VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES CHIPMODULS
    2.
    发明公开
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES CHIPMODULS 审中-公开
    生产芯片模块的过程

    公开(公告)号:EP3236489A2

    公开(公告)日:2017-10-25

    申请号:EP17151929.1

    申请日:2014-11-25

    摘要: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls (72,89,) mit einem Trägersubstrat (30, 81) und zumindest einem auf dem Trägersubstrat angeordneten Chip (33) sowie einer Kontaktleiteranordnung (45) zur Verbindung von Chipanschlussflächen (34) mit auf einer Kontaktseite (56) des Chipmoduls angeordneten Anschlusskontakten (69, 70, 71), bei dem die Ausbildung der Kontaktleiteranordnung durch eine Strukturierung einer Kontaktmateriallage (31, 80) des Trägersubstrats erfolgt, wobei vor Ausbildung der Kontaktleiteranordnung (45) zur Ausbildung einer den Chip (33) einhäusenden Hüllmateriallage (35) ein Hüllmaterial auf das Trägersubstrat (30, 81) aufgebracht wird, wobei die Hüllmateriallage (35) von ihrer Oberseite (37) her zur Freilegung einer Chiprückseite (36) Material abtragend bearbeitet wird, derart, dass die Chiprückseite und eine Kontaktsäule (42) bündig in einer durch die Bearbeitung ausgebildeten Hüllmaterialoberfläche (41) angeordnet sind, dass auf die Chiprückseite eine Basismetallisierung (44) aufgebracht wird und dass die Basismetallisierung (44) sowohl auf die Chiprückseite (36) als auch auf die Hüllmaterialoberfläche (41) und die Kontaksäule (42) aufgebracht wird und dass auf die Basismetallisierung eine Kontaktmaterialschicht (43) zur Ausbildung einer Chiprückseitenkontaktleiteranordnung (51, 62) strukturiert wird.

    摘要翻译: 本发明涉及一种方法,用于与一个载体基片(30,81)和至少一个设置在所述载体基片的芯片(33)和用于(34)的芯片接合垫连接的接触导体配置(45)上制造的芯片模块(72,89) 芯片模块的接触侧(56),设置终端触头(69,70,71),其特征在于,通过构造载体衬底的接触材料层(31,80),形成了接触导体配置的,由此形成之前用于形成芯片的接触导体配置(45)的( 33)einhäusendenHüllmateriallage(35)的载体基板(30,81)上的覆盖材料被施加,其中,所述Hüllmateriallage(35)(从其顶部37)(她以露出芯片背面36)材料加工散热功能,使得芯片后侧 和接触柱(42)齐平地设置在通过机加工形成的壳体材料表面(41)中,a UF基础金属化的芯片背面侧(44)被施加,并且所述碱金属化(44)被施加到两个芯片背面(36)和所述Hüllmaterialoberfläche(41)和所述Kontaksäule(42),并且所述基础金属,接触材料层(43) 以形成芯片背面接触导体布置(51,62)。