公开(公告)号：WO2015183959A1

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：PCT/US2015/032679

申请日：2015-05-27

Applicant: INVENSAS CORPORATION

Inventor： WOYCHIK, Charles, G. ,  SITARAM, Arkalgud, R. ,  CAO, Andrew ,  LEE, Bong-Sub

IPC: H01L23/00 ,  H01L25/16

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/29 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3731 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13193 ,  H01L2224/14155 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/014

Abstract: A method of forming a semiconductor package (250)comprises forming one or more first vias (104) in a first side (112) of a substrate (102) and attaching a first side (124) of a first microelectronic element (122) to the first side of the substrate (102). The first microelectronic element (122) is electrically coupled to at least one of the one or more first vias (104). The method further comprise obtaining a second microelectronic element (202) including one or more second vias (207) in a first side (204) of the second microelectronic element (202), and attaching a second side (114) of the substrate (102) to the first side (204) of the second microelectronic element (202). The second microelectronic element (202) is electrically coupled to at least one of the one or more first vias (104). Each of one or more connecting elements (208) has a first end (208a) attached to a first side (204) of the second microelectronic element (202) and a second end (208b) extends beyond a second side of the first microelectronic element (122).

Abstract translation: 形成半导体封装（250）的方法包括在衬底（102）的第一侧（112）中形成一个或多个第一通孔（104），并将第一微电子元件（122）的第一侧（124）附接到 衬底（102）的第一侧。 第一微电子元件（122）电耦合到一个或多个第一通孔（104）中的至少一个。 该方法还包括获得在第二微电子元件（202）的第一侧（204）中包括一个或多个第二通孔（207）的第二微电子元件（202），以及附接基板（102）的第二侧 ）到第二微电子元件（202）的第一侧（204）。 第二微电子元件（202）电耦合到一个或多个第一通孔（104）中的至少一个。 一个或多个连接元件（208）中的每一个具有连接到第二微电子元件（202）的第一侧（204）的第一端（208a），并且第二端（208b）延伸超出第一微电子元件 （122）。

公开(公告)号：WO2014157471A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/JP2014/058772

申请日：2014-03-27

Applicant: 古河電気工業株式会社

Inventor： 佐野　透 ,  杉山　二朗 ,  矢吹　朗

IPC: C09J7/02 ,  C09J4/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/385 ,  C09J2203/326 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377

Abstract: 拡張によって接着剤層を分断する工程に適した均一拡張性とピックアップ性を有し、かつブレードダイシング工程における切削性とピックアップ性にも優れるウエハ加工用テープを提供することを課題とする。基材フィルムの一方の面に粘着剤層が積層され、前記粘着剤層の前記基材フィルム側の表面から厚さ１μｍの領域の赤外吸収分析による４０００～６５０ｃｍ －１ の赤外スペクトルと、前記粘着剤層の前記基材フィルム側とは反対側の表面から厚さ１μｍの領域の赤外スペクトルとを比較した際のヒット率が９５％以下であり、前記基材フィルム側とは反対側の表面から厚さ１μｍの領域の粘着剤層が、分子中に放射線硬化性炭素－炭素二重結合を有する化合物（Ａ）と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂およびエポキシ樹脂から少なくとも１種選ばれる化合物（Ｂ）とを含有していることを特徴とする粘着テープを用いる。

Abstract translation: 本发明解决了提供具有均匀膨胀性和拾取性能的晶片加工带的问题，它们均适用于通过膨胀分段粘合剂层的工艺，并且具有优异的切割性能和拾取性能 刀片切割工艺。 使用粘合带，其特征在于，在基膜的一个表面上层压粘合剂层，通过比较在4000至650cm -1的范围内的红外光谱的比较确定的命中率，如通过 位于基膜侧表面和粘合剂层的厚度方向观察到的表面1μm以下的区域中的区域的红外光谱，与位于与基底相对的表面之间的区域 粘合剂层的厚度方向观察到的表面1μm以下的区域为95％以下，位于与基膜侧表面相对的表面和 在粘合剂层中沿厚度方向观察到的1μm以下的区域含有（A）分子中具有可放射线固化性碳 - 碳双键的化合物，（B）至少一种选自多异氰酸酯共聚物的化合物 三聚氰胺 - 甲醛树脂和环氧树脂。

公开(公告)号：WO2013061931A1

公开(公告)日：2013-05-02

申请号：PCT/JP2012/077252

申请日：2012-10-22

Applicant: 古河電気工業株式会社

Inventor： 阿久津　晃

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J133/00 ,  C09J133/08

CPC classification number: C09J133/08 ,  C08F2222/1026 ,  C09J4/06 ,  C09J7/385 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68381 ,  C08F220/14 ,  C08F2220/1858 ,  C08F220/06 ,  C08F220/20

Abstract: 本発明では、半導体ウェハをダイシング処理する工程においてウェハを十分に保持する粘着力を有し、かつ、パッケージダイシング後に、個片化されたパッケージのトレーや装置への貼着等を発生させない、半導体加工用ダイシング粘着テープを提供することを目的とする。本発明は、基材フィルムの少なくとも片面に、放射線硬化型の粘着剤層が形成されてなり、前記粘着剤層は、ベースポリマーとしてアクリル系重合体を含有する樹脂組成物から構成され、前記粘着剤層の厚さは、１０～３０μｍであり、前記粘着剤層の、ＪＩＳ　Ｚ０２３７に基づくＳＵＳ３０４に対する放射線照射後の粘着力が、９０°引き剥がし試験を行ったときに１．０～２．０Ｎ／２５ｍｍテープ幅であり、かつ前記粘着剤層の、大気雰囲気下条件での放射線照射後のプローブタックのピーク強度が５０～１５０ｍＮ／ｍｍ ２ であることを特徴とする半導体加工用ダイシングテープを提供する。

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于加工半导体的切割粘合带，该带具有在晶片上进行切割的过程中充分保持半导体晶片的粘合强度，而不会引起诸如粘附到装置或托盘 的包裹切割后已经碎片化的包装。 本发明提供了一种半导体加工用切割带，其特征在于，在基材膜的至少一个表面上形成辐射固化粘合剂层; 粘合膜包含含有作为基础聚合物的丙烯酸类聚合物的树脂组合物; 粘合膜的厚度为10〜30μm; 当进行90°剥离试验时，在照射基于JIS Z0237的SUS304的SUS304的粘合层的粘合强度为1.0〜2.0N / 25mm的带宽度; 并且在空气大气条件下用辐射照射后的粘合剂层的探针粘度的峰值强度为50〜150mN / mm 2。

公开(公告)号：WO2011079170A2

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：PCT/US2010/061725

申请日：2010-12-22

Applicant: SUSS MICROTEC, INC., ,  HERMANOWSKI, James

Inventor： HERMANOWSKI, James

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67745 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68742 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2924/30105 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/15 ,  Y10T156/1944

Abstract: An improved apparatus for debonding temporary bonded wafers includes a debonder, a cleaning module and a taping module. A vacuum chuck is used in the debonder for holding the debonded thinned wafer and remains with the thinned debonded wafer during the follow up processes steps of cleaning and mounting onto a dicing tape. In one embodiment the debonded thinned wafer remains onto the vacuum chuck and is moved with the vacuum chuck into the cleaning module and then the taping module. In another embodiment the debonded thinned wafer remains onto the vacuum chuck and first the cleaning module moves over the thinned wafer to clean the wafer and then the taping module moves over the thinned wafer to mount a dicing tape onto the wafer.

Abstract translation: 用于剥离临时粘合晶片的改进的装置包括剥离器，清洁模块和胶带模块。 在脱粘器中使用真空吸盘来保持脱粘的薄化晶片，并且在清洁和安装到切割带上的后续处理步骤期间保持与变薄的脱粘晶片。 在一个实施例中，剥离的薄化晶片保留在真空卡盘上，并且随着真空卡盘移动到清洁模块中，然后移动到胶带模块。 在另一个实施例中，脱粘的薄化晶片保留在真空卡盘上，并且首先清洁模块在薄的晶片上移动以清洁晶片，然后胶带模块在薄的晶片上移动以将切割带安装到晶片上。

公开(公告)号：WO2011025894A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：PCT/US2010/046855

申请日：2010-08-26

Applicant: QUALCOMM Incorporated ,  CHANDRASEKARAN, Arvind ,  HENDERSON, Brian M.

Inventor： CHANDRASEKARAN, Arvind ,  HENDERSON, Brian M.

IPC: H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L21/60 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14051 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/83

Abstract: A semiconductor manufacturing process for wafer-to-wafer stacking of a reconstituted wafer with a second wafer creates a stacked (3D) IC. The reconstituted wafer includes dies, die interconnects and mold compound. When stacked, the die interconnects of the reconstituted wafer correspond to die interconnects on the second wafer. Wafer-to-wafer stacking improves throughput of the manufacturing process. The reconstituted wafer may include dies of different sizes than those in the second wafer. Also, the dies of the reconstituted wafer may be singulated from a wafer having a different size than the second wafer. Thus, this wafer-to-wafer manufacturing process may combine dies and/or wafers of dissimilar sizes.

Abstract translation: 用于与第二晶片重构的晶片的晶片与晶片的堆叠的半导体制造工艺产生堆叠的（3D）IC。 复原晶片包括模具，模具互连和模具化合物。 堆叠时，重构晶片的管芯互连对应于第二晶片上的管芯互连。 晶圆到晶片堆叠提高了制造工艺的生产率。 重构的晶片可以包括与第二晶片中的尺寸不同的模具。 此外，重构晶片的管芯可以从具有与第二晶片不同的尺寸的晶片分离。 因此，这种晶片到晶片的制造工艺可以组合不同尺寸的模具和/或晶片。

公开(公告)号：WO2010045754A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：PCT/CN2008/001790

申请日：2008-10-23

Applicant: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. ,  GAO, Wei ,  AMRINE, Craig, S. ,  GONG, Zhiwei ,  HAYES, Scott, M. ,  KESER, Lizabeth, Ann ,  LEAL, George, R. ,  LYTLE, William, H.

Inventor： GAO, Wei ,  AMRINE, Craig, S. ,  GONG, Zhiwei ,  HAYES, Scott, M. ,  KESER, Lizabeth, Ann ,  LEAL, George, R. ,  LYTLE, William, H.

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L21/301 ,  H01L21/70 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67092 ,  H01L21/568 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68322 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: Methods for forming electronic assemblies are provided. A device substrate (50) having a plurality of electronic components (42) embedded therein is provided. The device substrate (50) is attached to a carrier substrate (54) using an adhesive material (56). A plurality of cuts (68) are formed through the device substrate (50) to divide the device substrate into a plurality of portions (70). Each of the plurality of portions (70) includes at least one of the electronic components (42). A force is applied to each of the plurality of portions in a direction away from the carrier substrate (54) to remove the plurality of portions (70) from the carrier substrate (54).

Abstract translation: 提供了形成电子组件的方法。 提供具有嵌入其中的多个电子部件（42）的器件基板（50）。 使用粘合剂材料（56）将器件衬底（50）附接到载体衬底（54）。 通过装置基板（50）形成多个切口（68），以将装置基板分成多个部分（70）。 多个部分（70）中的每一个包括电子部件（42）中的至少一个。 在远离载体基板（54）的方向上对多个部分中的每一个施加力，以从载体基板（54）移除多个部分（70）。

公开(公告)号：WO2006043901A1

公开(公告)日：2006-04-27

申请号：PCT/SG2004/000346

申请日：2004-10-21

Applicant: ADVANCED SYSTEMS AUTOMATION LIMITED ,  LAU, Tay, Hock ,  LIU, Fulin ,  CHEW, Hwee, Seng, Jimmy

Inventor： LAU, Tay, Hock ,  LIU, Fulin ,  CHEW, Hwee, Seng, Jimmy

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00

Abstract: An apparatus and method for separating at least one semiconductor package (504) formed on a substrate and a tape (302) removably adhered to the semiconductor package (504) are disclosed. The apparatus comprises a transferring unit (702) for engaging and displacing the semiconductor package (504) and a station (700) for disposing the semiconductor package (504) and the tape (302) thereon and for securing the tape (302). The semiconductor package (504) and the tape (302) are separable by initially the station (700) securing the tape (302) and providing thermal energy to the tape (302) for reducing the adhesion whereby the tape (302) is removably adhered to the semiconductor package (504) and subsequently the station (700) securing the tape (302) and the transferring unit (702) securing and displacing the semiconductor package (504) from the tape (302).

Abstract translation: 公开了一种用于分离形成在基板上的至少一个半导体封装（504）和可移除地粘附到半导体封装（504）的带（302）的装置和方法。 该装置包括用于接合和移位半导体封装（504）的转移单元（702）和用于在其上设置半导体封装（504）和带（302）并用于固定带（302）的工位（700）。 半导体封装（504）和带（302）可以通过最初固定带（302）的工位（700）并且为带（302）提供热能来分离，以减少粘合，由此带（302）可移除地粘附 到所述半导体封装（504）并且随后固定所述带（302）和所述传送单元（702）的所述站（700）固定和移动所述半导体封装（504）与所述带（302）。

公开(公告)号：WO2006025405A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：PCT/JP2005/015794

申请日：2005-08-30

Applicant: 東洋通信機株式会社 ,  田邊 直樹 ,  吉留 耕平

Inventor： 田邊 直樹 ,  吉留 耕平

IPC: B65D85/86 ,  H01L21/683 ,  H01L21/673

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L2221/68331 ,  Y10T29/53274

Abstract: 　大面積のウェハをダイシングすることによって得た個片を梱包する過程で従来発生していた個片の破損、ゴミの発生、梱包作業に際しての手数の増大等という不具合を一挙に解決することができるシート状ウェハのダイシング及び梱包方法、並びにウェハの梱包物を提供する。洗浄を受けたウェハ１の片面にダイシングテープ２を接着した状態で他面側からウェハを個片にダイシングするダイシング工程と、ウェハの他面に熱剥離テープ３を接着する熱剥離テープ接着工程と、ダイシングテープ剥離工程と、熱剥離テープを加熱して接着力を低下させる加熱工程と、ウェハの片面に第１の保護シートテープ４を接着する第１の保護シートテープ接着工程と、熱剥離テープ剥離工程と、ウェハの他面から外観検査を行う外観検査工程と、外観検査工程を完了したウェハの他面に第２の保護シートテープ５を接着する第２の保護シートテープ接着工程と、から成る。

Abstract translation: 提供一种片状晶片和晶片封装物的切割和包装方法，用于简单地解决在通过对大面积晶片进行切割而获得的碎片的包装过程中产生的常规问题，例如碎片的碎裂， 增加包装麻烦的操作。 该方法由切割工艺组成，其中在切割胶带（2）粘附在清洁晶片（1）的一个平面上的状态下，将晶片从另一个平面切成块; 热剥离胶带粘合工艺，其中热剥离带（3）粘附在晶片的另一平面上; 切割胶带剥离工艺; 加热方法，其中加热剥离带以降低粘合力; 第一保护片带粘合工艺，其中第一保护片带（4）粘附在晶片的一个平面上; 热剥离胶带剥离工艺; 视觉检查过程，其中从晶片的另一个平面进行目视检查; 以及第二保护片带粘合方法，其中在目视检查过程完成之后第二保护片带（5）粘附在晶片的另一平面上。

公开(公告)号：WO2005087887A1

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：PCT/JP2005/003067

申请日：2005-02-18

Applicant: 日東電工株式会社 ,  有満 幸生 ,  村田 秋桐 ,  岸本 知子

Inventor： 有満 幸生 ,  村田 秋桐 ,  岸本 知子

IPC: C09J7/02

CPC classification number: H01L21/6835 ,  C09J5/08 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/11 ,  C09J2205/302 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  Y10T428/14 ,  Y10T428/1405 ,  Y10T428/1476 ,  Y10T428/28 ,  Y10T428/2809 ,  Y10T428/2813

Abstract: 加圧工程での加圧による粘着層の変形を防止することができ、加工後は、容易に加工品を剥離させることができる加熱剥離型粘着シートを得る。加熱剥離型粘着シートは、基材の少なくとも一方の面に発泡剤を含有する熱膨張性粘着層が形成された加熱剥離型粘着シートであって、熱膨張性粘着層の未発泡状態におけるせん断弾性率（２３℃）が、７×１０ ６ Ｐａ以上であることを特徴とする。さらに、熱膨張性粘着層の未発泡状態におけるせん断弾性率（９５℃）が、７×１０ ６ Ｐａ未満であることが好ましい。また、熱膨張性粘着層中の発泡剤の発泡開始温度が８０℃を超えていることが好ましい。

Abstract translation: 通过在压制工序中的压制，可以防止粘合剂层发生变形的热剥离性粘合片，经处理后能够使处理后的工件容易地分离。 可热剥离性粘合片包括基材，并且在其至少一面形成含有发泡剂的热膨胀性压敏粘合剂层，其特征在于，所述热膨胀性压敏粘合剂层 在未发泡状态下，剪切模量（23℃）为7×10 6 Pa以上。 未发泡状态的热膨胀性压敏粘合剂层的剪切模量（95℃）优选为7×10 6 Pa以下，另外，热膨胀性压敏粘合剂层中所含的发泡剂优选具有 吹制起始温度超过80℃。

公开(公告)号：WO02029853A2

公开(公告)日：2002-04-11

申请号：PCT/NL2001/000736

申请日：2001-10-05

IPC: B23K26/03 ,  B23K26/40 ,  H01L21/00 ,  H01L21/56 ,  H01L21/66 ,  H01L

CPC classification number: H01L24/97 ,  B23K26/034 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/40 ,  B23K2201/42 ,  B23K2203/08 ,  B23K2203/12 ,  B23K2203/16 ,  B23K2203/18 ,  B23K2203/42 ,  B23K2203/50 ,  B23K2203/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/67092 ,  H01L22/20 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: A method and device for cutting a composite structure (1) comprising one or more electronic components (3), in particular integrated circuits, the method using a laser (9), wherein during the cutting of the material of the composite structure (1), a physical quantity relating to the cutting is measured and wherein the power of the laser (9) is adjusted depending on that quantity. The invention further comprises a method for testing ICs accomodated in a composite structure.

Abstract translation: 一种用于切割包括一个或多个电子部件（3）的复合结构（1）的方法和装置，特别是集成电路，使用激光（9）的方法，其中在复合结构（1）的材料的切割期间， 测量与切割有关的物理量，并且其中根据该量调节激光（9）的功率。 本发明还包括用于测试复合结构中容纳的IC的方法。