公开(公告)号：CN110660783A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201811509903.7

申请日：2018-12-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  叶松峯 ,  陈明发 ,  陈宪伟 ,  刘惠雯 ,  袁景滨

IPC: H01L25/075 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 在实施例中，一种方法包括：堆叠多个第一管芯以形成器件堆叠件；暴露器件堆叠件的最顶部管芯的测试焊盘；使用最顶部管芯的测试焊盘测试器件堆叠件；以及在测试器件堆叠件之后，在最顶部管芯中形成接合焊盘，其中，接合焊盘与测试焊盘不同。本发明的实施例还涉及半导体器件封装件和方法。

公开(公告)号：CN106952831B

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201611135570.7

申请日：2016-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  苏安治 ,  陈威宇 ,  陈英儒 ,  林宗澍 ,  张进传 ,  陈宪伟 ,  吴伟诚 ,  叶德强 ,  黄立贤 ,  吴集锡

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

Abstract: 本发明实施例提供一种使用热与机械强化层的装置及其制造方法。本发明实施例提供的方法包含将第一层级装置裸片附接到虚设裸片，将所述第一层级装置裸片囊封于第一囊封材料中，在所述第一层级装置裸片上方形成贯穿通路并且将其电耦合到所述第一层级装置裸片，将第二层级装置裸片附接于所述第一层级装置裸片上方，以及将所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片于囊封第二囊封材料中。重布线形成于所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片上方并且电耦合到所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片。所述虚设裸片、所述第一层级装置裸片、所述第一囊封材料、所述第二层级装置裸片、以及所述第二囊封材料形成复合晶片的部分。

公开(公告)号：CN103855126B

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：CN201310069494.4

申请日：2013-03-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  吴念芳 ,  郭鸿毅 ,  陈洁 ,  陈英儒 ,  于宗源

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，一种制造半导体器件的方法包括在工件上方形成集成电路的第一功能区域，以及在工件上方形成集成电路的第二功能区域。该方法包括围绕集成电路的第一功能区域形成保护环。在第一功能区域和第二功能区域上方设置的材料层中形成该保护环。

公开(公告)号：CN110137151A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201811318517.X

申请日：2018-11-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  叶松峯 ,  陈明发 ,  陈宪伟 ,  刘醇鸿

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L23/528 ,  H01L21/56 ,  H01L25/07

Abstract: 提出了半导体器件和制造方法，其中，将第一半导体器件和第二半导体器件接合至第一晶圆，并且然后分割以形成第一封装件和第二封装件。然后密封第一封装件和第二封装件以及中介层通孔，并且在密封剂上方形成再分布结构。将不同封装件接合至中介层通孔。

公开(公告)号：CN110021533A

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201811440668.2

申请日：2018-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 胡致嘉 ,  陈宪伟 ,  陈明发 ,  詹森博

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L21/66

Abstract: 一种包括测试垫接触件的半导体装置及一种制造所述半导体装置的方法。在实施例中，半导体装置可包括以单一顶部金属层形式设置在衬底之上的第一金属特征及第二金属特征。可在第一金属特征之上形成测试垫且可将测试垫电连接到第一金属特征。可在第二金属特征及测试垫之上形成第一钝化层且第一钝化层可覆盖测试垫的顶表面及侧表面。可形成穿透第一钝化层并接触测试垫的第一通孔，且可形成穿透第一钝化层并接触第二金属特征的第二通孔。

公开(公告)号：CN109786260A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811355127.X

申请日：2018-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈洁 ,  陈宪伟

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498

Abstract: 方法包括用模制材料包围管芯和接近管芯的导电柱，其中，管芯和导电柱设置在第一再分布结构的第一侧上方，其中，第一再分布结构的与第一侧相对的第二侧附接至第一载体；将设置在预制第二再分布结构的第一表面上的导电焊盘接合至管芯和导电柱，其中，预制第二再分布结构的与第一表面相对的第二表面附接至第二载体；在接合导电焊盘之后，去除第二载体以暴露预制第二再分布结构的接近第二表面的导电部件；并且在预制第二再分布结构的导电部件上方形成电连接至预制第二再分布结构的导电部件的导电凸块。本发明的实施例还涉及多芯片集成扇出封装件。

公开(公告)号：CN106409810B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201510797011.1

申请日：2015-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  黄立贤

IPC: H01L23/528

Abstract: 一种方法，包括：在导电部件上方形成第一介电层；在第一介电层中形成开口；以及镀金属材料以形成电耦合至导电部件的第一再分布线。再分布线包括位于开口中的通孔和金属迹线。该金属迹线包括直接位于通孔上方的第一部分和与通孔不重合的第二部分。金属迹线的第一部分的第一顶面与第二部分的第二顶面基本共面。本发明还提供了一种具有堆叠通孔的再分布线。

公开(公告)号：CN105321801B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201410848060.9

申请日：2014-12-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄立贤 ,  陈宪伟 ,  蕭景文 ,  叶德强 ,  郑心圃 ,  余振华

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/544

Abstract: 一种封装件包括器件管芯、将器件管芯模制在其中的模制材料、穿透模制材料的通孔、以及穿透模制材料的对准标记。重分布线位于模制材料的一侧上。重分布线电连接至通孔。本发明涉及封装件的对准标记设计。

公开(公告)号：CN105261609B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201510397288.5

申请日：2015-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  吴集锡 ,  余振华 ,  叶德强 ,  吴伟诚 ,  曾建富

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/58 ,  H01L21/768 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/78 ,  H01L23/12 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L24/06 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399

Abstract: 本发明公开了半导体器件封装件、封装方法以及封装的半导体器件。在一些实施例中，用于半导体器件的封装件包括集成电路管芯安装区域和集成电路管芯安装区域周围的模塑料。互连结构位于模塑料和集成电路管芯安装区域上方。保护图案位于互连结构周围的封装件的周边区域中。保护图案包括：第一导电部件，在第二导电部件附近垂直地位于封装件内。第一导电部件具有第一宽度，并且第二导电部件具有第二宽度。第二宽度大于第一宽度。本发明还涉及半导体器件封装件、封装方法和封装的半导体器件。

公开(公告)号：CN107768351A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710587367.1

申请日：2017-07-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  叶德强 ,  陈宪伟 ,  黄立贤 ,  林岳霆 ,  陈威宇 ,  苏安治

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/3738 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10337 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/14335 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L2224/0237

Abstract: 在一些实施例中，器件包括热机电(TEM)芯片，具有功能电路；第一管芯，附接至所述TEM芯片的第一侧面；第一通孔，位于所述TEM芯片的第一侧面上并且邻近所述第一管芯，所述第一通孔电连接至所述TEM芯片。所述器件还包括第一模制层，围绕所述TEM芯片、所述第一管芯和所述第一通孔，其中，所述第一管芯的上表面和所述第一通孔的上表面与所述第一模制层的上表面平齐。所述器件还包括第一再分布层，位于所述第一模制层的上表面上方并且电连接至所述第一通孔和所述第一管芯。本发明还提供了具有热机电芯片的半导体封装件及其形成方法。