点的底表面，穿透基板的通孔，在通孔的侧壁上的绝缘层结构，其中具有气隙的绝缘层结构， 所述贯通电极在所述绝缘层结构上具有上表面和下表面，所述贯通电极填充所述通孔，所述下表面是所述第二接触，以及金属布线，电连接到所述通孔的上表面，并电连接到 第一次接触。

公开(公告)号：US08404579B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12960150

申请日：2010-12-03

申请人： Sang-Hoon Ahn ,  Gil-Heyun Choi ,  Jong-Myeong Lee ,  Sang-Don Nam ,  Kyu-Hee Han

发明人： Sang-Hoon Ahn ,  Gil-Heyun Choi ,  Jong-Myeong Lee ,  Sang-Don Nam ,  Kyu-Hee Han

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A fuse base insulating region, for example, an insulating interlayer or a compensation region disposed in an insulating interlayer, is formed on a substrate. An etch stop layer is formed on the fuse base insulating region and forming an insulating interlayer having a lower dielectric constant than the first fuse base insulating region on the etch stop layer. A trench extending through the insulating interlayer and the etch stop layer and at least partially into the fuse base insulating region is formed. A fuse is formed in the trench. The fuse base insulating region may have a greater mechanical strength and/or density than the second insulating interlayer.

摘要翻译： 在衬底上形成熔丝基底绝缘区域，例如绝缘中间层或设置在绝缘中间层中的补偿区域。 在熔丝基底绝缘区上形成蚀刻停止层，形成绝缘中间层，该绝缘中间层的介电常数比蚀刻停止层上的第一熔丝基底绝缘区低。 形成了延伸穿过绝缘中间层和蚀刻停止层并且至少部分地进入熔丝基底绝缘区域的沟槽。 在沟槽中形成熔丝。 保险丝座绝缘区域可具有比第二绝缘中间层更大的机械强度和/或密度。

公开(公告)号：US20110136332A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：US12960150

申请日：2010-12-03

申请人： Sang-Hoon Ahn ,  Gil-Heyun Choi ,  Jong-Myeong Lee ,  Sang-Don Nam ,  Kyu-Hee Han

发明人： Sang-Hoon Ahn ,  Gil-Heyun Choi ,  Jong-Myeong Lee ,  Sang-Don Nam ,  Kyu-Hee Han

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A fuse base insulating region, for example, an insulating interlayer or a compensation region disposed in an insulating interlayer, is formed on a substrate. An etch stop layer is formed on the fuse base insulating region and forming an insulating interlayer having a lower dielectric constant than the first fuse base insulating region on the etch stop layer. A trench extending through the insulating interlayer and the etch stop layer and at least partially into the fuse base insulating region is formed. A fuse is formed in the trench. The fuse base insulating region may have a greater mechanical strength and/or density than the second insulating interlayer.

摘要翻译： 在衬底上形成熔丝基底绝缘区域，例如绝缘中间层或设置在绝缘中间层中的补偿区域。 在熔丝基底绝缘区上形成蚀刻停止层，形成绝缘中间层，该绝缘中间层的介电常数比蚀刻停止层上的第一熔丝基底绝缘区低。 形成了延伸穿过绝缘中间层和蚀刻停止层并且至少部分地进入熔丝基底绝缘区域的沟槽。 在沟槽中形成熔丝。 保险丝座绝缘区域可具有比第二绝缘中间层更大的机械强度和/或密度。

公开(公告)号：US20110263117A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US13094342

申请日：2011-04-26

申请人： Sang-Don Nam ,  Sang-Hoon Ahn ,  Byung-Hee Kim ,  Kyu-Hee Han

发明人： Sang-Don Nam ,  Sang-Hoon Ahn ,  Byung-Hee Kim ,  Kyu-Hee Han

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/2686 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76886 ,  H01L2221/1047

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device and an apparatus for manufacturing a semiconductor device in which moisture is removed from a porous low-dielectric layer after a chemical mechanical polishing (CMP) process include formation of a porous low-dielectric layer on a substrate. A metal interconnection is formed on the substrate having the porous low-dielectric layer. The metal interconnection forms a planar surface with the porous low-dielectric layer to fill the openings. Ultraviolet (UV) light is irradiated to the porous low-dielectric layer to remove absorbed moisture from the porous low-dielectric layer. A capping layer is formed on the substrate having the porous low-dielectric layer and the metal interconnection. The capping layer is formed in-situ to prevent additional absorption of moisture.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法和用于制造在化学机械抛光（CMP）工艺之后从多孔低电介质层去除水分的半导体器件的设备包括在衬底上形成多孔低电介质层。 在具有多孔低电介质层的基板上形成金属互连。 金属互连形成具有多孔低介电层的平坦表面以填充开口。 将紫外（UV）光照射到多孔低电介质层，以从多孔低介电层去除吸收的水分。 在具有多孔低电介质层和金属互连的基板上形成覆盖层。 封盖层原位形成以防止额外吸收水分。

公开(公告)号：US08786058B2

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：US13289576

申请日：2011-11-04

申请人： Kyu-Hee Han ,  Byung-Lyul Park ,  Byunghee Kim ,  Sanghoon Ahn ,  Sangdon Nam ,  Kyoung-Hee Kim

发明人： Kyu-Hee Han ,  Byung-Lyul Park ,  Byunghee Kim ,  Sanghoon Ahn ,  Sangdon Nam ,  Kyoung-Hee Kim

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/76802 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06182 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A semiconductor device is provided. The semiconductor device includes a substrate having a via hole comprised of a first region having a first width and a second region having a second width greater than the first width, wherein at least a portion of the substrate is exposed in the via hole, and an insulating region having an air gap spaced apart from and surrounding the first region of the via hole.

摘要翻译： 提供半导体器件。 半导体器件包括具有通孔的衬底，该通孔由具有第一宽度的第一区域和具有大于第一宽度的第二宽度的第二区域组成，其中衬底的至少一部分暴露在通孔中， 绝缘区域具有与通孔的第一区域间隔开并围绕通孔的第一区域的气隙。

公开(公告)号：US20160225658A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：US15093408

申请日：2016-04-07

申请人： Kyu-Hee Han ,  Sanghoon Ahn

发明人： Kyu-Hee Han ,  Sanghoon Ahn

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L23/528 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit device includes spaced apart conductive patterns on a substrate surface, and a supporting pattern on the substrate surface between adjacent ones of the conductive patterns and separated therefrom by respective gap regions. The adjacent ones of the conductive patterns extend away from the substrate surface beyond a surface of the supporting pattern therebetween. A capping layer is provided on respective surfaces of the conductive patterns and the surface of the supporting pattern. Related fabrication methods are also discussed.

摘要翻译： 集成电路器件在衬底表面上包括间隔开的导电图案，以及在相邻的导电图案之间的衬底表面上的支撑图案，并且由相应的间隙区域分离。 相邻的导电图案远离基板表面延伸超过其间的支撑图案的表面。 在导电图案和支撑图案的表面的相应表面上设置覆盖层。 还讨论了相关的制造方法。