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公开(公告)号:CN101075588A
公开(公告)日:2007-11-21
申请号:CN200610169067.3
申请日:2006-12-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/822
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/02123 , H01L21/02274 , H01L21/02282 , H01L21/302 , H01L21/314 , H01L21/316 , H01L21/3185 , H01L21/563 , H01L21/78 , H01L23/52 , H01L23/585 , H01L24/48 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01327 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种具有应力调整层的集成电路及其制造方法,可以避免晶片翘曲及破损。该具有应力调整层的集成电路的制造方法包括:提供具有第一表面及第二表面的半导体基板,其中该半导体基板的厚度大体小于150μm;形成多个膜层于该基板的第一表面,该多个膜层在该半导体基板上施加应力;以及,在该第一表面及第二表面其中之一上形成应力调整层,并补偿或平衡该多个膜层施加在半导体晶片上的该应力。
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公开(公告)号:CN101060088A
公开(公告)日:2007-10-24
申请号:CN200710001111.4
申请日:2007-01-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/498
CPC classification number: H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L23/055 , H01L23/3121 , H01L23/36 , H01L23/49816 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15184 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供一种半导体封装结构及其制造方法,特别涉及一种半导体封装的制造方法,包括:提供一封装基板,该封装基板包括一基底材料;形成一内连线结构于该封装基板上,其中该内连线结构包括多个深插塞于该内连线结构的底部;连接至少一晶片至该封装基板的一第一表面;自相对于该第一表面的一第二表面薄化该封装基板,其中至少一部分的该基底材料被移除;以及于薄化该封装基板之后,连接多个球栅阵列球至暴露于该封装基板的该第二表面上的所述深插塞。本发明所提供的半导体封装结构及其制造方法,可有效降低作用于球栅阵列球及低介电常数介电材料的应力,也可增加封装的可靠度,并且提升封装系统的电子性能。
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公开(公告)号:CN119179144A
公开(公告)日:2024-12-24
申请号:CN202411209756.7
申请日:2024-08-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 提出了光学器件和制造方法,其中利用多层级连接件来向光学器件发送光信号并且从光学器件接收光信号。在实施例中,多层级连接单元从光学器件的外部接收光信号,其中,光信号最初位于多个层中。然后,多层级连接单元将光信号布线至单个层的光学组件中。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号:CN118795619A
公开(公告)日:2024-10-18
申请号:CN202410799298.0
申请日:2024-06-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本申请的实施例公开了一种光子组件及其形成方法,该光子组件包括:复合管芯,包括PIC管芯和EIC管芯,PIC管芯中包括波导和光子器件,并且EIC管芯中包含半导体器件;光学连接器单元,包括第一连接器侧镜反射器和第一过渡边缘耦合器,并且附接到复合管芯的顶表面,其中第一连接器侧镜反射器被配置为在穿过复合管芯的垂直延伸光束路径与穿过第一过渡边缘耦合器的水平延伸光束路径之间改变光束方向;以及光纤阵列单元组件,附接到光学连接器单元的侧壁。
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公开(公告)号:CN118173645A
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN202410178582.6
申请日:2024-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/02 , H01L31/0232
Abstract: 方法包括:将光子封装件连接至衬底,其中,光子封装件包括波导和光学耦合至波导的边缘耦合器;将半导体器件邻近光子封装件连接至衬底;在光子封装件的邻近边缘耦合器的第一侧壁上沉积第一保护材料;用密封剂密封光子封装件和半导体器件;穿过密封剂和衬底实施第一锯切工艺,其中,第一锯切工艺暴露第一保护材料;以及去除第一保护材料以暴露光子封装件的第一侧壁。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号:CN113140516B
公开(公告)日:2024-03-12
申请号:CN202011310609.0
申请日:2020-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例涉及封装件及其形成方法。一种形成封装件的方法包括将半导体器件附接到中介层结构,将中介层结构附接到第一载体衬底,将集成的无源器件附接到第一载体衬底,在半导体器件和集成的无源器件上方形成密封剂,将第一载体衬底分离,将密封剂和半导体器件附接到第二载体衬底,在密封剂、中介层结构和集成无源器件上形成第一再分布结构,其中,第一再分布结构接触中介层结构和集成无源器件,以及在第一再分布结构上的形成外部连接件。
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公开(公告)号:CN117238799A
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN202310959144.9
申请日:2023-08-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/603
Abstract: 本发明提供一种装置接合设备。所述装置接合设备包括:第一工艺站,被配置成接收晶圆;第一接合头,被配置成将晶粒载送至晶圆,其中第一接合头包括第一刚性体及真空信道,所述真空信道位于第一刚性体中以用于提供将晶粒载送至晶圆的附着力;以及第二接合头,被配置成将晶粒压抵于晶圆上,第二接合头包括第二刚性体及弹性头,所述弹性头设置于第二刚性体之上以用于按压晶粒,弹性头具有中心部分及环绕中心部分的边缘部分,弹性头的中心部分具有第一厚度,弹性头的边缘部分具有第二厚度,第二厚度大于第一厚度。
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公开(公告)号:CN115472578A
公开(公告)日:2022-12-13
申请号:CN202210020914.9
申请日:2022-01-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/538 , H01L21/56
Abstract: 一种封装结构包括半导体管芯、第一绝缘包封体、多个第一导电特征、互连结构和凸块结构。半导体管芯包括由第一材料制成的多个导电柱。第一绝缘包封体包封半导体管芯。第一导电特征设置在半导体管芯上并且电连接到导电柱。第一导电特征至少包括不同于第一材料的第二材料。互连结构设置在第一导电特征上,其中互连结构包括由第二材料制成的多个连接结构。凸块结构将第一导电特征电连接到连接结构,其中凸块结构包括不同于第一材料和第二材料的第三材料。
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公开(公告)号:CN115064508A
公开(公告)日:2022-09-16
申请号:CN202210294683.0
申请日:2022-03-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本公开涉及多TIM封装及其形成方法。一种方法包括放置封装,该封装包括第一封装组件、第二封装组件以及将第一封装组件和第二封装组件密封在其中的密封剂。该方法还包括在第一封装组件上方附接第一热界面材料,在第二封装组件上方附接不同于第一热界面材料的第二热界面材料,以及在第一热界面材料和第二热界面材料两者上方附接散热器。
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公开(公告)号:CN114765124A
公开(公告)日:2022-07-19
申请号:CN202110563389.0
申请日:2021-05-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/50
Abstract: 用于制造半导体封装件的夹具包括底部件和上部件。底部件包括基底、支撑板和至少一个弹性连接件。支撑板位于基底的中心区域中。至少一个弹性连接件介于支撑板和基底之间。上部件包括帽和外法兰。当上部件设置在底部件上时,帽位于支撑板上面。外法兰设置在帽的边缘处,与帽连接。当上部件设置在底部件上时,外法兰接触底部件的基底。帽包括开口,该开口是通孔。当上部件设置在底部件上时,开口的垂直投影完全落在支撑板上。本申请的实施例还涉及半导体封装件的制造方法。
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