公开(公告)号：WO2014015912A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：PCT/EP2012/064736

申请日：2012-07-26

申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH ,  WIMPLINGER, Markus

发明人： WIMPLINGER, Markus

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/83 ,  B32B37/24 ,  B32B38/0008 ,  B32B2037/243 ,  B32B2037/246 ,  B32B2457/14 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/407 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/29287 ,  H01L2224/29394 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83012 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0531 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/00

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten, zumindest überwiegend transparenten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten, zumindest überwiegend transparenten Substrats (2), wobei an mindestens einer der Kontaktflächen zum Bonden ein Oxid verwendet wird, aus dem eine zumindest überwiegend transparente Verbindungsschicht ( 14) mit: einer elektrischen Leitfähigkeit von mindestens 10e1 S/cm 2 (Messung: Vierpunktmethode, bezogen auf Temperatur von 300K) und einem optischen Transmissionsgrad größer 0,8 (für einen Wellenlängenbereich von 400 nm bis 1500 nm) an der ersten und zweiten Kontaktfläche (3, 4) ausgebildet wird.

摘要翻译： 本发明涉及一种接合第一接触表面的方法（3）的第一，至少基本上透明的基板（1）具有第二接触表面（4）的第二的，至少基本上透明的基板（2），其中，所述用于接合的接触表面的至少一个 使用氧化物，从其中至少主要透明粘接层（14），包括：至少10E1 S / cm 2的导电性（测量：四点基于的300K温度的方法），和光透射比大于0.8（为一个波长范围内的 在第一和第二接触表面（3 400纳米至1500纳米），4形成）。

公开(公告)号：WO2013167614A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：PCT/EP2013/059528

申请日：2013-05-07

申请人： HERAEUS MATERIALS TECHNOLOGY GMBH & CO. KG

发明人： MILKE, Eugen ,  PRENOSIL, Peter ,  THOMAS, Sven

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/49 ,  H01B1/02

CPC分类号： H01L24/48 ,  B21C1/003 ,  B21C9/00 ,  B32B15/01 ,  H01B1/023 ,  H01B1/026 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L25/165 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45033 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20643 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/2075 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T428/1275 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01049

摘要： The invention relates to a ribbon, preferably a bonding ribbon for bonding in microelectronics, comprising a first layer (2) comprising copper with a surface and at least a coating layer (3) superimposed over the surface of the first layer (2), wherein the coating layer (3) comprises aluminium, and an intermediate layer (7), wherein in a cross-sectional view of the ribbon the area share of the first layer (2) is in the range of from 50 to 96 %, based on the total area of the cross-section of the ribbon, wherein the aspect ratio between the width and the height of the ribbon in a cross-sectional view is in the range of from 0.03 to less than 0.8, wherein the ribbon has a cross-sectional area in the range of from 25Ό00 μιη 2 to 800Ό00 μιη 2 , wherein the intermediate layer (7) is arranged between the first layer (2) and the coating layer (7), wherein the intermediate layer (7) comprises at least one intermetallic phase comprising material of the first layer (2) and material of the coating layer (3). The invention further relates to a process for making a wire, to a wire obtainable by said process, to an electric device comprising at least two elements and at least aforementioned wire, to a propelled device comprising said electric device and to a process of connecting two elements through aforementioned wire by wedge-bonding.

摘要翻译： 本发明涉及一种带状物，优选用于在微电子学中粘合的结合带，其包含第一层（2），该第一层（2）包括具有表面的铜和至少覆盖在第一层（2）的表面上的涂层（3），其中 所述涂层（3）包括铝和中间层（7），其中在所述带的横截面视图中，基于所述第一层（2）的面积份额在50至96％的范围内，基于 所述带的横截面的总面积，其中所述带的宽度和高度之间的纵横比在横截面视图中在0.03至小于0.8的范围内，其中所述带具有横截面， 其中中间层（7）布置在第一层（2）和涂层（7）之间，其中中间层（7）包括在第二层（7）和第二层 至少一个包含第一层（2）和m的材料的金属间相 涂覆层（3）的空隙。 本发明还涉及一种用于将线材制成的方法，可由所述方法获得的线材包括至少包括两个元件和至少前述的线材的电气设备，该电气设备包括所述电气设备的推进设备和连接两个 元件通过上述丝线通过楔形键合。

公开(公告)号：WO2014015912A9

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：PCT/EP2012064736

申请日：2012-07-26

申请人： EV GROUP E THALLNER GMBH ,  WIMPLINGER MARKUS

发明人： WIMPLINGER MARKUS

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/83 ,  B32B37/24 ,  B32B38/0008 ,  B32B2037/243 ,  B32B2037/246 ,  B32B2457/14 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/086 ,  C23C16/40 ,  C23C16/403 ,  C23C16/407 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L31/18 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/29287 ,  H01L2224/29394 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/75101 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83002 ,  H01L2224/83011 ,  H01L2224/83012 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0531 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention relates to a method for bonding a first contact area (3) of a first, at least predominantly transparent substrate (1) to a second contact area (4) of a second, at least predominantly transparent substrate (2) wherein an oxide is used at at least one of the contact areas for bonding, from which oxide an at least predominantly transparent connecting layer (14) having: an electrical conductivity of at least 10e1 S/cm2 (measurement: four-point method, relative to temperature of 300K) and an optical transmittance of greater than 0.8 (for a wavelength range of 400 nm to 1500 nm) is formed at the first and second contact areas (3 4).

摘要翻译： 本发明涉及一种接合第一接触表面的方法（3）的第一，至少基本上透明的基板（1）具有第二接触表面（4）的第二的，至少基本上透明的基板（2），其中，所述用于接合的接触表面的至少一个 使用氧化物，从其中至少主要透明粘接层（14），包括：至少10E1 S / cm 2的导电性（测量：四点基于的300K温度的方法），和光透射比大于0.8（为一个波长范围内的 400纳米至1500纳米）形成在第一和第二接触表面（3,4）上。

公开(公告)号：WO2012100786A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：PCT/EP2011/000299

申请日：2011-01-25

申请人： EV GROUP E. THALLNER GmbH ,  PLACH, Thomas ,  HINGERL, Kurt ,  WIMPLINGER, Markus ,  FLÖTGEN, Christoph

发明人： PLACH, Thomas ,  HINGERL, Kurt ,  WIMPLINGER, Markus ,  FLÖTGEN, Christoph

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/70 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten Substrats (2) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Ausbildung eines Reservoirs (5) in einer Oberflächenschicht (6) an der ersten Kontaktfläche (3), - zumindest teilweises Auffüllen des Reservoirs (5) mit einem ersten Edukt oder einer ersten Gruppe von Edukten, - Kontaktieren der ersten Kontaktfläche (3) mit der zweiten Kontaktfläche (4) zur Ausbildung einer Pre-Bond-Verbindung, - Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen der ersten und zweiten Kontaktfläche (3, 4), zumindest teilweise verstärkt durch Reaktion des ersten Edukts mit einem in einer Reaktionsschicht (7) des zweiten Substrats enthaltenen zweiten Edukt.

摘要翻译： 本发明涉及粘合的第一接触表面（3）的第一基板（1）具有第二接触表面（4）的第二基板（2）包括以下步骤的方法，尤其是以下序列： - 形成的贮存器（5）在一个 第一接触表面（3）上的表面层（6）， - 至少部分地填充（5）具有第一反应物或起始材料的第一组，储存器 - 第一接触表面接触（3）与所述第二接触表面（4），以形成一个 预键合连接， - 在形成第一和第二接触表面（3,4），至少部分地由所述第二反应物的第二基板（7）包含有在反应层中的第一反应物的反应增强之间的永久粘结的。

公开(公告)号：WO2015128399A2

公开(公告)日：2015-09-03

申请号：PCT/EP2015053984

申请日：2015-02-26

申请人： COMMISSARIAT L ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

发明人： GONDCHARTON PAUL ,  BENAISSA LAMINE ,  IMBERT BRUNO ,  MORICEAU HUBERT

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/98 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/185 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/2755 ,  H01L2224/27845 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/80055 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/8083 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/8092 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01017 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/049 ,  H01L2924/00012

摘要： Process for producing a structure by direct adhesive bonding of two elements comprising the production of the elements to be assembled and the assembly of said elements, in which the production of the elements to be assembled comprises the steps: - deposition on a substrate of a TiN layer by physical vapour deposition, - deposition of a copper layer on the TiN layer, and in which the assembly of said elements comprises the steps: - polishing the surfaces of the copper layers intended to come into contact so that they have a roughness of less than 1 nm RMS and hydrophilic properties, - bringing said surfaces into contact, - storing said structure at atmospheric pressure and at ambient temperature.

摘要翻译： 用于通过直接粘合两种元件来生产结构的方法，包括要组装的元件的生产和所述元件的组装，其中要组装的元件的生产包括以下步骤： - 沉积在TiN的基底上 层，通过物理气相沉积， - 在TiN层上沉积铜层，并且其中所述元件的组件包括以下步骤： - 抛光用于接触的铜层的表面，使得它们具有较小的粗糙度 超过1nm的RMS和亲水性， - 使所述表面接触， - 在大气压和环境温度下储存所述结构。

公开(公告)号：WO2013094482A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：PCT/JP2012/082137

申请日：2012-12-12

申请人： 田中電子工業株式会社

发明人： 高田　満生 ,  山下　勉 ,  執行　裕之 ,  桑原　岳 ,  岡崎　純一 ,  斉藤　茂

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/45 ,  H01B1/026 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45573 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

摘要： 【課題】ボールボンディング用パラジウム被覆銅ワイヤにおいて、アルミニウム電極に対する接合信頼性を向上する。 【解決手段】パラジウム（Pd）中間層表面に厚さ5nm以下の極薄層からなる金（Au）層を形成し、水素を含む不活性雰囲気中で熱処理を行い、金極薄層に中間層のパラジウムが侵入して微細な金相とパラジウム相とが3次元成長するストランスキー・クラスタノフ成長により、金－パラジウム混在層を形成する。　熱処理過程でパラジウムは水素を吸収し、熱処理後急冷することにより、上記混在層のパラジウムを安定化し、溶融ボール形成時に早期に溶融してワイヤ端面を被覆する金に伴って端面に達したパラジウムが溶融して溶融ボール表面層に均一微細に分散して、アルミニウムとの接合界面におけるアルミニウムの酸化を抑制する。

摘要翻译： [问题]提高用于球接的钯包铜线中的铝电极的连接的可靠性。 [解决方案]在钯（Pd）中间层的表面形成包含厚度不大于5nm的超薄层的金（Au）层，并且在含氢的惰性气氛中进行热处理，导致 中间层的钯渗透超薄金层，通过Stranski-Krastanov生长形成金 - 钯混合层，使得微金相和钯相以三维生长。 在热处理过程中，钯吸收氢气，通过热处理后的快速冷却，混合层中的钯稳定，并且与在熔融球形成期间早期融化并覆盖线端表面的金一起， 已经到达端面的钯熔融并均匀分散在熔融的球表面层，抑制铝与铝的键合界面的氧化。

公开(公告)号：WO2010109693A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：PCT/JP2009/065227

申请日：2009-09-01

申请人： 田中電子工業株式会社 ,  山下 勉 ,  秋元 英行 ,  桑原 岳 ,  岡崎 純一

发明人： 山下　勉 ,  秋元　英行 ,  桑原　岳 ,  岡崎　純一

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： B23K35/302 ,  B23K35/0261 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/85469 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45657 ,  H01L2224/45671 ,  H01L2224/45666 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/20309 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01033

摘要： 　ボールボンディング用被覆銅ワイヤにおいて、引きちぎり後のボールアップに際してＣｕまたはＣｕ合金芯材の酸化による不都合を回避することができるボールボンディング用被覆銅ワイヤを提供する。銅－リン合金からなる芯材と、該芯材の上にパラジウムまたは白金からなる中間層と、該中間層の上に金からなる表皮層を有するボンディングワイヤであることを特徴とする被覆銅ワイヤである。

摘要翻译： 提供一种用于球接合的涂覆铜线，其中在撕裂之后，可以避免由于Cu或Cu合金芯材料的氧化造成的不便。 还提供了一种涂覆铜线，其特征在于，所述被覆铜线是具有由铜 - 磷合金构成的芯材，由芯材上形成的钯或铂构成的中间层的表面层和由 在中间层上形成金。

公开(公告)号：WO2005073434A1

公开(公告)日：2005-08-11

申请号：PCT/JP2005/000015

申请日：2005-01-05

申请人： 株式会社 日鉱マテリアルズ ,  新藤 裕一朗 ,  竹本 幸一

发明人： 新藤 裕一朗 ,  竹本 幸一

IPC分类号： C25C1/12

CPC分类号： C22B15/0086 ,  C25C1/12 ,  C25C7/06 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2924/00011 ,  H05K1/09 ,  Y02P10/236 ,  H01L2924/01208 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016

摘要： 　残留抵抗比が３８０００以上であり、純度が８Ｎ以上（但し、Ｏ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｓ、Ｐのガス成分を除く）であることを特徴とする超高純度銅。ガス成分であるＯ、Ｃ、Ｎ、Ｈ、Ｓ、Ｐの各元素が、１ｐｐｍ以下であることを特徴とする同超高純度銅。電解法により銅を高純度化する際に、アノードとカソードを陰イオン交換膜で仕切り、アノライトを間歇的又は連続的に抜き出して活性炭処理槽に導入し、該活性炭処理槽にて塩素含有物を添加し不純物を塩化物として析出させ、続いて活性炭を投入攪拌して前記析出した不純物を吸着させ、これを濾過により除去し、得られた高純度銅電解液をカソード側に、間歇的又は連続的に導入し電解することを特徴とする超高純度銅の製造方法。不純物が多く含有される銅原料から、銅含有溶液を用いて電解することにより、純度８Ｎ（９９．９９９９９９ｗｔ％）以上の超高純度銅を効率的に製造する技術及びそれによって得られた超高純度銅を提供する。

摘要翻译： 特征在于具有38,000以上的残留电阻率和8N以上的纯度（排除O，C，N，H，S，P等气体成分）的超高纯度铜。 特别地，提供了如上所述的超高纯度铜，其特征在于，作为气体成分的O，C，N，H，S和P元素各自的含量为1ppm以下。 此外，提供了一种生产超高纯度铜的方法，其特征在于，在根据电解过程的铜的纯度增加中，阳极和阴极通过阴离子交换膜彼此分隔，阳极电解液 间歇地或连续地取出并引入活性炭处理容器中，其中加入含氯材料以便以氯化物沉淀任何杂质，随后加入和搅拌活性炭，从而吸附沉淀的杂质，除去吸附的杂质 通过过滤得到高纯度铜电解液，将得到的高纯度铜电解液间断地或连续地导入阴极侧，进行电解。 因此，可以提供一种通过电解含铜溶液从含有大量杂质的铜原料中有效地制备8N（99.999999重量％）或更高纯度的超高纯度铜的技术，并且提供了超高纯度 由此获得铜。

公开(公告)号：WO2016006326A1

公开(公告)日：2016-01-14

申请号：PCT/JP2015/064417

申请日：2015-05-20

申请人： 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 ,  日鉄住金マイクロメタル株式会社

发明人： 小山田　哲哉 ,  宇野　智裕 ,  出合　博之 ,  小田　大造

IPC分类号： C22C5/06 ,  C22F1/14 ,  H01L21/60 ,  C22F1/00

CPC分类号： H01L24/45 ,  C22C5/10 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45101 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45117 ,  H01L2224/45138 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45163 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2224/4554

摘要： 　高密度実装で要求される接合信頼性、スプリング性能、チップダメージ性能を満足することができるボンディングワイヤを提供する。ボンディングワイヤは、Ｉｎ，Ｇａ，Ｃｄの１種以上を総計で０．０５～５ａｔ．％含み、残部がＡｇおよび不可避不純物からなることを特徴とする。

摘要翻译： 提供能够满足高密度安装的接头可靠性，弹簧性能和切屑损伤性能要求的接合线。 接合线的特征在于，包括总共为0.05-5原子％的In，Ga和Cd中的至少一种，其余为Ag和不可避免的杂质。

公开(公告)号：WO2015074703A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：PCT/EP2013/074391

申请日：2013-11-21

申请人： HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG

发明人： LUKAS, Annette ,  WENZEL, Patrick ,  DEUSCHLE, Michael ,  MILKE, Eugen ,  THOMAS, Sven ,  SCHARF, Jürgen

IPC分类号： C23C26/00 ,  C23C18/08 ,  C23C30/00 ,  C23C14/00 ,  C23C16/00 ,  H01L21/00 ,  C23C18/02

CPC分类号： B23K35/40 ,  B23K20/007 ,  B23K20/10 ,  B23K35/0261 ,  B23K35/0272 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/302 ,  B23K35/322 ,  B23K35/404 ,  B23K2201/42 ,  C22F1/08 ,  C23C14/14 ,  C23C18/08 ,  C23C28/00 ,  C23C30/00 ,  C23F17/00 ,  C25D5/34 ,  C25D7/0607 ,  H01B1/026 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/745 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43823 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43826 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2224/45663 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45673 ,  H01L2224/45676 ,  H01L2224/45678 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/10287 ,  H05K2203/049 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12889 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033

摘要： The invention is related to a bonding wire, comprising a core (2) with a surface (15), wherein the core (2) comprises a core main component selected from the group consisting of copper and silver; and a coating layer (3) which is at least partially superimposed over the surface (15) of the core (2), wherein the coating layer (3) comprises a coating component selected from the group palladium, platinum, gold, rhodium, ruthenium, osmium and iridium, wherein the coating layer is applied on the surface of the core by means of depositing a film of a liquid onto a wire core precursor, wherein the liquid contains a coating component precursor, and wherein the deposited film is heated in order to decompose the coating component precursor into a metallic phase.

摘要翻译： 本发明涉及一种接合线，其包括具有表面（15）的芯（2），其中所述芯（2）包括选自铜和银的芯主要成分; 以及至少部分地叠置在所述芯（2）的表面（15）上的涂层（3），其中所述涂层（3）包括选自钯，铂，金，铑，钌的涂层组分 ，锇和铱，其中通过将液体膜沉积到芯芯前体上而将涂层施加在芯的表面上，其中液体包含涂料组分前体，并且其中沉积膜按顺序加热 以将涂料组分前体分解成金属相。