公开(公告)号：CN105185762B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201510324131.X

申请日：2015-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈洁 ,  陈宪伟

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/544 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015

Abstract: 一种封装件包括拐角、具有前侧和后侧的器件管芯以及将器件管芯模制在其中的模制材料。多条再分布线位于器件管芯的后侧上。多条再分布线包括多个金属焊盘。聚合物层与多个金属焊盘接触。多个开口形成在聚合物层中，多个金属焊盘与多个开口对准并且暴露于多个开口。多个开口包括伸长的拐角开口和比拐角开口更远离拐角的额外的开口。额外的开口是非伸长的。本发明的实施例还涉及用于增强封装件的可靠性的焊盘设计。

公开(公告)号：CN107665887A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710631058.X

申请日：2017-07-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  黄立贤 ,  吴集锡 ,  叶德强 ,  陈宪伟 ,  苏安治 ,  曾华伟

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 实施例是一种结构，包括：第一管芯；模塑料，至少横向封装第一管芯；第一再分布结构，包括在所述第一管芯和所述模塑料上方延伸的金属化图案；第一导电连接件，包括耦合至所述第一再分布结构的焊球和凸块底部金属化件；以及集成无源器件，通过微凸块接合点接合至所述第一再分布结构中的第一金属化图案，所述集成无源器件邻近所述第一导电连接件。本发明还提供了一种封装结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN107369679A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201610621524.1

申请日：2016-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李其融 ,  苏安治 ,  陈宪伟 ,  黄立贤 ,  陈威宇 ,  杨天中

IPC: H01L25/18 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76885 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2224/83 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/8385

Abstract: 本发明提供一种多重堆叠层叠式封装结构的形成方法。在方法中，形成第一堆叠半导体组件于第一承载晶片上。单体化第一堆叠半导体组件。胶合第一堆叠半导体组件于第二承载晶片。贴合第二半导体组件于第一堆叠半导体组件上。密封第一堆叠半导体组件及第二半导体组件。将电性连接形成于并电性耦接于第一堆叠半导体组件及第二半导体组件。本发明提供的方法，在中间工艺步骤单体化多重堆叠封装并接着再次将其贴合于载板以进一步进行工艺，可减缓最终多重堆叠封装内的翘曲应力。

公开(公告)号：CN107068645A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610917114.1

申请日：2016-10-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈英儒 ,  陈宪伟 ,  苏安治 ,  陈洁

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/49816 ,  H01L21/561 ,  H01L23/49838

Abstract: 提供了一种使用表面器件的半导体器件和方法。在实施例中，熔丝包括凸块下金属，该凸块下金属具有分离并且电隔离的两部分。通过诸如焊球的外部连接件来桥接这两部分以电连接表面器件。在测试之后，当确定表面器件有缺陷时，可以通过从这两个分离部分去除外部连接件来使熔丝断开，以电隔离表面器件。在另一实施例中，表面器件在集成多输出封装件内位于封装件下方或者是多输出封装件的一部分。

公开(公告)号：CN107026144A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201611202281.4

申请日：2016-12-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  陈洁

IPC: H01L23/525 ,  H01L23/552 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L23/552 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/525 ,  H01L23/58

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括半导体管芯、绝缘层、导电部件和屏蔽罩。绝缘层围绕半导体管芯，且绝缘层具有彼此相对的第一表面和第二表面。导电部件从第一表面延伸以接近绝缘层的第二表面，且导电部件具有由绝缘层的第一表面暴露的第一端。屏蔽罩覆盖绝缘层的第一表面且通过导电部件的由绝缘层的第一表面暴露的第一端接地。本发明的实施例还提供了半导体器件的制造方法和三维半导体封装件。

公开(公告)号：CN106952831A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201611135570.7

申请日：2016-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  苏安治 ,  陈威宇 ,  陈英儒 ,  林宗澍 ,  张进传 ,  陈宪伟 ,  吴伟诚 ,  叶德强 ,  黄立贤 ,  吴集锡

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

Abstract: 本发明实施例提供一种使用热与机械强化层的装置及其制造方法。本发明实施例提供的方法包含将第一层级装置裸片附接到虚设裸片，将所述第一层级装置裸片囊封于第一囊封材料中，在所述第一层级装置裸片上方形成贯穿通路并且将其电耦合到所述第一层级装置裸片，将第二层级装置裸片附接于所述第一层级装置裸片上方，以及将所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片于囊封第二囊封材料中。重布线形成于所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片上方并且电耦合到所述贯穿通路与所述第二层级装置裸片。所述虚设裸片、所述第一层级装置裸片、所述第一囊封材料、所述第二层级装置裸片、以及所述第二囊封材料形成复合晶片的部分。

公开(公告)号：CN106711092A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610724021.7

申请日：2016-08-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  苏安治 ,  林宗澍

IPC: H01L21/98 ,  H01L25/065 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/02315 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了半导体器件及形成方法。模塑料沿着第一管芯和第二管芯的侧壁延伸。在第一管芯、第二管芯和模塑料上方形成再分布层。再分布层包括位于第一管芯和第二管芯之间的间隙上面的导体。在第一管芯的边缘上方以第一角度布线导体。相对于沿着第一管芯和第二管芯之间的最短的线延伸的直线测量第一角度，并且第一角度大于0。本发明的实施例还涉及集成扇出结构以及形成方法。

公开(公告)号：CN106469697A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610090319.7

申请日：2016-02-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨天中 ,  黄麟智 ,  陈宪伟 ,  苏安治 ,  黄立贤

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/03 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/20 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L2021/60022 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11466 ,  H01L2224/11602 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/03 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L24/02 ,  H01L24/07 ,  H01L24/15 ,  H01L24/26 ,  H01L24/27 ,  H01L24/31

Abstract: 一种半导体器件包括半导体衬底、位于半导体衬底上的导电焊盘以及位于导电焊盘上方的导体。半导体器件还具有设置在半导体衬底上方并环绕导体的聚合材料。半导体器件还包括位于导体和聚合材料之间的导电层。在半导体器件中，导电层和聚合材料之间的粘合强度大于聚合材料和导体之间的粘合强度。本发明还提供了半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN106409816A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610557174.7

申请日：2016-07-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  陈英儒

IPC: H01L23/544

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83005

Abstract: 本发明的实施例提供了具有对准标记的管芯及其形成方法。一种方法包括：在第一工件的第一侧面上形成沟槽，所述第一工件的管芯介于相邻的沟槽之间；去除管芯的一部分以形成对准标记，对准标记延伸穿过管芯的整个厚度。减薄第一工件的第二侧面，直到管芯被分割，第二侧面与第一侧面相对。

公开(公告)号：CN105990272A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510759360.4

申请日：2015-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈洁 ,  陈宪伟

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L21/561 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/09 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83005 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明实施例提供一种封装件，包括器件管芯、环绕器件管芯的成型材料、以及位于器件管芯和成型材料上方的底部介电层，其中，成型材料的顶面与器件管芯的顶面基本齐平。多个再分布衬里(RDL)延伸至底部介电层内并且电耦接至器件管芯。顶部聚合物层位于底部介电层上方，其中，沟槽环穿过顶部聚合物层。沟槽环邻近封装件的边缘。封装件还包括延伸至顶部聚合物层内的凸块下金属(UBM)。本发明实施例还提供一种方法。