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公开(公告)号：CN102148211B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010213358.4
申请日：2010-06-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/6836 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/6834 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/1357 , H01L2224/136 , H01L2224/16 , H01L2224/16237 , H01L2224/81001 , H01L2224/812 , H01L2224/81815 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/351 , H01L2924/3651 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体元件、半导体组件及半导体元件的形成方法，半导体元件包括一半导体基材；一焊盘区域，位于该半导体基材上；以及一凸块结构，位于该焊盘区域之上且电性连接该焊盘区域。凸块结构包括铜层与位于铜层上的无铅焊料层。无铅焊料层为锡银合金层，且于锡银合金层中的银含量小于1.6重量百分比。当无铅凸块中的银含量较低时，凸块硬度会随之降低。较软的凸块可以消除由于热应力所引起的裂缝问题。
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公开(公告)号：CN102915986A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210444502.4
申请日：2012-11-08
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
发明人： 林仲珉
IPC分类号： H01L23/488
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/3192 , H01L23/49816 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/02331 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/10125 , H01L2224/10145 , H01L2224/11013 , H01L2224/1132 , H01L2224/1134 , H01L2224/1145 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1182 , H01L2224/11825 , H01L2224/11849 , H01L2224/13007 , H01L2224/13008 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13024 , H01L2224/13076 , H01L2224/13084 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13311 , H01L2224/13541 , H01L2224/13553 , H01L2224/13561 , H01L2224/13562 , H01L2224/13582 , H01L2224/13599 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/13794 , H01L2224/138 , H01L2224/13811 , H01L2224/81191 , H01L2924/01028 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/35 , H01L2924/3651 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012
摘要： 一种芯片封装结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的金属焊盘；位于所述半导体衬底上的绝缘层，所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口；位于所述金属焊盘上的球下金属电极；位于所述球下金属电极表面的焊球，所述焊球具有第一围裙结构，所述第一围裙结构覆盖所述球下金属电极底部周围的部分金属焊盘。本发明的芯片封装结构增大了焊球和金属焊盘之间的附着力，提升了芯片封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN102157458A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110042145.4
申请日：2007-05-22
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/498 , H01L23/31
CPC分类号： H01L23/49866 , H01L21/563 , H01L23/24 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0362 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05118 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/0516 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05171 , H01L2224/05571 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/1132 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/115 , H01L2224/11502 , H01L2224/1152 , H01L2224/11849 , H01L2224/13006 , H01L2224/13022 , H01L2224/13111 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/75702 , H01L2224/8121 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2224/83104 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/3512 , H01L2924/3651 , H05K3/244 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012
摘要： 在常规UBM例如Cu、Ni或NiP中，存在的这样问题：在长时间将电子部件保持在高温条件下时导致UBM的阻挡特性被破坏，并且由于在结合界面形成脆性的合金层，导致结合强度降低。焊料连接部分在高温下储存之后长期连接可靠性降低的问题得到了解决。电子部件上提供有：安置在基板或半导体元件上的电极片；和为覆盖所述电极片而安置的阻挡金属层。所述阻挡金属层在与所述电极片接触侧相反的一侧上包含CuNi合金层，所述CuNi合金层含有15至60原子％的Cu和40至85原子％的Ni。
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公开(公告)号：CN102148211A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010213358.4
申请日：2010-06-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/6836 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/6834 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/1357 , H01L2224/136 , H01L2224/16 , H01L2224/16237 , H01L2224/81001 , H01L2224/812 , H01L2224/81815 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/351 , H01L2924/3651 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体元件、半导体组件及半导体元件的形成方法，半导体元件包括一半导体基材；一焊盘区域，位于该半导体基材上；以及一凸块结构，位于该焊盘区域之上且电性连接该焊盘区域。凸块结构包括铜层与位于铜层上的无铅焊料层。无铅焊料层为锡银合金层，且于锡银合金层中的银含量小于1.6重量百分比。当无铅凸块中的银含量较低时，凸块硬度会随之降低。较软的凸块可以消除由于热应力所引起的裂缝问题。
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公开(公告)号：CN1291069C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN03140656.4
申请日：2003-05-31
申请人： 香港科技大学
CPC分类号： H01L24/03 , H01L24/11 , H01L2224/0347 , H01L2224/03912 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05147 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/11901 , H01L2224/131 , H01L2224/29111 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/30107 , H01L2924/3651 , H01L2224/13099
摘要： 本发明提供了一系列新工艺用以通过电镀方法，制备可用于半导体封装，具有微细间距、良好可靠性的焊球。本发明所采用的新工艺技术可适用于不同组分的电镀铅-锡合金焊料、无铅的锡基焊料(如：铜-锡、锡-铜-银、锡-银、锡-铋合金)等。其工艺能够满足焊球边间距50微米以上，焊球直径在50至300微米的需求。在本发明中，通过采用凸点回流控制层，避免了工艺过程中焊料的损失，从而能够制备微细间距和高可靠性焊球。通过对关键工艺和电镀金属层的控制，以调整电镀层微观结构，本发明能够制备用于倒装焊封装的高可靠性焊球。本发明同时应用特殊设计涂覆光胶构件和光刻工艺，以满足微细间距电镀凸点的工艺制备要求。
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