公开(公告)号：WO2014097645A1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：PCT/JP2013/007505

申请日：2013-12-20

申请人： パナソニック株式会社

发明人： 美馬　一真 ,  中谷　誠一 ,  山下　嘉久 ,  川北　晃司 ,  澤田　享

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/481 ,  H01L33/52 ,  H01L33/64 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03825 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0075 ,  H01L2924/00014

摘要： 　電子部品パッケージを製造するための方法は、（ｉ）電子部品の電極が封止樹脂層の表面から露出するように電子部品が封止樹脂層に埋設されたパッケージ前駆体を形成する工程、（ｉｉ）電子部品の電極の露出面と接合するように第１金属めっき層を形成する工程、（ｉｉｉ）第１金属めっき層に対して離隔した状態で金属箔を対向配置する工程、ならびに、（ｉｖ）第２金属めっき層を形成する工程を含んで成る。工程（ｉｖ）では、第１金属めっき層および金属箔に挟まれた間隙部が満たされるように第２金属めっき層を形成し、それによって、金属箔と第１金属めっき層と第２金属めっき層とを一体化させる。

摘要翻译： 该电子部件封装的制造方法包括：（i）形成封装前体的步骤，其中将电子部件嵌入密封树脂层中，使得电子部件的电极从密封树脂的表面露出 层; （ii）形成第一金属镀层的步骤，使得第一金属镀层与电子部件的电极的暴露表面接合; （iii）金属箔的排列步骤，使得金属箔与第一金属镀层相隔一定距离; 和（iv）形成第二金属镀层的工序。 在步骤（iv）中，形成第二金属镀层，使得填充第一金属镀层和金属箔之间的空间，从而将金属箔，第一金属镀层和第二金属镀层与一个金属镀层 另一个。

公开(公告)号：WO2008147387A1

公开(公告)日：2008-12-04

申请号：PCT/US2007/020975

申请日：2007-09-28

申请人： LSI CORPORATION ,  KUTLU, Zafer, S.

发明人： KUTLU, Zafer, S.

IPC分类号： H01L23/043 ,  H01L23/34

CPC分类号： H01L23/42 ,  H01L23/10 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

摘要： An integrated circuit die includes a circuit surface and a back surface opposite the circuit surface. An underbump metallurgy is formed on a back surface. A layer of solder is formed on the underbump metallurgy.

摘要翻译： 集成电路管芯包括电路表面和与电路表面相对的后表面。 后表面上形成下水道冶金。 在下焊管冶金上形成一层焊料。

公开(公告)号：WO2014150643A1

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：PCT/US2014/023872

申请日：2014-03-12

申请人： MATERION CORPORATION

发明人： KOTHANDAPANI, Ramesh

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/09 ,  H01L24/03 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2711 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00015

摘要： The amount of gold required for solder bonding a semiconductor die (52, 54) to an electronic package (12) is reduced by using a sheet preform (14) tack (spot) welded to the package (12) prior to mounting the die (52, 54). The preform (14), only slightly larger than a semiconductor die (52, 54) to be attached to the package (12), is placed in the die bond location (16) and tack (spot) welded to the package (12) at two spaced locations (18). The preform (14) comprises gold or a gold alloy such as AuSn or AuGe.

摘要翻译： 将半导体管芯（52,54）焊接到电子封装（12）上所需的金的量通过在安装裸片之前使用焊接到封装（12）上的片状预成型件（14）粘合（点）来减少 52,54）。 仅将稍微大于要附接到封装（12）的半导体管芯（52,54）的预成型件（14）放置在焊接位置（16）中并且将（点焊）焊接到封装（12）上， 在两个间隔位置（18）。 预型件（14）包括金或金合金，例如AuSn或AuGe。

公开(公告)号：WO2014038128A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：PCT/JP2013/004704

申请日：2013-08-02

申请人： パナソニック株式会社

发明人： 川北　晃司 ,  澤田　享 ,  中谷　誠一 ,  山下　嘉久

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L23/36 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

CPC分类号： H01L24/32 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/96 ,  H01L33/60 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/14 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/32113 ,  H01L2224/3224 ,  H01L2224/3226 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/48669 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/351 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0075 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

摘要： 　本発明の半導体装置は、半導体素子、および、半導体素子に電気的に接続された金属緩衝層を有して成る。本発明の半導体装置では、金属緩衝層と半導体素子とが相互に面接触するような形態で金属緩衝層と半導体素子とが接続されている。また、金属緩衝層が、二次実装基板への実装に用いられる外部接続端子になっていると共に、二次実装基板と半導体素子との間にて応力緩和作用を有する緩衝部材ともなっている。

摘要翻译： 该半导体器件包括与半导体元件电连接的半导体元件和金属缓冲层。 在该半导体器件中，金属缓冲层和半导体元件以金属缓冲层和半导体元件彼此表面接触的形式彼此连接。 此外，金属缓冲层用作用于安装到辅助安装基板上的外部连接端子，并且同时还用作缓冲构件，其提供减小二次安装基板和半导体之间的应力的效果 元件。

公开(公告)号：WO2014024343A1

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：PCT/JP2013/001558

申请日：2013-03-11

申请人： パナソニック株式会社

发明人： 植田　充彦 ,  佐名川　佳治 ,  明田　孝典 ,  林　真太郎

IPC分类号： H01L21/52 ,  B23K20/00 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/97 ,  B23K20/00 ,  H01L21/52 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29012 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/8301 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83123 ,  H01L2224/83127 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/83906 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 　基板上に複数個のチップを実装する実装方法は、基板に複数個のチップの各々を仮接合する仮接合工程と、基板に仮接合された複数個のチップの各々を基板に本接合する本接合工程とを備える。仮接合工程は、第１ステップと第２ステップとからなる第１基本工程を、基板に実装する複数個のチップの数だけ繰り返す。第１ステップは、基板１の第１金属層とチップの第２金属層とを位置合わせする。第２ステップは、第２金属層と第１金属層とを固相拡散接合することで仮接合する。本接合工程は、第３ステップと第４ステップとからなる第２基本工程を、基板上の複数個のチップの数だけ繰り返す。第３ステップは、基板に仮接合されているチップの位置を認識する。第４ステップは、第２金属層と第１金属層とを液相拡散接合することで本接合する。

摘要翻译： 一种用于将多个芯片安装在基板上的安装方法，包括：暂时结合步骤，其中所述多个芯片中的每一个临时结合到所述基板; 以及主接合步骤，其中临时结合到基板的多个芯片中的每一个经历与基板的主要结合。 在临时接合步骤中，包括第一步骤和第二步骤的第一基本粘合步骤重复与要安装到衬底的芯片一样多的次数。 在第一步骤中，将基板（1）中的第一金属层和芯片中的第二金属层定位。 在第二步骤中，使用固相扩散接合将第二金属层和第一金属层临时结合。 在主接合步骤中，包括第三步骤和第四步骤的第二基本键合步骤重复与将要安装到衬底的芯片一样多的次数。 在第三步骤中，识别临时结合到基板的芯片的位置。 在第四步骤中，第二金属层和第一金属层使用液相扩散接合进行主接合。

公开(公告)号：WO2012132249A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/JP2012/001544

申请日：2012-03-07

申请人： パナソニック株式会社 ,  藤原 誠司 ,  中村 太一 ,  古澤 彰男

发明人： 藤原　誠司 ,  中村　太一 ,  古澤　彰男

IPC分类号： H01L21/52 ,  B23K35/26

CPC分类号： B23K35/264 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/007 ,  B23K35/0238 ,  B23K35/0244 ,  B23K2201/42 ,  H01L23/4827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05566 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/05552

摘要： 半導体素子における実装基板側の面上には、当該面に接するオーミックコンタクト層、オーミックコンタクト層に接する金属拡散バリア層、金属拡散バリア層に接するはんだ接合バリア層、及び、はんだ接合バリア層に接するビスマス含有はんだ層が積層されている。半導体素子と実装基板とがＢｉを主成分とするはんだ材によって接合されている半導体装置の接合信頼性を向上させる。

摘要翻译： 半导体元件的安装基板侧的表面层叠有与所述表面邻接的欧姆接触层，与欧姆接触层邻接的金属扩散阻挡层，与金属扩散阻挡层相邻的焊接阻挡层，以及 含有铋的焊料层与焊料接合阻挡层相邻。 通过以具有Bi作为主要成分的焊料材料接合半导体元件和安装基板而形成的半导体器件的接合可靠性得到改善。

公开(公告)号：WO2006107507A3

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：PCT/US2006008599

申请日：2006-03-10

申请人： SKYWORKS SOLUTIONS INC ,  GAN QING ,  WARREN ROBERT ,  LOBIANCO ANTHONY ,  LIANG STEVE

发明人： GAN QING ,  WARREN ROBERT ,  LOBIANCO ANTHONY ,  LIANG STEVE

IPC分类号： H01L23/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/49822 ,  B81C1/00269 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15184 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

摘要： According to an exemplary embodiment, a wafer level package includes a device wafer including at least one device wafer contact pad and a device, and where the at least one device wafer contact pad is electrically connected to the device. The wafer level package includes a first polymer layer situated over the device wafer. The wafer level package includes at least one passive component situated over the first polymer layer and having a first terminal and a second terminal. The first terminal of the at least one passive component is electrically connected to the at least one device wafer contact pad. The wafer level package includes a second polymer layer situated over the at least one passive component. The wafer level package includes at least one polymer layer contact pad situated over the second polymer layer and electrically connected to the second terminal of the at least one passive component.

摘要翻译： 根据示例性实施例，晶片级封装包括包括至少一个器件晶片接触焊盘和器件的器件晶片，并且其中所述至少一个器件晶片接触焊盘电连接到所述器件。 晶片级封装包括位于器件晶片上方的第一聚合物层。 晶片级封装包括位于第一聚合物层之上并具有第一端子和第二端子的至少一个无源部件。 所述至少一个无源部件的第一端子电连接到所述至少一个器件晶片接触焊盘。 晶片级封装包括位于至少一个无源部件上的第二聚合物层。 晶片级封装包括位于第二聚合物层之上并电连接至至少一个无源元件的第二端子的至少一个聚合物层接触焊盘。

公开(公告)号：WO2006107507A2

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：PCT/US2006/008599

申请日：2006-03-10

申请人： SKYWORKS SOLUTIONS, INC. ,  GAN, Qing ,  WARREN, Robert ,  LOBIANCO, Anthony ,  LIANG, Steve

发明人： GAN, Qing ,  WARREN, Robert ,  LOBIANCO, Anthony ,  LIANG, Steve

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L23/49822 ,  B81C1/00269 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/32235 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15184 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： According to an exemplary embodiment, a wafer level package includes a device wafer including at least one device wafer contact pad and a device, and where the at least one device wafer contact pad is electrically connected to the device. The wafer level package includes a first polymer layer situated over the device wafer. The wafer level package includes at least one passive component situated over the first polymer layer and having a first terminal and a second terminal. The first terminal of the at least one passive component is electrically connected to the at least one device wafer contact pad. The wafer level package includes a second polymer layer situated over the at least one passive component. The wafer level package includes at least one polymer layer contact pad situated over the second polymer layer and electrically connected to the second terminal of the at least one passive component.

摘要翻译： 根据示例性实施例，晶片级封装包括包括至少一个器件晶片接触焊盘和器件的器件晶片，并且其中所述至少一个器件晶片接触焊盘电连接到所述器件。 晶片级封装包括位于器件晶片上方的第一聚合物层。 晶片级封装包括位于第一聚合物层之上并具有第一端子和第二端子的至少一个无源部件。 所述至少一个无源部件的第一端子电连接到所述至少一个器件晶片接触焊盘。 晶片级封装包括位于至少一个无源部件上的第二聚合物层。 晶片级封装包括位于第二聚合物层之上并电连接至至少一个无源元件的第二端子的至少一个聚合物层接触焊盘。

公开(公告)号：WO2017100256A1

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：PCT/US2016/065281

申请日：2016-12-07

申请人： SKYWORKS SOLUTIONS, INC.

发明人： BARBER, Bradley, Paul

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/324 ,  H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/324 ,  B23K20/02 ,  C23C10/28 ,  H01B1/22 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/10 ,  H01L23/66 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29022 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29084 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29317 ,  H01L2224/29338 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29409 ,  H01L2224/29411 ,  H01L2224/29424 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/29466 ,  H01L2224/29469 ,  H01L2224/29487 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/30179 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/3651 ,  H05K3/328 ,  H05K3/3457 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00012

摘要： A bonding element includes a first transient liquid phase (TLP) bonding element including a first material and a second material, the first material having a higher melting point than the second material, a ratio of a quantity of the first material and the second material in the first TLP bonding element having a first value and a second TLP bonding element including the first material and the second material, a ratio of a quantity of the first material and the second material in the second TLP bonding element having a second value different from the first value.

摘要翻译： 结合元件包括包含第一材料和第二材料的第一瞬态液相（TLP）结合元件，第一材料具有比第二材料更高的熔点，一定量的 第一TLP结合元件中的第一材料和第二材料具有第一值，并且第二TLP结合元件包括第一材料和第二材料，第二TLP结合中第一材料和第二材料的量的比例 元素具有不同于第一值的第二值。

公开(公告)号：WO2013065101A1

公开(公告)日：2013-05-10

申请号：PCT/JP2011/075073

申请日：2011-10-31

申请人： 株式会社日立製作所 ,  谷江 尚史 ,  新谷 寛 ,  田中 直敬

发明人： 谷江　尚史 ,  新谷　寛 ,  田中　直敬

IPC分类号： H01L21/60 ,  H05K1/18

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/52 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05016 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/11444 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/29005 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/38 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40106 ,  H01L2224/40229 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/41176 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/291 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 　半導体装置は、半導体チップ１の上面を変形吸収層２ａおよび接合層３ａを介して導電部材４に電気的に接続し、下面を変形吸収層２ｂおよび接合層３ｂを介して導電部材５に電気的に接続した実装構造を有している。変形吸収層２ａ、２ｂのそれぞれは、厚さ方向の中央に配置されたナノ構造層７と、ナノ構造層７を挟む２層のプレート層６、８とで構成されている。ナノ構造層７は、１μｍ以下のサイズを有する複数のナノ構造体９を平面状に配置した構造を有しており、半導体装置を構成する各部材の熱変形差に起因する熱応力をナノ構造体９の変形によって吸収する。

摘要翻译： 半导体器件具有其中半导体芯片（1）的顶表面经由变形吸收层（2a）和接合层（3a）与导电构件（4）电连接的安装结构，并且底表面 通过变形吸收层（2b）和接合层（3b）与导电构件（5）电连接。 变形吸收层（2a，2b）分别由设置在厚度方向中间的纳米结构层（7）和纳米结构层（7）两侧的两个板层（6,8）构成。 纳米结构层（7）具有如下结构：其中，尺寸为1μm以下的多个纳米结构体（9）以平面构造排列，并且由构成半导体器件的不同构件之间的热变形差引起的热应力 被纳米结构体（9）的变形所吸收。