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公开(公告)号：CN107210240B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201680007974.X
申请日：2016-02-01
申请人： 伊文萨思公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/81 , H01L21/768 , H01L23/49838 , H01L23/528 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/10126 , H01L2224/1182 , H01L2224/13023 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13184 , H01L2224/13562 , H01L2224/1357 , H01L2224/1379 , H01L2224/13809 , H01L2224/13811 , H01L2224/13847 , H01L2224/13855 , H01L2224/1601 , H01L2224/16014 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16505 , H01L2224/16507 , H01L2224/81007 , H01L2224/81048 , H01L2224/81143 , H01L2224/81193 , H01L2224/8181 , H01L2224/8182 , H01L2224/81862 , H01L2224/81895 , H01L2224/81903 , H01L2224/81905 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/01051 , H01L2924/01327 , H01L2924/364 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L2924/2064
摘要： 本发明提供了一种大体上涉及微电子器件的设备。在此类设备中，第一基板具有第一表面，其中第一互连件位于所述第一表面上，第二基板具有与所述第一表面间隔开的第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间具有间隙。第二互连件位于所述第二表面上。所述第一互连件的下表面和所述第二互连件的上表面彼此耦接以用于所述第一基板和所述第二基板之间的导电性。导电衬圈围绕第一互连件和第二互连件的侧壁，并且介电层围绕所述导电衬圈。
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公开(公告)号：CN107924878A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680047840.0
申请日：2016-07-05
申请人： 英帆萨斯公司
发明人： 塞普里昂·艾米卡·乌卓
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/12 , H01L21/324 , H01L23/485
CPC分类号： H01L24/17 , H01L21/4853 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/03009 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05568 , H01L2224/05647 , H01L2224/11442 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/1162 , H01L2224/1182 , H01L2224/13083 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13184 , H01L2224/13309 , H01L2224/13311 , H01L2224/13313 , H01L2224/13339 , H01L2224/13344 , H01L2224/13355 , H01L2224/13409 , H01L2224/13561 , H01L2224/1357 , H01L2224/13809 , H01L2224/13811 , H01L2224/13813 , H01L2224/13839 , H01L2224/13844 , H01L2224/13855 , H01L2224/1601 , H01L2224/16058 , H01L2224/16059 , H01L2224/16104 , H01L2224/16113 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16501 , H01L2224/81193 , H01L2224/81204 , H01L2224/81801 , H01L2224/8184 , H01L2224/83815 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/2064 , H01L2924/3511 , H01L2924/3841 , H01L2924/013
摘要： 一种制造一组件的方法可包含在一第一构件的一基板的一第一表面形成一第一导电的元件；藉由曝露到一无电的电镀浴以在所述导电的元件的一表面形成导电的纳米粒子；并列所述第一导电的元件的所述表面以及在一第二构件的一基板的一主要的表面的一第二导电的元件的一对应的表面；以及至少在所述并列的第一及第二导电的元件的介面升高一温度至一接合温度，所述导电的纳米粒子在所述接合温度下使得冶金的接合点形成在所述并列的第一及第二导电的元件之间。所述导电的纳米粒子可被设置在所述第一及第二导电的元件的表面之间。所述导电的纳米粒子可以具有小于100纳米的长度尺寸。
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公开(公告)号：CN102642095A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210035680.1
申请日：2012-02-16
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： B23K35/24 , B23K35/36 , B23K1/00 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/13 , B22F1/0014 , B22F1/025 , B23K35/262 , B23K35/30 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/302 , C22C9/00 , C23C24/106 , H01L23/49811 , H01L23/49883 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05671 , H01L2224/0568 , H01L2224/05686 , H01L2224/1131 , H01L2224/1132 , H01L2224/11502 , H01L2224/13017 , H01L2224/13144 , H01L2224/13599 , H01L2224/13609 , H01L2224/13611 , H01L2224/13613 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13709 , H01L2224/13711 , H01L2224/13713 , H01L2224/13809 , H01L2224/13811 , H01L2224/13813 , H01L2224/13839 , H01L2224/13844 , H01L2224/13847 , H01L2224/13899 , H01L2224/13913 , H01L2224/13939 , H01L2224/13944 , H01L2224/13947 , H01L2224/16058 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16507 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81024 , H01L2224/81055 , H01L2224/81075 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/812 , H01L2224/8121 , H01L2224/8123 , H01L2224/81509 , H01L2224/81511 , H01L2224/81513 , H01L2224/81639 , H01L2224/81644 , H01L2224/81647 , H01L2224/81699 , H01L2224/81711 , H01L2224/81713 , H01L2224/81739 , H01L2224/81744 , H01L2224/8181 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/15738 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/01007 , H01L2924/01008 , H01L2924/01018 , H01L2924/01083 , H01L2924/01031 , H01L2924/0103 , H01L2924/053 , H01L2224/13099 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种导电接合材料、接合导体的方法及制造半导体器件的方法，所述导电接合材料包括如下的金属组分：高熔点金属粒子，其具有第一熔点或更高的熔点；中熔点金属粒子，其具有第二熔点，所述第二熔点为第一温度或更高以及第二温度或更低，所述第二温度低于第一熔点且高于第一温度；以及低熔点金属粒子，其具有第三熔点或更低的熔点，所述第三熔点低于第一温度。
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公开(公告)号：CN107210240A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680007974.X
申请日：2016-02-01
申请人： 伊文萨思公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/81 , H01L21/768 , H01L23/49838 , H01L23/528 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/10126 , H01L2224/1182 , H01L2224/13023 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13184 , H01L2224/13562 , H01L2224/1357 , H01L2224/1379 , H01L2224/13809 , H01L2224/13811 , H01L2224/13847 , H01L2224/13855 , H01L2224/1601 , H01L2224/16014 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16505 , H01L2224/16507 , H01L2224/81007 , H01L2224/81048 , H01L2224/81143 , H01L2224/81193 , H01L2224/8181 , H01L2224/8182 , H01L2224/81862 , H01L2224/81895 , H01L2224/81903 , H01L2224/81905 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/01051 , H01L2924/01327 , H01L2924/364 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L2924/2064
摘要： 本发明提供了一种大体上涉及微电子器件的设备。在此类设备中，第一基板具有第一表面，其中第一互连件位于所述第一表面上，第二基板具有与所述第一表面间隔开的第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间具有间隙。第二互连件位于所述第二表面上。所述第一互连件的下表面和所述第二互连件的上表面彼此耦接以用于所述第一基板和所述第二基板之间的导电性。导电衬圈围绕第一互连件和第二互连件的侧壁，并且介电层围绕所述导电衬圈。
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公开(公告)号：CN102915986B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210444502.4
申请日：2012-11-08
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
发明人： 林仲珉
IPC分类号： H01L23/488
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/3192 , H01L23/49816 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/02331 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/10125 , H01L2224/10145 , H01L2224/11013 , H01L2224/1132 , H01L2224/1134 , H01L2224/1145 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1182 , H01L2224/11825 , H01L2224/11849 , H01L2224/13007 , H01L2224/13008 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13024 , H01L2224/13076 , H01L2224/13084 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13311 , H01L2224/13541 , H01L2224/13553 , H01L2224/13561 , H01L2224/13562 , H01L2224/13582 , H01L2224/13599 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/13794 , H01L2224/138 , H01L2224/13811 , H01L2224/81191 , H01L2924/01028 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/35 , H01L2924/3651 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012
摘要： 一种芯片封装结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的金属焊盘；位于所述半导体衬底上的绝缘层，所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口；位于所述金属焊盘上的球下金属电极；位于所述球下金属电极表面的焊球，所述焊球具有第一围裙结构，所述第一围裙结构覆盖所述球下金属电极底部周围的部分金属焊盘。本发明的芯片封装结构增大了焊球和金属焊盘之间的附着力，提升了芯片封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN102915986A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210444502.4
申请日：2012-11-08
申请人： 南通富士通微电子股份有限公司
发明人： 林仲珉
IPC分类号： H01L23/488
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/3192 , H01L23/49816 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/02331 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/10125 , H01L2224/10145 , H01L2224/11013 , H01L2224/1132 , H01L2224/1134 , H01L2224/1145 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1182 , H01L2224/11825 , H01L2224/11849 , H01L2224/13007 , H01L2224/13008 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13024 , H01L2224/13076 , H01L2224/13084 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13311 , H01L2224/13541 , H01L2224/13553 , H01L2224/13561 , H01L2224/13562 , H01L2224/13582 , H01L2224/13599 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13655 , H01L2224/13794 , H01L2224/138 , H01L2224/13811 , H01L2224/81191 , H01L2924/01028 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/35 , H01L2924/3651 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012
摘要： 一种芯片封装结构，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的金属焊盘；位于所述半导体衬底上的绝缘层，所述绝缘层具有暴露所述金属焊盘的开口；位于所述金属焊盘上的球下金属电极；位于所述球下金属电极表面的焊球，所述焊球具有第一围裙结构，所述第一围裙结构覆盖所述球下金属电极底部周围的部分金属焊盘。本发明的芯片封装结构增大了焊球和金属焊盘之间的附着力，提升了芯片封装的可靠性。
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