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公开(公告)号：CN105980087A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480074919.3
申请日：2014-02-04
申请人： 千住金属工业株式会社
CPC分类号： B23K35/0244 , B22F1/0003 , B22F1/0048 , B22F1/025 , B22F9/08 , B22F9/082 , B22F9/14 , B22F2009/0848 , B22F2301/10 , B22F2301/15 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K3/0623 , B23K35/302 , B23K35/3033 , B23K2101/42 , C22C9/00 , C22C19/03 , C22F1/08 , C22F1/10 , H01L23/49816 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13117 , H01L2224/13118 , H01L2224/1312 , H01L2224/13123 , H01L2224/13124 , H01L2224/13138 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13163 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13172 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13179 , H01L2224/1318 , H01L2224/13181 , H01L2224/13183 , H01L2224/13184 , H01L2224/132 , H01L2224/13211 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13305 , H01L2224/13309 , H01L2224/13317 , H01L2224/13318 , H01L2224/1332 , H01L2224/13323 , H01L2224/13324 , H01L2224/13338 , H01L2224/13339 , H01L2224/13344 , H01L2224/13347 , H01L2224/13349 , H01L2224/13355 , H01L2224/13357 , H01L2224/1336 , H01L2224/13363 , H01L2224/13364 , H01L2224/13366 , H01L2224/13369 , H01L2224/1337 , H01L2224/13371 , H01L2224/13372 , H01L2224/13373 , H01L2224/13376 , H01L2224/13378 , H01L2224/13379 , H01L2224/1338 , H01L2224/13381 , H01L2224/13383 , H01L2224/13384 , H01L2224/1339 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1369 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/81011 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H05K2203/041 , B22F2202/13 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2924/01027 , H01L2924/01051 , H01L2924/01032 , H01L2924/01015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , H01L2924/01033 , H01L2924/00014 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/0105 , H01L2924/01083 , H01L2924/0103 , H01L2924/01048 , H01L2924/01016 , H01L2924/01013 , H01L2924/01012 , H01L2924/01022 , H01L2924/01025 , H01L2924/0106 , H01L2924/01071 , H01L2924/01069 , H01L2924/01021 , H01L2924/01068 , H01L2924/01059 , H01L2924/01067 , H01L2924/01066 , H01L2924/01065 , H01L2924/01064 , H01L2924/01061 , H01L2924/01057 , H01L2924/0102 , H01L2924/01063 , H01L2924/0107 , H01L2924/01058 , H01L2924/01038 , H01L2924/01056 , H01L2924/01052 , H01L2924/01076 , H01L2924/01072 , H01L2924/01043 , H01L2924/01004
摘要： 制造抑制了所释放的α射线量的金属球。包括如下工序：将纯金属在比作为去除对象的杂质的沸点高、比纯金属的熔点高、且比纯金属的沸点低的温度下进行加热而使纯金属熔融的工序；将熔融的纯金属造球成为球状的工序，其中，该纯金属与在纯金属所含的杂质中作为去除对象的杂质的对应于气压的沸点相比具有更高的沸点，U的含量为5ppb以下，Th的含量为5ppb以下，纯度为99.9％以上且99.995％以下，Pb或Bi中任一者的含量、或者Pb和Bi的总量为1ppm以上。
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公开(公告)号：CN104769711B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201380057472.4
申请日：2013-10-30
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L29/43 , B81B2207/093 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L21/768 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L29/84 , H01L2224/02166 , H01L2224/03019 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05568 , H01L2224/10126 , H01L2224/11019 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1182 , H01L2224/1183 , H01L2224/11848 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13138 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13163 , H01L2224/13565 , H01L2224/13687 , H01L2224/13688 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2924/00014 , H01L2924/05442 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H01L2924/01034 , H01L2924/0109 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 一种导电互连(340、440、540、640)包括导电支承层(330、430、530、630)，在该导电支承层(330、430、530、630)上的导电材料(320、520、620)，以及部分地包围该导电材料(320、520、620)的无机套环(350、450、550、650)。无机套环(350、450、550、650)也被布置在导电支承层(330、430、530、630)的侧壁上。一种制造导电互连(340、440、540、640)的方法包括在籽晶层(304、504)上制造导电材料(320、520、620)，形成有机套环(310、510)以部分地包围该导电材料(320、520、620)，蚀刻导电籽晶层(304、504)以形成导电支承层(330、430、530、630)，以及进行加热以将有机套环(310、510)转变为无机套环(350、450、550、650)，该无机套环(350、450、550、650)部分地包围导电材料(320、520、620)并布置在导电支承层(330、430、530、630)的侧壁上。有机套环(310、510)可通过在导电材料(320、520、620)上沉积光敏旋涂电介质材料并图案化该光敏旋涂电介质材料来形成。导电材料(620)可以是单个导电材料(320)或者可包括由势垒层分隔的第一导电层(332)和第二导电层(324)的堆叠，在这种情况下加热步骤还导致导电材料堆叠中的第二导电层(324)的回流。
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公开(公告)号：CN104769711A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201380057472.4
申请日：2013-10-30
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L29/43 , B81B2207/093 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L21/768 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L29/84 , H01L2224/02166 , H01L2224/03019 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05568 , H01L2224/10126 , H01L2224/11019 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1182 , H01L2224/1183 , H01L2224/11848 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13138 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13163 , H01L2224/13565 , H01L2224/13687 , H01L2224/13688 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2924/00014 , H01L2924/05442 , H01L2924/12042 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H01L2924/01034 , H01L2924/0109 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 一种导电互连(340、440、540、640)包括导电支承层(330、430、530、630)，在该导电支承层(330、430、530、630)上的导电材料(320、520、620)，以及部分地包围该导电材料(320、520、620)的无机套环(350、450、550、650)。无机套环(350、450、550、650)也被布置在导电支承层(330、430、530、630)的侧壁上。一种制造导电互连(340、440、540、640)的方法包括在籽晶层(304、504)上制造导电材料(320、520、620)，形成有机套环(310、510)以部分地包围该导电材料(320、520、620)，蚀刻导电籽晶层(304、504)以形成导电支承层(330、430、530、630)，以及进行加热以将有机套环(310、510)转变为无机套环(350、450、550、650)，该无机套环(350、450、550、650)部分地包围导电材料(320、520、620)并布置在导电支承层(330、430、530、630)的侧壁上。有机套环(310、510)可通过在导电材料(320、520、620)上沉积光敏旋涂电介质材料并图案化该光敏旋涂电介质材料来形成。导电材料(620)可以是单个导电材料(320)或者可包括由势垒层分隔的第一导电层(332)和第二导电层(324)的堆叠，在这种情况下加热步骤还导致导电材料堆叠中的第二导电层(324)的回流。
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公开(公告)号：CN105980087B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201480074919.3
申请日：2014-02-04
申请人： 千住金属工业株式会社
CPC分类号： B23K35/0244 , B22F1/0003 , B22F1/0048 , B22F1/025 , B22F9/08 , B22F9/082 , B22F9/14 , B22F2009/0848 , B22F2301/10 , B22F2301/15 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K3/0623 , B23K35/302 , B23K35/3033 , B23K2101/42 , C22C9/00 , C22C19/03 , C22F1/08 , C22F1/10 , H01L23/49816 , H01L23/556 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/111 , H01L2224/11334 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13117 , H01L2224/13118 , H01L2224/1312 , H01L2224/13123 , H01L2224/13124 , H01L2224/13138 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13149 , H01L2224/13155 , H01L2224/13157 , H01L2224/1316 , H01L2224/13163 , H01L2224/13164 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/1317 , H01L2224/13171 , H01L2224/13172 , H01L2224/13173 , H01L2224/13176 , H01L2224/13178 , H01L2224/13179 , H01L2224/1318 , H01L2224/13181 , H01L2224/13183 , H01L2224/13184 , H01L2224/132 , H01L2224/13211 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/13305 , H01L2224/13309 , H01L2224/13317 , H01L2224/13318 , H01L2224/1332 , H01L2224/13323 , H01L2224/13324 , H01L2224/13338 , H01L2224/13339 , H01L2224/13344 , H01L2224/13347 , H01L2224/13349 , H01L2224/13355 , H01L2224/13357 , H01L2224/1336 , H01L2224/13363 , H01L2224/13364 , H01L2224/13366 , H01L2224/13369 , H01L2224/1337 , H01L2224/13371 , H01L2224/13372 , H01L2224/13373 , H01L2224/13376 , H01L2224/13378 , H01L2224/13379 , H01L2224/1338 , H01L2224/13381 , H01L2224/13383 , H01L2224/13384 , H01L2224/1339 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1369 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/81011 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H05K2203/041 , B22F2202/13 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2924/01027 , H01L2924/01051 , H01L2924/01032 , H01L2924/01015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2924/01092 , H01L2924/0109 , H01L2924/01033 , H01L2924/00014 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/0105 , H01L2924/01083 , H01L2924/0103 , H01L2924/01048 , H01L2924/01016 , H01L2924/01013 , H01L2924/01012 , H01L2924/01022 , H01L2924/01025 , H01L2924/0106 , H01L2924/01071 , H01L2924/01069 , H01L2924/01021 , H01L2924/01068 , H01L2924/01059 , H01L2924/01067 , H01L2924/01066 , H01L2924/01065 , H01L2924/01064 , H01L2924/01061 , H01L2924/01057 , H01L2924/0102 , H01L2924/01063 , H01L2924/0107 , H01L2924/01058 , H01L2924/01038 , H01L2924/01056 , H01L2924/01052 , H01L2924/01076 , H01L2924/01072 , H01L2924/01043 , H01L2924/01004
摘要： 制造抑制了所释放的α射线量的金属球。包括如下工序：将纯金属在比作为去除对象的杂质的沸点高、比纯金属的熔点高、且比纯金属的沸点低的温度下进行加热而使纯金属熔融的工序；将熔融的纯金属造球成为球状的工序，其中，该纯金属与在纯金属所含的杂质中作为去除对象的杂质的对应于气压的沸点相比具有更高的沸点，U的含量为5ppb以下，Th的含量为5ppb以下，纯度为99.9％以上且99.995％以下，Pb或Bi中任一者的含量、或者Pb和Bi的总量为1ppm以上。
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公开(公告)号：CN107546213A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710502805.X
申请日：2017-06-27
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/535 , H01L23/538 , H01L21/60 , H01L23/31
CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/311 , H01L21/321 , H01L21/56 , H01L23/293 , H01L23/3157 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/02311 , H01L2224/02331 , H01L2224/02333 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/061 , H01L2224/06135 , H01L2224/10145 , H01L2224/11334 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1182 , H01L2224/11849 , H01L2224/1191 , H01L2224/13021 , H01L2224/13024 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13163 , H01L2224/13164 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13686 , H01L2224/1369 , H01L2224/16112 , H01L2224/16237 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81815 , H01L2924/3512 , H01L2924/01029 , H01L2924/013 , H01L2924/01014 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L2924/053 , H01L2224/16225 , H01L2924/00012
摘要： 本发明涉及半导体器件及其制造方法，能够提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有：半导体衬底(1)；导体层(RM)，形成在半导体衬底(1)上、且具有上表面及下表面；导体柱(CP)，在导体层(RM)的上表面上形成，且具有上表面、下表面及侧壁；保护膜(16)，覆盖导体层(RM)的上表面，且具有露出导体柱(CP)上表面及侧壁的开口(16a)；及覆盖导体柱(CP)的侧壁的保护膜(SW)。而且，在俯视中，保护膜(16)的开口(16a)大于导体柱(CP)的上表面，并露出导体柱(CP)的上表面的整个区域。
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公开(公告)号：CN207068843U
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201720758267.6
申请日：2017-06-27
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/535 , H01L23/538 , H01L21/60 , H01L23/31
CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/311 , H01L21/321 , H01L21/56 , H01L23/293 , H01L23/3157 , H01L23/3192 , H01L23/525 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/02311 , H01L2224/02331 , H01L2224/02333 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/03914 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05186 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/06135 , H01L2224/10145 , H01L2224/11334 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/1182 , H01L2224/11849 , H01L2224/1191 , H01L2224/13021 , H01L2224/13024 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13163 , H01L2224/13164 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13686 , H01L2224/1369 , H01L2224/16112 , H01L2224/16237 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81815 , H01L2924/3512 , H01L2924/01029 , H01L2924/013 , H01L2924/01014 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/01047 , H01L2924/014 , H01L2924/053
摘要： 本实用新型涉及半导体器件，能够提高半导体器件的可靠性。半导体器件具有：半导体衬底(1)；导体层(RM)，形成在半导体衬底(1)上、且具有上表面及下表面；导体柱(CP)，在导体层(RM)的上表面上形成，且具有上表面、下表面及侧壁；保护膜(16)，覆盖导体层(RM)的上表面，且具有露出导体柱(CP)上表面及侧壁的开口(16a)；及覆盖导体柱(CP)的侧壁的保护膜(SW)。而且，在俯视中，保护膜(16)的开口(16a)大于导体柱(CP)的上表面，并露出导体柱(CP)的上表面的整个区域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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