公开(公告)号：CN104157648A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201410381254.2

申请日：2011-07-27

申请人： 株式会社电装

发明人： 西角拓高 ,  山本刚 ,  水野祥司 ,  住友正清 ,  藤井哲夫 ,  榊原纯 ,  山口仁 ,  服部佳晋 ,  田口理惠 ,  桑原诚

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L29/06

摘要： 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。

公开(公告)号：CN102256452B

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201110086634.X

申请日：2011-04-01

申请人： 株式会社电装

发明人： 前田幸宏 ,  近藤宏司 ,  原田嘉治 ,  山内毅 ,  藤井哲夫

IPC分类号： H05K3/34 ,  H05K1/18 ,  H01L21/56 ,  H01L21/603 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

CPC分类号： H05K3/4632 ,  H01L23/145 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/185 ,  H05K3/0061 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/063 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及具有内置半导体芯片的电路板以及制造该电路板的方法。具体地，本发明提出一种电路板(10)，其包括绝缘构件(20)以及由绝缘构件的热塑性树脂部封装的半导体芯片(50)。布线构件位于绝缘构件中并且电连接半导体芯片的相应侧面上的第一和第二电极(51a-51c)。布线构件包括焊盘(31)、层间连接构件(40)、以及连接构件(52)。在第一电极与连接构件之间、焊盘与连接构件之间、以及第二电极与层间连接构件之间具有扩散层。层间连接构件的至少一种元素具有低于热塑性树脂部的玻璃转化点的熔点。连接构件由熔点高于热塑性树脂部的熔点的材料制成。本发明还提出一种制造电路板(10)的方法。

公开(公告)号：CN101542258A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000240.4

申请日：2008-02-12

申请人： 株式会社电装

发明人： 田中宏明 ,  藤井哲夫

IPC分类号： G01L9/00

CPC分类号： G01L9/0042 ,  Y10T29/49165

摘要： 一种用于压力介质的压力传感器包括：传感器芯片(3)，其包括半导体衬底(3a)、在衬底上的膜片(3b)和在膜片上的量规电阻器(3c)；覆盖膜片的保护罩(5)；用于容纳芯片、将压力介质引导到所述罩以及将大气引导到衬底的外壳(2)；终端(2c)；布线(4)；以及密封元件(7)。布线的嵌入部分(4a－4c，4e)与量规电阻器相连。布线的连接部分(4d，4f)与嵌入部分和终端相连。嵌入部分由所述罩覆盖以与压力介质隔离。密封元件布置在外壳与衬底之间以使连接部分与压力介质和大气隔离。

公开(公告)号：CN1967783A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610148535.9

申请日：2006-11-15

申请人： 株式会社电装

发明人： 田村宗生 ,  藤井哲夫

IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L21/268 ,  H01L21/78 ,  B23K26/04 ,  B23K26/08 ,  B28D5/00

CPC分类号： B23K26/0608 ,  B23K26/0617 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/00

摘要： 激光加工设备具有能够同时发射具有两个波长(λa和λb)的激光束(La和Lb)的一个激光源(SLa)。激光束(La和1b)在晶片(10)中的聚焦点(Pa和Pb)的深度位置逐渐改变。三组改质区群(Ga1、Gb1、Ga2、Gb2、Ga3、Gb3)即六层改质区群连续形成。改质区群的一组构成两层并且一次形成。改质区群从晶片的表面(10b)开始沿着晶片的预定切割线(K)顺着深度方向彼此分开、邻接或重叠。

公开(公告)号：CN102347356B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201110211992.9

申请日：2011-07-27

申请人： 株式会社电装

发明人： 西角拓高 ,  山本刚 ,  水野祥司 ,  住友正清 ,  藤井哲夫 ,  榊原纯 ,  山口仁 ,  服部佳晋 ,  田口理惠 ,  桑原诚

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7398 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7819 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H02M7/003 ,  H01L2924/00

摘要： 半导体装置具有并列连接的绝缘栅构造的半导体开关元件和续流二极管。半导体开关元件包括：漂移层；基区；基区表层部的元件侧第1杂质区域；元件侧栅极电极，配置于夹在上述第1杂质区域与上述漂移层之间的上述基区中；第2杂质区域，与上述漂移层接触；元件侧第1电极，与元件侧第1杂质区域及上述基区电连接；元件侧第2电极，与上述第2杂质区域电连接。续流二极管包括：第1导电型层；第2导电型层；二极管侧第1电极，与上述第2导电型层连接；二极管侧第2电极，与上述第1导电型层连接；二极管侧第1杂质区域，配置在上述第2导电型层的表层部；二极管侧栅极电极，具有提供过剩载流子注入抑制栅极的第1栅极电极。

公开(公告)号：CN102213208B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201110080539.9

申请日：2011-04-01

申请人： 株式会社电装

发明人： 山田雅央 ,  吉村聪史 ,  藤井哲夫

IPC分类号： F04B39/00

CPC分类号： F04B35/04 ,  F04C23/008 ,  F04C29/0085 ,  F04C29/047 ,  F04C2240/808 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/185 ,  H05K7/20936 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种搭载在电动压缩机中的电子装置。电子装置具备：电路基板(10)，配置在机壳(41、44、45、60)内的冷媒中，具有电子部件(15)和外部连接用电极(14)，该电子部件被密封而搭载在基板上，该电子部件与外部连接用电极电连接；外部连接用端子(1000)，与上述外部连接用电极电连接；隔离部件(11、50、51、60、70、80、90)，将上述外部连接用端子、以及上述外部连接用电极与上述外部连接用端子的连接部与上述冷媒隔离。

公开(公告)号：CN102256452A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110086634.X

申请日：2011-04-01

申请人： 株式会社电装

发明人： 前田幸宏 ,  近藤宏司 ,  原田嘉治 ,  山内毅 ,  藤井哲夫

IPC分类号： H05K3/34 ,  H05K1/18 ,  H01L21/56 ,  H01L21/603 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

CPC分类号： H05K3/4632 ,  H01L23/145 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92224 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/351 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/185 ,  H05K3/0061 ,  H05K2201/096 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/063 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及具有内置半导体芯片的电路板以及制造该电路板的方法。具体地，本发明提出一种电路板(10)，其包括绝缘构件(20)以及由绝缘构件的热塑性树脂部封装的半导体芯片(50)。布线构件位于绝缘构件中并且电连接半导体芯片的相应侧面上的第一和第二电极(51a-51c)。布线构件包括焊盘(31)、层间连接构件(40)、以及连接部(52)。在第一电极与连接部之间、焊盘与连接部之间、以及第二电极与层间连接构件之间具有扩散层。层间连接构件的至少一种元素具有低于热塑性树脂部的玻璃转化点的熔点。连接部由熔点高于热塑性树脂部的熔点的材料制成。本发明还提出一种制造电路板(10)的方法。

公开(公告)号：CN101542258B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200880000240.4

申请日：2008-02-12

申请人： 株式会社电装

发明人： 田中宏明 ,  藤井哲夫

IPC分类号： H01L27/00 ,  G01L9/00

CPC分类号： G01L9/0042 ,  Y10T29/49165

摘要： 一种用于压力介质的压力传感器包括：传感器芯片(3)，其包括半导体衬底(3a)、在衬底上的膜片(3b)和在膜片上的量规电阻器(3c)；覆盖膜片的保护罩(5)；用于容纳芯片、将压力介质引导到所述罩以及将大气引导到衬底的外壳(2)；终端(2c)；布线(4)；以及密封元件(7)。布线的嵌入部分(4a-4c，4e)与量规电阻器相连。布线的连接部分(4d，4f)与嵌入部分和终端相连。嵌入部分由所述罩覆盖以与压力介质隔离。密封元件布置在外壳与衬底之间以使连接部分与压力介质和大气隔离。

公开(公告)号：CN101794708A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010002979.8

申请日：2010-01-15

申请人： 株式会社电装

发明人： 千田厚慈 ,  白木聪 ,  前田幸宏 ,  广濑伸一 ,  藤井哲夫 ,  中野敬志

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/77 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L27/02 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L23/13 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L21/84 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4951 ,  H01L23/49551 ,  H01L24/27 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 半导体器件的制造方法包括：准备由SOI基板(30)构成的晶片的工序；在主面表层部形成电路部(LV、HV)的工序；除去SOI基板的支撑基板(29)的工序；以与电路部相对的方式将绝缘构件(3)固定在半导体层(7a)的背面的工序；切割晶片从而使其分割成多个芯片的工序；以与低电位基准电路部(LV)的一部分相对的方式，将第1导电构件(4a、62、64、65)配置在绝缘构件上，以与高电位基准电路部(HV)的一部分相对的方式，将第2导电构件(4b、62、64、65)配置在绝缘构件上的工序；以及，将第1导电构件与低电位基准电路部的第1部分电连接，将第2导电构件与高电位基准电路部的第2部分电连接的工序。

公开(公告)号：CN1967783B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200610148535.9

申请日：2006-11-15

申请人： 株式会社电装

发明人： 田村宗生 ,  藤井哲夫

IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L21/268 ,  H01L21/78 ,  B23K26/04 ,  B23K26/08 ,  B28D5/00

CPC分类号： B23K26/0608 ,  B23K26/0617 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/00

摘要： 激光加工设备具有能够同时发射具有两个波长(λa和λb)的激光束(La和Lb)的一个激光源(SLa)。激光束(La和1b)在晶片(10)中的聚焦点(Pa和Pb)的深度位置逐渐改变。三组改质区群(Ga1、Gb1、Ga2、Gb2、Ga3、Gb3)即六层改质区群连续形成。改质区群的一组构成两层并且一次形成。改质区群从晶片的表面(10b)开始沿着晶片的预定切割线(K)顺着深度方向彼此分开、邻接或重叠。