公开(公告)号：CN103447713A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310125016.0

申请日：2013-04-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 北岛雅之 ,  山上高丰 ,  久保田崇 ,  石川邦子

IPC: B23K35/26 ,  B23K35/363 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L21/64 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/03825 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/03829 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2744 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/29411 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83438 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83464 ,  H01L2224/83466 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/0272 ,  H05K2201/10636 ,  H05K2203/047 ,  Y02P70/611 ,  Y10T428/12014 ,  Y10T428/12222 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种导电键合材料、其制造方法以及电子装置的制造方法，该导电键合材料包括焊料成分，该焊料成分包括：具有至少一个孔隙的第一金属的金属发泡体，当金属发泡体在高于第一金属的熔点的温度下被加热时，孔隙吸收熔化的第一金属；以及第二金属，其熔点低于第一金属的熔点。

公开(公告)号：CN103028861A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210320844.5

申请日：2012-08-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 久保田崇 ,  北嶋雅之 ,  山上高丰 ,  石川邦子

IPC: B23K35/24 ,  B23K35/36 ,  B23K1/00 ,  H01L21/60

CPC classification number: B23K35/262 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/24 ,  B23K35/286 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/302 ,  B23K35/36 ,  B23K35/3613 ,  B23K2101/40 ,  C22C12/00 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01B1/22 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19105 ,  H05K1/0269 ,  H05K3/3463 ,  H05K2201/0272 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供导电接合材料、导体接合方法和半导体器件制造方法。一种导电接合材料，包含：第一金属颗粒、第二金属颗粒和第三金属颗粒，所述第二金属颗粒的平均颗粒直径大于所述第一金属颗粒的平均颗粒直径，所述第三金属颗粒的平均颗粒直径大于所述第一金属颗粒的平均颗粒直径、相对密度大于所述第一金属颗粒的相对密度并且熔点高于所述第二金属颗粒的熔点。

公开(公告)号：CN1542936A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410001879.8

申请日：2000-08-04

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 马场俊二 ,  山上高丰 ,  海沼则夫 ,  小八重健二 ,  吉良秀彦 ,  小林弘

IPC: H01L21/607 ,  B23K31/00 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体芯片安装装置，包括：焊接工具，所述焊接工具在绝缘粘合剂置于提供有突点的半导体芯片和提供有焊盘的基板之间的同时按压半导体芯片，并且将突点超声焊接到焊盘上，其中该焊接工具为方杆形，其侧面相对于焊接工具的相邻拐角之间假想的平坦表面向内弯曲。

公开(公告)号：CN102642095A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210035680.1

申请日：2012-02-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 山上高丰 ,  久保田崇 ,  石川邦子 ,  北嶋雅之

IPC: B23K35/24 ,  B23K35/36 ,  B23K1/00 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  B22F1/0014 ,  B22F1/025 ,  B23K35/262 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  C22C9/00 ,  C23C24/106 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49883 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11502 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13613 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13709 ,  H01L2224/13711 ,  H01L2224/13713 ,  H01L2224/13809 ,  H01L2224/13811 ,  H01L2224/13813 ,  H01L2224/13839 ,  H01L2224/13844 ,  H01L2224/13847 ,  H01L2224/13899 ,  H01L2224/13913 ,  H01L2224/13939 ,  H01L2224/13944 ,  H01L2224/13947 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81055 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/812 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81509 ,  H01L2224/81511 ,  H01L2224/81513 ,  H01L2224/81639 ,  H01L2224/81644 ,  H01L2224/81647 ,  H01L2224/81699 ,  H01L2224/81711 ,  H01L2224/81713 ,  H01L2224/81739 ,  H01L2224/81744 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/053 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种导电接合材料、接合导体的方法及制造半导体器件的方法，所述导电接合材料包括如下的金属组分：高熔点金属粒子，其具有第一熔点或更高的熔点；中熔点金属粒子，其具有第二熔点，所述第二熔点为第一温度或更高以及第二温度或更低，所述第二温度低于第一熔点且高于第一温度；以及低熔点金属粒子，其具有第三熔点或更低的熔点，所述第三熔点低于第一温度。

公开(公告)号：CN100397604C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200510127049.4

申请日：2000-04-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉良秀彦 ,  马场俊二 ,  海沼则夫 ,  冈田徹 ,  山上高丰 ,  佐佐木康则 ,  小宫山武司 ,  小八重健二 ,  小林弘

IPC: H01L21/607 ,  B23K20/10

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种用超声振动将半导体芯片上的导体凸起连接到基片上相应的垫子上的连接设备，它具有：一接收平台，它的接收表面用于接收与带有垫子的基片第二表面相对的基片的第一表面，以及一连接装置，它的端面用于保持与带有导体凸起的半导体芯片的第二表面相对的半导体芯片的第一表面，以及具有封闭表面的封闭元件，上述端面通过在端面上开启孔的吸力吸附半导体芯片的第一表面，上述封闭元件可以移动去封闭端面上的吸孔，从而封闭表面和端面形成简单的平面。还提供了一种用超声振动连接半导体芯片上的导体凸起和基片上相应的垫子的连接方法。

公开(公告)号：CN1303854C

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200410001880.0

申请日：2000-08-04

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 马场俊二 ,  山上高丰 ,  海沼则夫 ,  小八重健二 ,  吉良秀彦 ,  小林弘

IPC: H05K3/34 ,  H01L21/607 ,  G11B5/48

CPC classification number: H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 安装半导体芯片的方法和装置，所述方法包括以下步骤：按压半导体芯片，同时将绝缘粘合剂置于提供有突点的半导体芯片和提供有焊盘的基板之间，以及将突点超声焊接到焊盘上，其中将对于半导体芯片和焊接工具的摩擦系数比半导体芯片和焊接工具之间的摩擦系数大的薄片置于半导体芯片和焊接工具之间，由此进行超声焊接；所述装置包括焊接工具以及移动和放置所述薄片的工具。

公开(公告)号：CN1797748A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510127050.7

申请日：2000-04-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉良秀彦 ,  马场俊二 ,  海沼则夫 ,  冈田徹 ,  山上高丰 ,  佐佐木康则 ,  小宫山武司 ,  小八重健二 ,  小林弘

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体零件，它具有：一主芯片体；以及一蒸发成型的和包覆主芯片体的保护层。还提供了制造集成电路芯片的方法。

公开(公告)号：CN1797729A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510127049.4

申请日：2000-04-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉良秀彦 ,  马场俊二 ,  海沼则夫 ,  冈田徹 ,  山上高丰 ,  佐佐木康则 ,  小宫山武司 ,  小八重健二 ,  小林弘

IPC: H01L21/607 ,  B23K20/10

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种用超声振动将半导体芯片上的导体凸起连接到基片上相应的垫子上的连接设备，它具有：一接收平台，它的接收表面用于接收与带有垫子的基片第二表面相对的基片的第一表面，以及一连接装置，它的端面用于保持与带有导体凸起的半导体芯片的第二表面相对的半导体芯片的第一表面，以及具有封闭表面的封闭元件，上述端面通过在端面上开启孔的吸力吸附半导体芯片的第一表面，上述封闭元件可以移动去封闭端面上的吸孔，从而封闭表面和端面形成简单的平面。还提供了一种用超声振动连接半导体芯片上的导体凸起和基片上相应的垫子的连接方法。

公开(公告)号：CN1237512C

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN00108139.X

申请日：2000-04-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉良秀彦 ,  马场俊二 ,  海沼则夫 ,  冈田徹 ,  山上高丰 ,  佐佐木康则 ,  小宫山武司 ,  小八重健二 ,  小林弘

IPC: G11B5/48 ,  H01L23/00 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L21/568 ,  B29C2043/5825 ,  G11B5/4806 ,  G11B5/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L29/0657 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/749 ,  H01L2224/75 ,  H01L2224/7515 ,  H01L2224/75302 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13111

Abstract: 带有安装面的磁头组件，在安装面上安装集成电路芯片用以处理信号。集成电路芯片包覆保护层，用以防止由集成电路芯片产生外来颗粒。

公开(公告)号：CN100411159C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200510127050.7

申请日：2000-04-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉良秀彦 ,  马场俊二 ,  海沼则夫 ,  冈田徹 ,  山上高丰 ,  佐佐木康则 ,  小宫山武司 ,  小八重健二 ,  小林弘

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体零件，它具有：一主芯片体；以及一蒸发成型的和包覆主芯片体的保护层。还提供了制造集成电路芯片的方法。