公开(公告)号：CN103247593A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210192129.8

申请日：2012-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  吴逸文

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/768 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81413 ,  H01L2224/81416 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体器件包括形成在钝化后互连(PPI)结构的表面上的介电层。聚合物层形成在介电层上方并且将该聚合物层图案化为具有开口以露出介电层的一部分。然后去除介电层的露出部分以露出PPI结构的一部分。然后在PPI结构的第一部分的上方形成焊料凸块并且焊料凸块与PPI结构的第一部分电连接。本发明还提供了钝化后互连结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN103107152A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210041605.6

申请日：2012-02-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林俊宏 ,  陈玉芬 ,  林宗澍 ,  普翰屏 ,  陈宪伟

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/14179 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552

Abstract: 芯片级半导体器件包括半导体管芯、第一凸块和第二凸块。具有第一直径和第一高度的第一凸块形成在半导体管芯的外部区域上。具有第二直径和第二高度的第二凸块形成在半导体管芯的内部区域上。第二直径大于第一直径，而第二高度与第一高度相同。通过改变凸块的形状，可以重新分配整个凸块的应力和应变。因此，提高了芯片级半导体器件的热循环可靠性。本发明还提供了一种用于芯片级封装的凸块。

公开(公告)号：CN103035579A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210193788.3

申请日：2012-06-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨宗颖 ,  陈宪伟 ,  于宗源 ,  梁世纬

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/3142 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种晶圆级芯片尺寸封装件(WLCSP)，包括具有触点焊盘的有源表面和侧面的半导体器件。模件覆盖该半导体器件的侧面。RDL结构包括电连接至触点焊盘并在半导体器件的有源表面上延伸的第一PPI线。UBM层在第一PPI线上方形成并与之电连接。密封环结构围绕模件上的半导体器件的上部外围延伸。该密封环结构包括与第一PPI线和UBM层中的至少一个在相同的水平上延伸的密封层。一种制造WLCSP的方法，包括通过在模制半导体器件上同时形成互连线和密封层，从而形成再布线层压结构。

公开(公告)号：CN102956618A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210289651.8

申请日：2012-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨宗颖 ,  陈宪伟

IPC: H01L23/544

CPC classification number: H01L21/76895 ,  H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种集成电路包括围绕着设置在基板上方的电路设置的密封环结构。第一焊盘与该密封环结构电连接。泄漏电流测试结构与该密封环结构相邻地设置。第二焊盘与该泄漏电流测试结构电连接，其中，该泄漏电流测试结构被配置为在密封环结构和泄漏电流测试结构之间提供泄漏电流测试。本发明还公开了一种带有泄漏电流测试结构的集成电路。

公开(公告)号：CN102148205B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201010260672.8

申请日：2010-08-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L2224/04042

Abstract: 本发明提供一种集成电路结构。上述集成电路结构包括一半导体芯片，包括一边角；一密封环，相邻于上述半导体芯片的边缘；一边角压力释放结构，相邻于上述边角，且实际上邻接于上述密封环，其中上述边角压力释放结构包括一第一部分，位于一顶部金属层中；一电路构件，其中上述电路构件择自下列族群：一内连线结构以及位于上述边角压力释放结构的上述第一部分正下方的一有源电路。本发明中，如果从下层金属层中移除或减少CSR结构会影响释放压力的功能的话，影响会非常少。另一方面，通过可允许于CSR结构的正下方形成有源电路及内连线结构，可节省芯片面积。

公开(公告)号：CN102034779B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201010500676.9

申请日：2010-09-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/522 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种集成电路结构包括半导体芯片，该半导体芯片包括拐角、边缘、和中心。该半导体芯片进一步包括：分布在基板的主表面上的多个凸块焊盘结构；基板的第一区域，在其上形成有第一凸块焊盘结构，该第一凸块焊盘结构具有与其相连的第一数量的支撑金属焊盘；以及基板的第二区域，在其上形成有第二凸块结构，该第二凸块结构具有与其相关的第二数量的支撑金属焊盘，该第二数量大于该第一数量。

公开(公告)号：CN102800650A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201110363632.0

申请日：2011-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  于宗源

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/522 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/525 ,  H01L24/13 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于IC钝化结构的均匀度控制。本发明涉及半导体器件。半导体器件包括包含互连结构的晶片。互连结构包括多个通孔和多个互连线。半导体器件包括设置在互连结构之上的第一导电焊盘。第一导电焊盘电连接至互连结构。半导体器件包括设置在互连结构之上的多个第二导电焊盘。半导体器件包括设置在第一和第二导电焊盘之上并且至少部分地密封第一和第二导电焊盘的钝化层。半导体器件包括电连接至第一导电焊盘但是不与第二导电焊盘的导电端子电连接的导电端子。

公开(公告)号：CN102064155B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201010170232.3

申请日：2010-05-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/522 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11318 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括一半导体基材，其中此半导体基材具有多个微电子构件；一内连线结构形成于前述半导体基材上，其中此内连线结构包括多个金属层及用以一一隔离前述金属层的多个内金属介电层，前述金属层包括一顶金属层；多个虚拟金属介层窗形成于至少二金属层之间并设于前述内连线结构的一区域内；以及一焊垫结构，其中此焊垫结构形成于前述顶金属层的正上方，使此焊垫结构对准于前述内连线结构的上述区域。

公开(公告)号：CN102593043A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110201477.2

申请日：2011-07-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  刘醇鸿

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/522 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05089 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种通过优化伪金属分布增大介电强度的方案，该方案包括以下方法：提供晶圆表示件，包括金属层和在该金属层的上方的多个凸块焊盘，其中，该金属层包括：凸块焊盘正下方区域。将固体金属图案插入金属层，其中，固体金属图案包括：位于凸块焊盘正下方区域中的第一部件和位于凸块焊盘正下方区域以外的第二部件。去除固体金属图案的第二部件的部分，其中，基本上没有去除固体金属图案的第一部件的部分。在去除形成的伪金属图案的步骤期间没有去除固体金属图案的剩余部分。在半导体晶圆中实施伪金属图案和多个凸块焊盘。

公开(公告)号：CN101640190B

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN200810192904.3

申请日：2008-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈宪伟 ,  刘豫文 ,  蔡豪益

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/78 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种减少集成电路角部剥落和破裂的破裂防止结构。破裂防止结构包括：半导体衬底；布置在半导体衬底上的第一材料的第一多个电介质层；以不同于第一材料的第二材料，布置在第一多个电介质层上的第二多个电介质层，其中，第一多个电介质层和第二多个电介质层在界面处相遇；和通过第一多个电介质层和第二多个电介质层的界面形成的多个金属结构和多个通孔结构。