封装件结构及其形成方法

    公开(公告)号:CN106887422B

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201610688826.0

    申请日:2016-08-19

    IPC分类号: H01L23/498 H01L21/48

    摘要: 本发明的实施例提供了封装件结构及其形成方法。封装件结构包括衬底和在衬底上方形成的半导体管芯。封装件结构还包括覆盖半导体管芯的封装件层和在封装件层中形成的导电结构。封装件结构包括在导电结构上形成的第一绝缘层,并且第一绝缘层包括一价金属氧化物。在第一绝缘层和封装件层之间形成第二绝缘层。第二绝缘层包括一价金属氧化物,并且第二绝缘层中的一价金属氧化物的重量比大于第一绝缘层中的一价金属氧化物的重量比。