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公开(公告)号：CN107210240A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680007974.X
申请日：2016-02-01
申请人： 伊文萨思公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/81 , H01L21/768 , H01L23/49838 , H01L23/528 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/10126 , H01L2224/1182 , H01L2224/13023 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13184 , H01L2224/13562 , H01L2224/1357 , H01L2224/1379 , H01L2224/13809 , H01L2224/13811 , H01L2224/13847 , H01L2224/13855 , H01L2224/1601 , H01L2224/16014 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16505 , H01L2224/16507 , H01L2224/81007 , H01L2224/81048 , H01L2224/81143 , H01L2224/81193 , H01L2224/8181 , H01L2224/8182 , H01L2224/81862 , H01L2224/81895 , H01L2224/81903 , H01L2224/81905 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/01051 , H01L2924/01327 , H01L2924/364 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L2924/2064
摘要： 本发明提供了一种大体上涉及微电子器件的设备。在此类设备中，第一基板具有第一表面，其中第一互连件位于所述第一表面上，第二基板具有与所述第一表面间隔开的第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间具有间隙。第二互连件位于所述第二表面上。所述第一互连件的下表面和所述第二互连件的上表面彼此耦接以用于所述第一基板和所述第二基板之间的导电性。导电衬圈围绕第一互连件和第二互连件的侧壁，并且介电层围绕所述导电衬圈。
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公开(公告)号：CN102347284A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110037676.4
申请日：2011-02-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/00 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/93 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11416 , H01L2224/11422 , H01L2224/11424 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/118 , H01L2224/1181 , H01L2224/1182 , H01L2224/11822 , H01L2224/11827 , H01L2224/11848 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/13005 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/132 , H01L2224/13211 , H01L2224/13339 , H01L2224/13562 , H01L2224/13584 , H01L2224/13611 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/13664 , H01L2224/1379 , H01L2224/13794 , H01L2224/13809 , H01L2224/13813 , H01L2224/13817 , H01L2224/13818 , H01L2224/1382 , H01L2224/13849 , H01L2224/13855 , H01L2224/13857 , H01L2224/1386 , H01L2224/13866 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/93 , H01L2225/06513 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01058 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/00014 , H01L2924/01039 , H01L2224/11 , H01L2924/00
摘要： 本发明一实施例提供一种半导体元件及其形成方法，其中半导体元件的形成方法包括：提供一基底；于该基底上形成一焊料凸块；将一少量元素导入至一区域中，该区域邻接该焊料凸块的一顶表面；以及对该焊料凸块进行一回焊工艺以驱使该少量元素进入该焊料凸块之中。采用本发明的实施例，在公知技术中不适合加进金属凸块中的许多类型的少量元素现可被添加。因此，金属凸块的性质可获显著的提升。
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公开(公告)号：CN107924878A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680047840.0
申请日：2016-07-05
申请人： 英帆萨斯公司
发明人： 塞普里昂·艾米卡·乌卓
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/12 , H01L21/324 , H01L23/485
CPC分类号： H01L24/17 , H01L21/4853 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/03009 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05568 , H01L2224/05647 , H01L2224/11442 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11614 , H01L2224/1162 , H01L2224/1182 , H01L2224/13083 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13184 , H01L2224/13309 , H01L2224/13311 , H01L2224/13313 , H01L2224/13339 , H01L2224/13344 , H01L2224/13355 , H01L2224/13409 , H01L2224/13561 , H01L2224/1357 , H01L2224/13809 , H01L2224/13811 , H01L2224/13813 , H01L2224/13839 , H01L2224/13844 , H01L2224/13855 , H01L2224/1601 , H01L2224/16058 , H01L2224/16059 , H01L2224/16104 , H01L2224/16113 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16501 , H01L2224/81193 , H01L2224/81204 , H01L2224/81801 , H01L2224/8184 , H01L2224/83815 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/2064 , H01L2924/3511 , H01L2924/3841 , H01L2924/013
摘要： 一种制造一组件的方法可包含在一第一构件的一基板的一第一表面形成一第一导电的元件；藉由曝露到一无电的电镀浴以在所述导电的元件的一表面形成导电的纳米粒子；并列所述第一导电的元件的所述表面以及在一第二构件的一基板的一主要的表面的一第二导电的元件的一对应的表面；以及至少在所述并列的第一及第二导电的元件的介面升高一温度至一接合温度，所述导电的纳米粒子在所述接合温度下使得冶金的接合点形成在所述并列的第一及第二导电的元件之间。所述导电的纳米粒子可被设置在所述第一及第二导电的元件的表面之间。所述导电的纳米粒子可以具有小于100纳米的长度尺寸。
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公开(公告)号：CN102642095A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210035680.1
申请日：2012-02-16
申请人： 富士通株式会社
IPC分类号： B23K35/24 , B23K35/36 , B23K1/00 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/13 , B22F1/0014 , B22F1/025 , B23K35/262 , B23K35/30 , B23K35/3006 , B23K35/3013 , B23K35/302 , C22C9/00 , C23C24/106 , H01L23/49811 , H01L23/49883 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05671 , H01L2224/0568 , H01L2224/05686 , H01L2224/1131 , H01L2224/1132 , H01L2224/11502 , H01L2224/13017 , H01L2224/13144 , H01L2224/13599 , H01L2224/13609 , H01L2224/13611 , H01L2224/13613 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13709 , H01L2224/13711 , H01L2224/13713 , H01L2224/13809 , H01L2224/13811 , H01L2224/13813 , H01L2224/13839 , H01L2224/13844 , H01L2224/13847 , H01L2224/13899 , H01L2224/13913 , H01L2224/13939 , H01L2224/13944 , H01L2224/13947 , H01L2224/16058 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16507 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81024 , H01L2224/81055 , H01L2224/81075 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/812 , H01L2224/8121 , H01L2224/8123 , H01L2224/81509 , H01L2224/81511 , H01L2224/81513 , H01L2224/81639 , H01L2224/81644 , H01L2224/81647 , H01L2224/81699 , H01L2224/81711 , H01L2224/81713 , H01L2224/81739 , H01L2224/81744 , H01L2224/8181 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/13091 , H01L2924/15738 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , H01L2924/01007 , H01L2924/01008 , H01L2924/01018 , H01L2924/01083 , H01L2924/01031 , H01L2924/0103 , H01L2924/053 , H01L2224/13099 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种导电接合材料、接合导体的方法及制造半导体器件的方法，所述导电接合材料包括如下的金属组分：高熔点金属粒子，其具有第一熔点或更高的熔点；中熔点金属粒子，其具有第二熔点，所述第二熔点为第一温度或更高以及第二温度或更低，所述第二温度低于第一熔点且高于第一温度；以及低熔点金属粒子，其具有第三熔点或更低的熔点，所述第三熔点低于第一温度。
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公开(公告)号：CN107210240B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201680007974.X
申请日：2016-02-01
申请人： 伊文萨思公司
IPC分类号： H01L21/60
CPC分类号： H01L24/81 , H01L21/768 , H01L23/49838 , H01L23/528 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/10126 , H01L2224/1182 , H01L2224/13023 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13184 , H01L2224/13562 , H01L2224/1357 , H01L2224/1379 , H01L2224/13809 , H01L2224/13811 , H01L2224/13847 , H01L2224/13855 , H01L2224/1601 , H01L2224/16014 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/16505 , H01L2224/16507 , H01L2224/81007 , H01L2224/81048 , H01L2224/81143 , H01L2224/81193 , H01L2224/8181 , H01L2224/8182 , H01L2224/81862 , H01L2224/81895 , H01L2224/81903 , H01L2224/81905 , H01L2224/94 , H01L2924/01029 , H01L2924/01051 , H01L2924/01327 , H01L2924/364 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L2924/2064
摘要： 本发明提供了一种大体上涉及微电子器件的设备。在此类设备中，第一基板具有第一表面，其中第一互连件位于所述第一表面上，第二基板具有与所述第一表面间隔开的第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间具有间隙。第二互连件位于所述第二表面上。所述第一互连件的下表面和所述第二互连件的上表面彼此耦接以用于所述第一基板和所述第二基板之间的导电性。导电衬圈围绕第一互连件和第二互连件的侧壁，并且介电层围绕所述导电衬圈。
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公开(公告)号：CN102347284B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201110037676.4
申请日：2011-02-10
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/00 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/93 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11416 , H01L2224/11422 , H01L2224/11424 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/118 , H01L2224/1181 , H01L2224/1182 , H01L2224/11822 , H01L2224/11827 , H01L2224/11848 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/13005 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/132 , H01L2224/13211 , H01L2224/13339 , H01L2224/13562 , H01L2224/13584 , H01L2224/13611 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/13664 , H01L2224/1379 , H01L2224/13794 , H01L2224/13809 , H01L2224/13813 , H01L2224/13817 , H01L2224/13818 , H01L2224/1382 , H01L2224/13849 , H01L2224/13855 , H01L2224/13857 , H01L2224/1386 , H01L2224/13866 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/93 , H01L2225/06513 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01058 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/00014 , H01L2924/01039 , H01L2224/11 , H01L2924/00
摘要： 本发明一实施例提供一种半导体元件及其形成方法，其中半导体元件的形成方法包括：提供一基底；于该基底上形成一焊料凸块；将一少量元素导入至一区域中，该区域邻接该焊料凸块的一顶表面；以及对该焊料凸块进行一回焊工艺以驱使该少量元素进入该焊料凸块之中。采用本发明的实施例，在公知技术中不适合加进金属凸块中的许多类型的少量元素现可被添加。因此，金属凸块的性质可获显著的提升。
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