公开(公告)号：WO2015183884A2

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：PCT/US2015/032572

申请日：2015-05-27

申请人： INVENSAS CORPORATION

发明人： KATKAR, Rajesh ,  MIRKARIMI, Laura, Wills ,  SITARAM, Arkalgud, R. ,  WOYCHIK, Charles, G.

IPC分类号： H01L23/04

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L21/784 ,  H01L22/32 ,  H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1615 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16153 ,  H01L2924/16176 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/1632 ,  H01L2924/164 ,  H01L2924/167 ,  H01L2924/16788 ,  H01L2924/1679 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： An assembly with modules (110, 1310) containing integrated circuits and attached to a wiring substrate (120) is reinforced by one or more reinforcement frames (410) attached to the wiring substrate. The modules are located in openings (e.g. cavities and/or through-holes 414) in the reinforcement frame. Other features are also provided.

摘要翻译： 包含集成电路并附接到布线基板（120）的模块（110,1310）的组件由附接到布线基板的一个或多个加强框架（410）加强。 模块位于加强框架中的开口（例如空腔和/或通孔414）中。 还提供其他功能。

公开(公告)号：WO2011107484A1

公开(公告)日：2011-09-09

申请号：PCT/EP2011/053047

申请日：2011-03-01

申请人： SENSONOR TECHNOLOGIES AS ,  HOIVIK, Nils ,  STARK, Birger ,  ELFING, Anders ,  WANG, Kaiying

发明人： HOIVIK, Nils ,  STARK, Birger ,  ELFING, Anders ,  WANG, Kaiying

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/035 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/276 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/164 ,  Y10T428/12493 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

摘要： A metal inter-diffusion bonding method for forming hermetically sealed wafer-level packaging for MEMS devices, comprising the steps of: providing a stack of a first metal on a surface of both a first wafer and a second wafer, said first metal being susceptible to oxidation in air; providing a layer of a second metal, having a melting point lower than that of the first metal, on an upper surface of each stack of first metal, the layer of second metal being sufficiently thick to inhibit oxidation of the upper surface of the first metal; bringing the layer of second metal on the first wafer into contact with the layer of second metal on the second wafer to form a bond interface; and applying a bonding pressure to the first and second wafers at a bonding temperature lower than the melting point of the second metal to initiate a bond, the bonding pressure being sufficient to deform the layers of second metal at the bond interface.

摘要翻译： 一种用于形成用于MEMS器件的密封晶片级封装的金属互扩散接合方法，包括以下步骤：在第一晶片和第二晶片的表面上提供第一金属的堆叠，所述第一金属易于 在空气中氧化; 在第一金属叠层的上表面上提供熔点低于第一金属的第二金属层，第二金属层足够厚以抑制第一金属的上表面的氧化 ; 使第一晶片上的第二金属层与第二晶片上的第二金属层接触以形成接合界面; 以及在低于所述第二金属的熔点的接合温度下对所述第一和第二晶片施加接合压力以引发接合，所述接合压力足以使所述接合界面处的所述第二金属层变形。

公开(公告)号：WO2009049957A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：PCT/EP2008/061548

申请日：2008-09-02

申请人： ROBERT BOSCH GMBH ,  TRAUTMANN, Achim ,  FEYH, Ando

发明人： TRAUTMANN, Achim ,  FEYH, Ando

IPC分类号： H01L23/10 ,  B81C1/00 ,  H01L21/58

CPC分类号： H01L23/10 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/038 ,  H01L21/50 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/1631 ,  H01L2924/164 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

摘要： Die Erfindung betrifft einen Verbund (5), umfassend ein erstes Halbleitersubstrat (1), das mit Lotmaterial (3) an mindestens einem zweiten Halbleitersubstrat (4) festgelegt ist, wobei zwischen dem Lotmaterial (3) und dem zweiten Halbleitersubstrat (4) und/oder mindestens einer gegebenenfalls auf dem Halbleitersubstrat (4) vorgesehenen Schicht ein Eutektikum (6) ausgebildet ist. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass das Eutektikum (6) zwischen dem Lotmaterial (3) und einer Mikrostruktur (8) ausgebildet ist, die im Kontaktbereich zu dem Lotmaterial (3) auf dem zweiten Halbleitersubstrat (4) und/oder der Schicht ausgebildet ist. Ferner betrifft die Erfindung ein Herstellungsverfahren.

摘要翻译： 本发明涉及一种复合材料（5）包括一个第一半导体基片（1），其上固定有焊接材料（3）至少一个第二半导体基板（4），其中，所述焊料材料（3）之间和所述第二半导体基板（4）和/ 或至少一种任选提供了一种用于共晶层的半导体衬底（4）上形成（6）。 根据本发明，它提供的是，共晶（6）被焊接材料（3）和形成在所述接触区域到焊料材料（3）的第二半导体基板（4）和/或所述层上的微结构（8）之间形成的。 此外，本发明涉及的制造方法。

公开(公告)号：WO2015183884A3

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：PCT/US2015032572

申请日：2015-05-27

申请人： INVENSAS CORP

发明人： KATKAR RAJESH ,  MIRKARIMI LAURA WILLS ,  SITARAM ARKALGUD R ,  WOYCHIK CHARLES G

IPC分类号： H01L23/04 ,  H01L23/367 ,  H01L25/16

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L21/784 ,  H01L22/32 ,  H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/09 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1615 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16153 ,  H01L2924/16176 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/1632 ,  H01L2924/164 ,  H01L2924/167 ,  H01L2924/16788 ,  H01L2924/1679 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： An assembly with modules (110, 1310) containing integrated circuits and attached to a wiring substrate (120) is reinforced by one or more reinforcement frames (410) attached to the wiring substrate. The modules are located in openings (e.g. cavities and/or through-holes 414) in the reinforcement frame. Other features are also provided.

摘要翻译： 包含集成电路并附接到布线基板（120）的模块（110,1310）的组件由附接到布线基板的一个或多个加强框架（410）加强。 模块位于加强框架中的开口（例如空腔和/或通孔414）中。 还提供其他功能。

公开(公告)号：WO2010090798A2

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：PCT/US2010020847

申请日：2010-01-13

申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC ,  MONTEZ RUBEN B ,  PAMATAT ALEX P

发明人： MONTEZ RUBEN B ,  PAMATAT ALEX P

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： H01L23/10 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/50 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02 ,  H01L2224/022 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/276 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29016 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32502 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83457 ,  H01L2224/83466 ,  H01L2224/83469 ,  H01L2224/83481 ,  H01L2224/83484 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/164 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83

摘要： A method that in one embodiment is useful in bonding a first substrate (103) to a second substrate (303) includes forming a layer including metal over the first substrate. The layer including metal in one embodiment surrounds a semiconductor device, which can be a micro electromechanical system (MEMS) device. On the second substrate (303) is formed a first layer comprising silicon (401). A second layer (403) comprising germanium and silicon is formed on the first layer. A third layer (405) comprising germanium is formed on the second layer. The third layer is brought into contact with the layer including metal. Heat (and pressure in some embodiments) is applied to the third layer and the layer including metal to form a mechanical bond material between the first substrate and the second substrate in which the mechanical bond material is electrically conductive. In the case of the mechanical bond surrounding a semiconductor device such as a MEMS, the mechanical bond can be particularly advantageous as a hermetic seal for protecting the MEMS.

摘要翻译： 在一个实施例中，将第一衬底（103）接合到第二衬底（303）上有用的方法包括在第一衬底上形成包括金属的层。 在一个实施例中包括金属的层围绕半导体器件，其可以是微机电系统（MEMS）器件。 在第二基板（303）上形成包括硅（401）的第一层。 在第一层上形成包括锗和硅的第二层（403）。 包含锗的第三层（405）形成在第二层上。 第三层与包括金属的层接触。 在第三层和包含金属的层上施加热（和一些实施例中的压力）以在第一基板和第二基板之间形成机械接合材料，其中机械接合材料是导电的。 在诸如MEMS之类的半导体器件周围的机械接合的情况下，作为用于保护MEMS的气密密封件，机械结合可能是特别有利的。

公开(公告)号：WO2010029655A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：PCT/JP2009/000728

申请日：2009-02-20

申请人： オムロン株式会社 ,  大野和幸 ,  前川智史

发明人： 大野和幸 ,  前川智史

IPC分类号： H01L21/52 ,  H04R19/04 ,  H05K1/18

CPC分类号： H04R31/006 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0392 ,  B81C3/001 ,  H01L23/552 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2731 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/164 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/45099

摘要： 　半導体素子５３は、角錐台状をした空洞７３が上下に貫通したベース７１の上面にダイアフラム７２を設けたものである。プリント配線基板のような基板５２の上面にはダイボンド用パッド６５が設けられており、半導体素子５３はダイボンド樹脂７４によって下面をダイボンド用パッド６５の上に接着される。ダイボンド用パッド６５は、半導体素子５３の空洞７３の内周面に生じている谷部７５の下端に対向する領域を除去して開口部７６を形成されており、ダイボンド用パッド６５が谷部７５の下端に接触しないようになっている。

摘要翻译： 半导体元件（53）设置有设置在基座（71）的上表面上的隔膜（72），其中具有垂直穿过的棱锥形截面的空腔（73）。 在印刷线路板状基板（52）的上表面配置有芯片焊盘（65），半导体元件（53）的下表面与芯片接合焊盘（65）用模具 粘结树脂（74）。 在芯片接合焊盘（65）中，通过去除在半导体元件的空腔（73）的内周面上产生的谷部（75）的下端的区域，形成开口部（76） 53），并且防止芯片接合焊盘（65）与谷部（75）的下端接触。