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公开(公告)号：TW201523809A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103131082
申请日：2014-09-10
申请人： 迪睿合股份有限公司 , DEXERIALS CORPORATION
发明人： 齋藤崇之 , SAITO, TAKAYUKI , 小山太一 , KOYAMA, TAICHI , 森山浩伸 , MORIYAMA, HIRONOBU
CPC分类号： C09D163/00 , C08G59/42 , C08L63/00 , C09D133/066 , C09J133/04 , C09J133/066 , C09J163/08 , H01L21/563 , H01L21/6836 , H01L23/293 , H01L23/3142 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/2929 , H01L2224/29291 , H01L2224/29387 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/81191 , H01L2224/81204 , H01L2224/81444 , H01L2224/81815 , H01L2224/83191 , H01L2224/83204 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/9211 , H01L2224/9212 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01051 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2924/0635 , H01L2924/05442 , H01L2924/05341 , H01L2924/0549 , H01L2924/0532 , H01L2924/0102 , H01L2924/0544 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2224/27 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/11 , H01L21/78 , C08K5/14 , C08L33/10
摘要： 本發明提供一種可實現寬廣之構裝容限之底部填充材料、及使用其之半導體裝置之製造方法。本發明使用底部填充材料(20)，其含有環氧樹脂、酸酐、丙烯酸樹脂、及有機過氧化物，於5℃/min以上50℃/min以下之升溫速度條件下測量熔融黏度時之最低熔融黏度到達溫度為100℃以上150℃以下，最低熔融黏度為100Pa．s以上5000Pa．s以下。於不同升溫溫度條件下進行測量時之最低熔融黏度到達溫度之變化小，因此即便不嚴密地控制熱壓接時之溫度分佈，亦可實現無空隙構裝及良好焊接性，可實現寬廣之構裝容限。
简体摘要： 本发明提供一种可实现宽广之构装容限之底部填充材料、及使用其之半导体设备之制造方法。本发明使用底部填充材料(20)，其含有环氧树脂、酸酐、丙烯酸树脂、及有机过氧化物，于5℃/min以上50℃/min以下之升温速度条件下测量熔融黏度时之最低熔融黏度到达温度为100℃以上150℃以下，最低熔融黏度为100Pa．s以上5000Pa．s以下。于不同升温温度条件下进行测量时之最低熔融黏度到达温度之变化小，因此即便不严密地控制热压接时之温度分布，亦可实现无空隙构装及良好焊接性，可实现宽广之构装容限。
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公开(公告)号：TW201517181A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103133087
申请日：2014-09-24
发明人： 福井章洋 , FUKUI, AKIHIRO , 高本尚英 , TAKAMOTO, NAOHIDE , 花園博行 , HANAZONO, HIROYUKI
CPC分类号： H01L21/563 , H01L21/4853 , H01L21/6836 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2021/60135 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/29191 , H01L2224/2929 , H01L2224/29291 , H01L2224/293 , H01L2224/29311 , H01L2224/29316 , H01L2224/29318 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29364 , H01L2224/29371 , H01L2224/29387 , H01L2224/29393 , H01L2224/29398 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/81011 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/83211 , H01L2224/83856 , H01L2224/83862 , H01L2224/8388 , H01L2224/83885 , H01L2224/83906 , H01L2224/83907 , H01L2224/83948 , H01L2224/92 , H01L2224/9211 , H01L2224/9212 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2924/3841 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/014 , H01L2924/05442 , H01L2924/0549 , H01L2924/095 , H01L2924/053 , H01L2924/06 , H01L2924/00012 , H01L2924/05432 , H01L2924/0532 , H01L2924/01004 , H01L2924/04642 , H01L2924/05042 , H01L2924/00014 , H01L2924/013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01082 , H01L2924/01049 , H01L2924/01083 , H01L2924/0105 , H01L2924/01029 , H01L2924/01051 , H01L2924/01047 , H01L2224/27 , H01L21/304 , H01L2221/68368 , H01L21/78
摘要： 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於包括如下步驟：準備於半導體晶片之凸塊形成面貼附有片狀樹脂組合物之附片狀樹脂組合物的晶片之步驟A；準備形成有電極之安裝用基板之步驟B；以片狀樹脂組合物作為貼合面而將附片狀樹脂組合物之晶片貼附於安裝用基板上，並使形成於半導體晶片上之凸塊與形成於安裝用基板上之電極相對向之步驟C；於步驟C後，加熱片狀樹脂組合物而使之半硬化之步驟D；於步驟D後，於高於步驟D中之加熱之溫度下進行加熱而使凸塊與電極接合並且使片狀組合物硬化之步驟E。
简体摘要： 一种半导体设备之制造方法，其特征在于包括如下步骤：准备于半导体芯片之凸块形成面贴附有片状树脂组合物之附片状树脂组合物的芯片之步骤A；准备形成有电极之安装用基板之步骤B；以片状树脂组合物作为贴合面而将附片状树脂组合物之芯片贴附于安装用基板上，并使形成于半导体芯片上之凸块与形成于安装用基板上之电极相对向之步骤C；于步骤C后，加热片状树脂组合物而使之半硬化之步骤D；于步骤D后，于高于步骤D中之加热之温度下进行加热而使凸块与电极接合并且使片状组合物硬化之步骤E。
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公开(公告)号：TW201515851A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103137713
申请日：2014-10-31
申请人： 三星SDI股份有限公司 , SAMSUNG SDI CO., LTD.
发明人： 金智軟 , KIM, JI YEON , 姜炅求 , KANG, KYOUNG KU , 朴憬修 , PARK, KYOUNG SOO , 孫秉勤 , SON, BYEONG GEUN , 申潁株 , SHIN, YOUNG JU , 鄭光珍 , JUNG, KWANG JIN , 黃慈英 , HWANG, JA YOUNG
CPC分类号： H01L24/29 , C09J163/00 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2224/13023 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/29083 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29455 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/81193 , H01L2224/81903 , H01L2224/83101 , H01L2224/83204 , H01L2224/83851 , H01L2224/83862 , H01L2924/07811 , H01L2924/15788 , H05K3/323 , H01L2924/00 , H01L2924/0665 , H01L2924/053 , H01L2924/05442 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012
摘要： 揭露各向異性導電膜和使用其的半導體裝置。各向異性導電膜具有三層結構，包含第一絕緣層、導電層和第二絕緣層，其中各向異性導電膜的應力-應變曲線具有如以下方程式1表示的大於0且小於或等於0.2千克力/(平方毫米．%)的斜率A，以及0.4千克力/平方毫米或0.4千克力/平方毫米以上的最大應力(Smax)。 斜率(A，單位：千克力/(平方毫米．%))=(1/2 Smax-S0)/x---(1) 其中，Smax：最大應力，x：最大應力的一半(1/2)下的應變(%)，S0：0應變下的應力。
简体摘要： 揭露各向异性导电膜和使用其的半导体设备。各向异性导电膜具有三层结构，包含第一绝缘层、导电层和第二绝缘层，其中各向异性导电膜的应力-应变曲线具有如以下方进程1表示的大于0且小于或等于0.2千克力/(平方毫米．%)的斜率A，以及0.4千克力/平方毫米或0.4千克力/平方毫米以上的最大应力(Smax)。 斜率(A，单位：千克力/(平方毫米．%))=(1/2 Smax-S0)/x---(1) 其中，Smax：最大应力，x：最大应力的一半(1/2)下的应变(%)，S0：0应变下的应力。
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公开(公告)号：TW201445655A
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW103128729
申请日：2008-09-17
发明人： 鈴木進也 , SUZUKI, SHINYA
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/768
CPC分类号： H01L24/14 , G02F1/13306 , G02F1/133345 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/1345 , G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133302 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/31055 , H01L21/31111 , H01L21/768 , H01L21/76819 , H01L23/485 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L27/13 , H01L29/7833 , H01L2224/02122 , H01L2224/0345 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05073 , H01L2224/05075 , H01L2224/051 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05553 , H01L2224/056 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/13005 , H01L2224/13006 , H01L2224/13009 , H01L2224/13013 , H01L2224/13022 , H01L2224/13027 , H01L2224/13144 , H01L2224/14153 , H01L2224/16225 , H01L2224/271 , H01L2224/2929 , H01L2224/29355 , H01L2224/29444 , H01L2224/32225 , H01L2224/81 , H01L2224/81191 , H01L2224/8185 , H01L2224/83101 , H01L2224/83203 , H01L2224/83851 , H01L2224/9211 , H01L2224/93 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01057 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/04941 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1426 , H01L2924/15788 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2224/11 , H01L2224/83 , H01L2924/00
摘要： 本發明提供一種可提升半導體晶片之凸塊電極與安裝基板之布線之連接可靠性之技術。尤其是提供一種即使在凸塊電極下之最上層布線層配置布線，亦可確保凸塊電極之平坦性而提升凸塊電極與形成於玻璃基板之布線之連接可靠性之技術。在位於凸塊電極BP1之非重疊區域Y正下方之最上層布線層形成由電源布線或信號布線所組成之布線L1及虛設圖案DP。虛設圖案DP係以填埋布線L1間之空間之方式配置，且藉由布線L1與空間而緩和在最上層布線層所產生之凹凸。再者，對於以覆蓋最上層布線層之方式形成之表面保護膜實施藉由CMP法之平坦化處理。
简体摘要： 本发明提供一种可提升半导体芯片之凸块电极与安装基板之布线之连接可靠性之技术。尤其是提供一种即使在凸块电极下之最上层布线层配置布线，亦可确保凸块电极之平坦性而提升凸块电极与形成于玻璃基板之布线之连接可靠性之技术。在位于凸块电极BP1之非重叠区域Y正下方之最上层布线层形成由电源布线或信号布线所组成之布线L1及虚设图案DP。虚设图案DP系以填埋布线L1间之空间之方式配置，且借由布线L1与空间而缓和在最上层布线层所产生之凹凸。再者，对于以覆盖最上层布线层之方式形成之表面保护膜实施借由CMP法之平坦化处理。
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公开(公告)号：TWI455774B
公开(公告)日：2014-10-11
申请号：TW100131825
申请日：2011-09-02
发明人： 沙法 麥克 , 史密特 渥夫岡 , SCHMITT, WOLFGANG
CPC分类号： B22F1/0062 , B22F1/007 , B22F1/0074 , B22F1/02 , B22F7/064 , B22F7/08 , C09D4/00 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05571 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27436 , H01L2224/27442 , H01L2224/27505 , H01L2224/29294 , H01L2224/29295 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29369 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/29424 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29447 , H01L2224/29455 , H01L2224/29464 , H01L2224/29469 , H01L2224/2949 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83464 , H01L2224/83469 , H01L2224/8384 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/0133 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/01046 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2224/05552
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公开(公告)号：TW201343872A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102107556
申请日：2013-03-05
申请人： 迪睿合股份有限公司 , DEXERIALS CORPORATION
发明人： 濱地浩史 , HAMACHI, HIROSHI
CPC分类号： H01L24/27 , C08K3/08 , C08K5/0025 , C08K5/521 , C08K5/54 , C09J9/02 , C09J11/02 , C09J2203/326 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/271 , H01L2224/29082 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/2939 , H01L2224/29444 , H01L2224/29447 , H01L2224/29455 , H01L2224/29464 , H01L2224/32225 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83851 , H01L2224/83855 , H01L2924/15788 , H05K3/323 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 本發明提供一種具有優異之儲存穩定性的電路連接材料、及使用其之構裝體之製造方法。本發明之電路連接材料具有：第1接著層，其含有矽烷偶合劑及導電性粒子；及第2接著層，其含有磷酸酯化合物。本發明藉由將磷酸酯化合物與矽烷偶合劑分開調配於雙層結構之電路連接材料的各層，可防止矽烷偶合劑水解，可獲得優異之儲存穩定性。又，由於含有矽烷偶合劑之第1接著層中含有導電性粒子，故而壓接時可提高與第1電子零件之密接性，並且提高導電性粒子之粒子捕捉率。
简体摘要： 本发明提供一种具有优异之存储稳定性的电路连接材料、及使用其之构装体之制造方法。本发明之电路连接材料具有：第1接着层，其含有硅烷偶合剂及导电性粒子；及第2接着层，其含有磷酸酯化合物。本发明借由将磷酸酯化合物与硅烷偶合剂分开调配于双层结构之电路连接材料的各层，可防止硅烷偶合剂水解，可获得优异之存储稳定性。又，由于含有硅烷偶合剂之第1接着层中含有导电性粒子，故而压接时可提高与第1电子零件之密接性，并且提高导电性粒子之粒子捕捉率。
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公开(公告)号：TW201316468A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101131840
申请日：2012-08-31
申请人： 英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人： 李 凱文J , LEE, KEVIN J.
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/5384 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/6835 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/06181 , H01L2224/11001 , H01L2224/1183 , H01L2224/1184 , H01L2224/11849 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27436 , H01L2224/27848 , H01L2224/2919 , H01L2224/73104 , H01L2224/81191 , H01L2224/81204 , H01L2224/81815 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83856 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/9211 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/013 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/0105 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/03 , H01L2224/05552 , H01L2224/11 , H01L2224/27 , H01L2224/11848 , H01L21/304
摘要： 描述在矽通孔(TSV)加工期間處理裝置晶圓的結構及方法，其中裝置晶圓是用永久性熱固性材料接合至暫時支撐基板。在移除暫時支撐基板後，暴露包含經回焊焊料凸塊及永久性熱固性材料的平坦前側接合面。
简体摘要： 描述在硅通孔(TSV)加工期间处理设备晶圆的结构及方法，其中设备晶圆是用永久性热固性材料接合至暂时支撑基板。在移除暂时支撑基板后，暴露包含经回焊焊料凸块及永久性热固性材料的平坦前侧接合面。
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公开(公告)号：TWI608066B
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：TW103119969
申请日：2014-06-10
申请人： 東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
发明人： 榛葉陽一 , SHIMBA, YOICHI , 松村和行 , MATSUMURA, KAZUYUKI , 野中敏央 , NONAKA, TOSHIHISA
IPC分类号： C09J163/00 , C09J11/04 , C09J11/06 , C08G59/68 , C09J7/00 , H01L21/52 , H01L23/31 , H01L23/538 , H01L25/03 , H01L25/18 , H05K3/36
CPC分类号： C08J5/18 , B29C41/02 , B29K2063/00 , B29K2105/16 , B29K2509/00 , C08J2363/00 , C08K3/013 , C08K5/07 , C08K9/04 , H01L21/50 , H01L21/6836 , H01L23/49558 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L2021/603 , H01L2221/68327 , H01L2224/1134 , H01L2224/1146 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27334 , H01L2224/2929 , H01L2224/29387 , H01L2224/29388 , H01L2224/29499 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81204 , H01L2224/81801 , H01L2224/81903 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83204 , H01L2224/83862 , H01L2224/83874 , H01L2224/9211 , H01L2225/06513 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/3512 , H05K3/305 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/05442 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , C08K3/0033 , C08L63/00
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公开(公告)号：TW201742216A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106106481
申请日：2017-02-24
发明人： 曽我恭子 , SOGA, KYOKO , 淺井聡 , ASAI, SATOSHI
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/522 , G03F7/26
CPC分类号： H01L25/0657 , C08G59/621 , C08G59/623 , C08G77/18 , C08G77/52 , C08L63/00 , C08L83/14 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/0757 , H01L21/563 , H01L21/78 , H01L23/296 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/05147 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11002 , H01L2224/11334 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11901 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1329 , H01L2224/13291 , H01L2224/133 , H01L2224/13393 , H01L2224/16148 , H01L2224/271 , H01L2224/2741 , H01L2224/27416 , H01L2224/27422 , H01L2224/27436 , H01L2224/27618 , H01L2224/27848 , H01L2224/29011 , H01L2224/2919 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/8114 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81204 , H01L2224/81815 , H01L2224/81986 , H01L2224/83048 , H01L2224/83075 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83204 , H01L2224/83862 , H01L2224/83986 , H01L2224/9211 , H01L2224/92125 , H01L2224/92143 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2924/00015 , H01L2924/3511 , H01L2924/381 , H01L2924/3841 , H01L2224/48 , H01L2224/83102 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/01006 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/81201 , C08L83/04
摘要： 本發明提供基板彼此或基板與元件之接著良好，且該等之電性連接亦良好之半導體裝置之製造方法。 該半導體裝置之製造方法具有下述步驟：準備設有焊墊或設有焊墊進而設有栓柱之第1基板與設有栓柱之第2基板或元件之步驟；於第1基板之焊墊或栓柱及第2基板或元件之栓柱之至少一者上形成焊料球之步驟；以感光性絕緣層覆蓋第1基板之焊墊形成面及第2基板或元件之栓柱形成面之至少一者的步驟；於由感光性絕緣層覆蓋後之基板或元件中之焊墊或栓柱上，以微影術形成開口之步驟；通過開口使第2基板或元件之栓柱透過焊料球壓接接合於第1基板之焊墊或栓柱之步驟；藉由烘烤使第1基板之焊墊或栓柱與第2基板或元件之栓柱電性連接之步驟；及藉由烘烤使感光性絕緣層硬化之步驟。
简体摘要： 本发明提供基板彼此或基板与组件之接着良好，且该等之电性连接亦良好之半导体设备之制造方法。 该半导体设备之制造方法具有下述步骤：准备设有焊垫或设有焊垫进而设有栓柱之第1基板与设有栓柱之第2基板或组件之步骤；于第1基板之焊垫或栓柱及第2基板或组件之栓柱之至少一者上形成焊料球之步骤；以感光性绝缘层覆盖第1基板之焊垫形成面及第2基板或组件之栓柱形成面之至少一者的步骤；于由感光性绝缘层覆盖后之基板或组件中之焊垫或栓柱上，以微影术形成开口之步骤；通过开口使第2基板或组件之栓柱透过焊料球压接接合于第1基板之焊垫或栓柱之步骤；借由烘烤使第1基板之焊垫或栓柱与第2基板或组件之栓柱电性连接之步骤；及借由烘烤使感光性绝缘层硬化之步骤。
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公开(公告)号：TWI595062B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW101138290
申请日：2012-10-17
发明人： 本田一尊 , HONDA, KAZUTAKA , 永井朗 , NAGAI, AKIRA , 佐藤慎 , SATOU, MAKOTO
IPC分类号： C09J163/00 , C09J11/06 , C08K5/11 , H01L21/56
CPC分类号： C09J11/06 , B23K35/3613 , B23K35/3618 , B23K35/362 , C08K5/092 , C09J163/00 , H01L21/563 , H01L23/295 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L2224/03825 , H01L2224/0401 , H01L2224/051 , H01L2224/05111 , H01L2224/05116 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05575 , H01L2224/0558 , H01L2224/056 , H01L2224/05611 , H01L2224/05616 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/11825 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13575 , H01L2224/1358 , H01L2224/136 , H01L2224/13611 , H01L2224/13639 , H01L2224/13644 , H01L2224/13647 , H01L2224/13655 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/17181 , H01L2224/271 , H01L2224/27416 , H01L2224/27436 , H01L2224/27848 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/73104 , H01L2224/81011 , H01L2224/81121 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/81895 , H01L2224/81907 , H01L2224/831 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/83855 , H01L2224/83862 , H01L2224/9205 , H01L2224/92122 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H05K3/305 , H05K3/3436 , H05K2201/0367 , H05K2201/10977 , Y02P70/613 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/8385 , H01L2924/00 , C08L63/00 , H01L2224/27 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01029 , H01L2224/11 , H01L2924/0001
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