公开(公告)号：US08623756B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US13167257

申请日：2011-06-23

申请人： Chita Chuang ,  Sheng-Yu Wu ,  Tin-Hao Kuo ,  Pei-Chun Tsai ,  Ming-Da Cheng ,  Chen-Shien Chen

发明人： Chita Chuang ,  Sheng-Yu Wu ,  Tin-Hao Kuo ,  Pei-Chun Tsai ,  Ming-Da Cheng ,  Chen-Shien Chen

IPC分类号： H01L21/283

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/742 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81

摘要： A system and method for forming conductive connections is disclosed. An embodiment comprises forming conductive material on to contacts of a semiconductor substrate. The semiconductor substrate is then inverter such that the conductive material is beneath the semiconductor substrate, and the conductive material is reflowed to form a conductive bump. The reflow is performed using gravity in order to form a more uniform shape for the conductive bump.

摘要翻译： 公开了一种用于形成导电连接的系统和方法。 一个实施例包括在半导体衬底的触点上形成导电材料。 然后半导体衬底是反射器，使得导电材料在半导体衬底下方，并且导电材料被回流以形成导电凸块。 使用重力进行回流，以便为导电凸块形成更均匀的形状。

公开(公告)号：US08426256B2

公开(公告)日：2013-04-23

申请号：US12700929

申请日：2010-02-05

申请人： C. W. Hsiao ,  Bo-I Lee ,  Tsung-Ding Wang ,  Kai-Ming Ching ,  Chen-Shien Chen ,  Chien-Hsiun Lee ,  Clinton Chao

发明人： C. W. Hsiao ,  Bo-I Lee ,  Tsung-Ding Wang ,  Kai-Ming Ching ,  Chen-Shien Chen ,  Chien-Hsiun Lee ,  Clinton Chao

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming a stacked die structure is disclosed. A plurality of dies are respectively bonded to a plurality of semiconductor chips on a first surface of a wafer. An encapsulation structure is formed over the plurality of dies and the first surface of the wafer. The encapsulation structure covers a central portion of the first surface of the wafer and leaves an edge portion of the wafer exposed. A protective material is formed over the first surface of the edge portion of the wafer.

摘要翻译： 公开了一种形成堆叠的模具结构的方法。 多个管芯分别与晶片的第一表面上的多个半导体芯片接合。 在多个管芯和晶片的第一表面上形成封装结构。 封装结构覆盖晶片的第一表面的中心部分并且使晶片的边缘部分露出。 在晶片的边缘部分的第一表面上形成保护材料。

公开(公告)号：US20120329264A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：US13167257

申请日：2011-06-23

申请人： Chita Chuang ,  Sheng-Yu Wu ,  Tin-Hao Kuo ,  Pei-Chun Tsai ,  Ming-Da Cheng ,  Chen-Shien Chen

发明人： Chita Chuang ,  Sheng-Yu Wu ,  Tin-Hao Kuo ,  Pei-Chun Tsai ,  Ming-Da Cheng ,  Chen-Shien Chen

IPC分类号： H01L21/283

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/742 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81

摘要： A system and method for forming conductive connections is disclosed. An embodiment comprises forming conductive material on to contacts of a semiconductor substrate. The semiconductor substrate is then inverter such that the conductive material is beneath the semiconductor substrate, and the conductive material is reflowed to form a conductive bump. The reflow is performed using gravity in order to form a more uniform shape for the conductive bump.

摘要翻译： 公开了一种用于形成导电连接的系统和方法。 一个实施例包括在半导体衬底的触点上形成导电材料。 然后半导体衬底是反射器，使得导电材料在半导体衬底下方，并且导电材料被回流以形成导电凸块。 使用重力进行回流，以便为导电凸块形成更均匀的形状。

公开(公告)号：US20120199966A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13023011

申请日：2011-02-08

申请人： Tin-Hao Kuo ,  Yu-Feng Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Hua Yu ,  Sheng-Yu Wu ,  Chita Chuang

发明人： Tin-Hao Kuo ,  Yu-Feng Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Chen-Hua Yu ,  Sheng-Yu Wu ,  Chita Chuang

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/44

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/05 ,  H01L24/14 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/14141 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： An elongated bump structure for semiconductor devices is provided. An uppermost protective layer has an opening formed therethrough. A pillar is formed within the opening and extending over at least a portion of the uppermost protective layer. The portion extending over the uppermost protective layer exhibits a generally elongated shape. In an embodiment, the position of the opening relative to the portion of the bump structure extending over the uppermost protective layer is such that a ratio of a distance from an edge of the opening to an edge of the bump is greater than or equal to about 0.2. In another embodiment, the position of the opening is offset relative to center of the bump.

摘要翻译： 提供了用于半导体器件的细长凸块结构。 最上面的保护层具有通过其形成的开口。 在该开口内形成一个支柱，并延伸至最上层保护层的至少一部分。 在最上保护层上延伸的部分呈现大致细长的形状。 在一个实施例中，开口相对于在最上保护层上延伸的凸起结构的部分的位置使得从开口的边缘到凸起的边缘的距离的比例大于或等于约 0.2。 在另一个实施例中，开口的位置相对于凸块的中心偏移。

公开(公告)号：US08158489B2

公开(公告)日：2012-04-17

申请号：US12751512

申请日：2010-03-31

申请人： Hon-Lin Huang ,  Ching-Wen Hsiao ,  Kuo-Ching Hsu ,  Chen-Shien Chen

发明人： Hon-Lin Huang ,  Ching-Wen Hsiao ,  Kuo-Ching Hsu ,  Chen-Shien Chen

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/013

摘要： An integrated circuit structure includes a semiconductor wafer, which includes a first notch extending from an edge of the semiconductor wafer into the semiconductor wafer. A carrier wafer is mounted onto the semiconductor wafer. The carrier wafer has a second notch overlapping at least a portion of the first notch. A side of the carrier wafer facing the semiconductor wafer forms a sharp angle with an edge of the carrier wafer. The carrier wafer has a resistivity lower than about 1×108 Ohm-cm.

摘要翻译： 集成电路结构包括半导体晶片，其包括从半导体晶片的边缘延伸到半导体晶片的第一凹口。 载体晶片安装在半导体晶片上。 载体晶片具有与第一凹口的至少一部分重叠的第二切口。 面向半导体晶片的载体晶片的一侧与载体晶片的边缘形成锐角。 载体晶片的电阻率低于约1×108欧姆 - 厘米。

公开(公告)号：US20100330798A1

公开(公告)日：2010-12-30

申请号：US12751512

申请日：2010-03-31

申请人： Hon-Lin Huang ,  Ching-Wen Hsiao ,  Kuo-Ching Hsu ,  Chen-Shien Chen

发明人： Hon-Lin Huang ,  Ching-Wen Hsiao ,  Kuo-Ching Hsu ,  Chen-Shien Chen

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/013

摘要： An integrated circuit structure includes a semiconductor wafer, which includes a first notch extending from an edge of the semiconductor wafer into the semiconductor wafer. A carrier wafer is mounted onto the semiconductor wafer. The carrier wafer has a second notch overlapping at least a portion of the first notch. A side of the carrier wafer facing the semiconductor wafer forms a sharp angle with an edge of the carrier wafer. The carrier wafer has a resistivity lower than about 1×108 Ohm-cm.

摘要翻译： 集成电路结构包括半导体晶片，其包括从半导体晶片的边缘延伸到半导体晶片的第一凹口。 载体晶片安装在半导体晶片上。 载体晶片具有与第一凹口的至少一部分重叠的第二切口。 面向半导体晶片的载体晶片的一侧与载体晶片的边缘形成锐角。 载体晶片的电阻率低于约1×108欧姆 - 厘米。

公开(公告)号：US07851331B2

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：US11563490

申请日：2006-11-27

申请人： Szu Wei Lu ,  Mirng-Ji Lii ,  Chen-Shien Chen ,  Hua-Shu Wu ,  Jerry Tzou

发明人： Szu Wei Lu ,  Mirng-Ji Lii ,  Chen-Shien Chen ,  Hua-Shu Wu ,  Jerry Tzou

IPC分类号： H01L21/46

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/495 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： A semiconductor structure includes a first substrate and a second substrate bonded over the first substrate. The first substrate includes a passivation layer formed over the first substrate. The passivation layer includes at least one first opening exposing a first bonding pad formed over the first substrate. The second substrate includes at least one second opening aligned with and facing the first opening.

摘要翻译： 半导体结构包括第一基板和粘合在第一基板上的第二基板。 第一衬底包括形成在第一衬底上的钝化层。 钝化层包括至少一个第一开口，暴露在第一衬底上形成的第一焊盘。 第二基板包括与第一开口对准并面向第一开口的至少一个第二开口。

公开(公告)号：US20100144094A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12329341

申请日：2008-12-05

申请人： Ming-Fa Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Wen-Chih Chiu

发明人： Ming-Fa Chen ,  Chen-Shien Chen ,  Wen-Chih Chiu

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/92222 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： The formation of through silicon vias (TSVs) in an integrated circuit (IC) die or wafer is described in which the TSV is formed in the integration process prior to metallization processing. TSVs may be fabricated with increased aspect ratio, extending deeper in a wafer substrate. The method generally reduces the risk of overly-thinning a wafer substrate in a wafer back-side grinding process typically used to expose and make electrical contacts to the TSVs. By providing deeper TSVs and bonding pads, individual wafers and dies may be bonded directly between the TSVs and bonding pads on an additional wafer.

摘要翻译： 描述了在集成电路（IC）裸片或晶片中通过硅通孔（TSV）的形成，其中在金属化处理之前的集成工艺中形成TSV。 TSV可以以增加的纵横比制造，在晶片衬底中更深地延伸。 该方法通常降低了通常用于暴露并与TSV的电接触的晶片背面研磨工艺中的晶片衬底过度稀化的风险。 通过提供更深的TSV和接合焊盘，单个晶片和管芯可以直接接合在TSV和附加晶片上的焊盘之间。

公开(公告)号：US20100102453A1

公开(公告)日：2010-04-29

申请号：US12259879

申请日：2008-10-28

申请人： Ming-Hong Tseng ,  Kai-Ming Ching ,  Chen-Shien Chen ,  Ching-Wen Hsiao ,  Hon-Lin Huang ,  Tsung-Ding Wang

发明人： Ming-Hong Tseng ,  Kai-Ming Ching ,  Chen-Shien Chen ,  Ching-Wen Hsiao ,  Hon-Lin Huang ,  Tsung-Ding Wang

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

摘要： A system, a structure and a method of manufacturing stacked semiconductor substrates is presented. A first substrate includes a first side and a second side. A through substrate via (TSV) protrudes from the first side of the first substrate. A first protruding portion of the TSV has a conductive protective coating and a second protruding portion of the TSV has an isolation liner. The system further includes a second substrate and a joint interface structure that bonds the second substrate to the first substrate at the conductive protective coating of the first protruding portion of the TSV.

摘要翻译： 提出了一种制造叠层半导体衬底的系统，结构和方法。 第一基板包括第一侧和第二侧。 贯穿基板通孔（TSV）从第一基板的第一侧突出。 TSV的第一突出部分具有导电保护涂层，并且TSV的第二突出部分具有隔离衬垫。 该系统还包括在TSV的第一突出部分的导电保护涂层处将第二衬底与第一衬底结合的第二衬底和接合界面结构。

公开(公告)号：US20100090318A1

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：US12332934

申请日：2008-12-11

申请人： Kuo-Ching Hsu ,  Chen-Shien Chen

发明人： Kuo-Ching Hsu ,  Chen-Shien Chen

IPC分类号： H01L23/538

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00012

摘要： An integrated circuit structure includes a semiconductor substrate including a front side and a backside. A through-silicon via (TSV) penetrates the semiconductor substrate, and has a back end extending to the backside of the semiconductor substrate. A redistribution line (RDL) is over the backside of the semiconductor substrate and connected to the back end of the TSV. The integrated circuit structure further includes a passivation layer over the RDL; an opening in the passivation layer, wherein a portion of the RDL is exposed through the opening; and a nickel layer in the opening and contacting the RDL.

摘要翻译： 集成电路结构包括包括正面和背面的半导体衬底。 贯穿硅通孔（TSV）穿透半导体衬底，并具有延伸到半导体衬底背面的后端。 再分配线（RDL）位于半导体衬底的背面，并连接到TSV的后端。 集成电路结构还包括RDL上的钝化层; 钝化层中的开口，其中RDL的一部分通过开口暴露; 和开口处的镍层并与RDL接触。