公开(公告)号：CN109262447A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201710723477.6

申请日：2017-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 茅一超 ,  张进传 ,  林俊成 ,  张文华

IPC: B24B37/11 ,  H01L21/56 ,  H01L21/304

Abstract: 提供一种安装在研磨轮上的研磨元件以及一种含有所述研磨元件的研磨轮用于进行研磨。所述研磨元件包括研磨齿，且所述研磨齿包含研磨材料，所述研磨材料具有框架结构以及分布在所述框架结构中的孔隙。所述框架结构包含粘合材料及由所述粘合材料粘合的磨料微粒。所述孔隙的孔径大于40微米但小于70微米。还提供一种使用所述研磨轮制造半导体封装的方法。

公开(公告)号：CN103117250B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201210195021.4

申请日：2012-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王忠裕 ,  洪瑞斌 ,  陈志壕 ,  苏峻兴 ,  茅一超 ,  叶宫辰 ,  蔡宜霖 ,  洪樱姿 ,  高金福 ,  许仕逸 ,  张进传 ,  刘献文 ,  李隆华

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种方法，该方法包括：对包括多个管芯的复合晶圆进行切割，其中，在进行切割步骤时所述复合晶圆接合在载具上。在切割步骤之后，将所述复合晶圆设置于胶带上。然后从所述复合晶圆和所述第一胶带上剥离所述载具。本发明还涉及用于载具剥离的方法。

公开(公告)号：CN104037153A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201310239320.8

申请日：2013-06-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张进传 ,  林俊成 ,  余振华

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/34 ,  H01L25/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/0655 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/367 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49872 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06137 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种封装件，包括中介层，中介层包括没有通孔的第一衬底、位于第一衬底上方的再分布线和位于再分布线上方并与再分布线电连接的多个第一连接件。第一管芯位于多个第一连接件上方并与多个第一连接件接合。第一管芯包括第二衬底和位于第二衬底中的通孔。第二管芯位于多个连接件上方并与多个连接件接合。第一管芯和第二管芯通过再分布线彼此电连接。多个第二连接件位于第一管芯和第二管芯上方。多个第二连接件通过第二衬底中的通孔电连接至多个第一连接件。本发明还公开了3D封装件的形成方法。

公开(公告)号：CN112420684A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010848754.8

申请日：2020-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张进传 ,  卢思维

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/98 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开提供一种封装结构，包括一第一重分布结构和在第一重分布结构上的一中介层。封装结构还包括围绕中介层的一模塑料层，以及在中介层上方的一第二重分布结构。模塑料层在第一重分布结构和第二重分布结构之间。封装结构还包括在第二重分布结构上方的一第一半导体裸片和一第二半导体裸片。

公开(公告)号：CN110838440A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201811276150.X

申请日：2018-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 茅一超 ,  张进传 ,  卢思维

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/321

Abstract: 提供一种对衬底进行薄化的方法及系统。所述方法包括至少以下步骤。在卡盘与设置在所述卡盘上的衬底之间的界面处提供液体密封。在提供所述液体密封期间对所述衬底进行薄化。

公开(公告)号：CN106952831B

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201611135570.7

申请日：2016-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  苏安治 ,  陈威宇 ,  陈英儒 ,  林宗澍 ,  张进传 ,  陈宪伟 ,  吴伟诚 ,  叶德强 ,  黄立贤 ,  吴集锡

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

Abstract: 本发明实施例提供一种使用热与机械强化层的装置及其制造方法。本发明实施例提供的方法包含将第一层级装置裸片附接到虚设裸片，将所述第一层级装置裸片囊封于第一囊封材料中，在所述第一层级装置裸片上方形成贯穿通路并且将其电耦合到所述第一层级装置裸片，将第二层级装置裸片附接于所述第一层级装置裸片上方，以及将所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片于囊封第二囊封材料中。重布线形成于所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片上方并且电耦合到所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片。所述虚设裸片、所述第一层级装置裸片、所述第一囊封材料、所述第二层级装置裸片、以及所述第二囊封材料形成复合晶片的部分。

公开(公告)号：CN106952831A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201611135570.7

申请日：2016-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  苏安治 ,  陈威宇 ,  陈英儒 ,  林宗澍 ,  张进传 ,  陈宪伟 ,  吴伟诚 ,  叶德强 ,  黄立贤 ,  吴集锡

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

Abstract: 本发明实施例提供一种使用热与机械强化层的装置及其制造方法。本发明实施例提供的方法包含将第一层级装置裸片附接到虚设裸片，将所述第一层级装置裸片囊封于第一囊封材料中，在所述第一层级装置裸片上方形成贯穿通路并且将其电耦合到所述第一层级装置裸片，将第二层级装置裸片附接于所述第一层级装置裸片上方，以及将所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片于囊封第二囊封材料中。重布线形成于所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片上方并且电耦合到所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片。所述虚设裸片、所述第一层级装置裸片、所述第一囊封材料、所述第二层级装置裸片、以及所述第二囊封材料形成复合晶片的部分。

公开(公告)号：CN103681606A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210576132.X

申请日：2012-12-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊成 ,  张进传 ,  洪瑞斌

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00011

Abstract: 本发明公开了三维(3D)扇出封装机制。形成半导体器件封装件的机制由于其相对简单的工艺流程而提供了低成本的制造工艺。通过形成具有能够将一个或多个管芯接合到封装结构下方的(一层或多层)再分配层的互连结构，大幅减少了整个封装件的翘曲。此外，在不使用模塑料的情况下形成互连结构，减少了颗粒污染。翘曲和颗粒污染的减少提高了成品率。而且，由于一个或多个管芯安装在封装结构和互连结构之间的间隔下方，所形成的半导体器件封装件具有低形状因数。

公开(公告)号：CN222514908U

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202421158923.5

申请日：2024-05-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡承轩 ,  张进传 ,  施应庆

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488

Abstract: 本实用新型提供一种封装结构，其包括布线衬底、半导体晶粒以及介电层。布线衬底包括晶粒结合区以及分布在晶粒结合区之间的导引图案(辅助图案或拟图案)。半导体晶粒配置在晶粒结合区上，并且与布线衬底电性连接，其中导引图案与半导体晶粒电性绝缘。介电层配置在半导体晶粒与布线衬底之间，其中介电层覆盖导引图案并且与导引图案接触。

公开(公告)号：CN222355129U

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202420305916.7

申请日：2024-02-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡承轩 ,  江祐鳞 ,  张进传 ,  施应庆

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/485 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31

Abstract: 本实用新型实施例提供一种封装结构，其中封装结构包括第一重布线路结构、半导体装置、半导体电桥管芯及第一绝缘包封体。第一重布线路结构具有第一侧及与第一侧相对的第二侧。半导体装置设置在第一重布线路结构的第一侧之上。半导体电桥管芯设置在第一重布线路结构的第二侧之上并与第一重布线路结构电性连接，其中半导体电桥管芯包括半导体衬底、内连线结构、多个导电端子及有机介电层。内连线结构设置于半导体衬底上。多个导电端子设置于内连线结构上并与之电性连接。有机介电层设置于内连线结构上并侧向地覆盖多个导电端子。第一绝缘包封体封装半导体电桥管芯，其中多个导电端子与第一绝缘包封体被有机介电层隔开。