公开(公告)号：US4079406A

公开(公告)日：1978-03-14

申请号：US749171

申请日：1976-12-09

申请人： Joachim Burtscher ,  Helmut Strack

发明人： Joachim Burtscher ,  Helmut Strack

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L29/74

CPC分类号： H01L29/0839

摘要： A thyristor device is provided with a shorted emitter structure in which the shorts are circularly formed zones of the base zone which extend through the emitter zone into electrical contact with the emitter electrode. Each of these zones is circular in cross-section and of a diameter which is less than 20.mu.m. These zones have a spacing from each other from center to center which is such that the ratio of this spacing to the diameter of a circular area is greater than 3.

摘要翻译： 晶闸管器件具有短路发射极结构，其中短路是穿过发射极区延伸穿过发射极电极的基极区的圆形区域。 这些区域中的每个区域的横截面为圆形，直径小于20μm。 这些区域具有从中心到中心彼此间隔的距离，使得该间隔与圆形区域的直径之比大于3。

公开(公告)号：US20140001514A1

公开(公告)日：2014-01-02

申请号：US13539944

申请日：2012-07-02

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack ,  Frank Kahlmann ,  Gerhard Miller

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Franz Hirler ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack ,  Frank Kahlmann ,  Gerhard Miller

IPC分类号： H01L29/36 ,  H01L21/225

CPC分类号： H01L29/66348 ,  H01L21/2205 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/102 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7428 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor device includes a device region. The device region includes at least one device region section including dopant atoms of a first doping type and with a first doping concentration of at least 1E16 cm−3 and dopant atoms of a second doping type and with a second doping concentration of at least 1E16 cm−3.

摘要翻译： 半导体器件包括器件区域。 器件区域包括至少一个器件区域部分，其包括第一掺杂类型的掺杂剂原子和具有至少1E16cm-3的第一掺杂浓度和第二掺杂类型的掺杂剂原子，并且具有至少1E16cm的第二掺杂浓度 -3。

公开(公告)号：US20120256250A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：US13082679

申请日：2011-04-08

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack ,  Franz Hirler

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack ,  Franz Hirler

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823487 ,  H01L27/0694 ,  H01L27/1207 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor component includes a sequence of layers, the sequence of layers including a first insulator layer, a first semiconductor layer disposed on the first insulator layer, a second insulator layer disposed on the first semiconductor layer, and a second semiconductor layer disposed on the second insulator layer. The semiconductor component also includes a plurality of devices at least partly formed in the first semiconductor layer. A first one of the plurality of devices is a power transistor formed in a first region of the first semiconductor layer and a first region of the second semiconductor layer. The first region of the first and second semiconductor layers are in electrical contact with one another through a first opening in the second insulator layer.

摘要翻译： 半导体部件包括一层层，所述层序列包括第一绝缘体层，设置在第一绝缘体层上的第一半导体层，设置在第一半导体层上的第二绝缘体层，以及设置在第二绝缘体层上的第二半导体层 绝缘体层。 半导体部件还包括至少部分地形成在第一半导体层中的多个器件。 多个器件中的第一个是在第一半导体层的第一区域和第二半导体层的第一区域中形成的功率晶体管。 第一和第二半导体层的第一区域通过第二绝缘体层中的第一开口彼此电接触。

公开(公告)号：US20120223420A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：US13470830

申请日：2012-05-14

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Anton Mauder ,  Helmut Strack

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/74 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/76248 ,  H01L21/76283

摘要： One aspect includes a semiconductor arrangement with a semiconductor body having a first surface. A buried material layer is in the semiconductor body, the buried material layer being arranged distant to the first surface. A monocrystalline semiconductor material is arranged between the material layer and the first surface, and a monocrystalline semiconductor material adjoins the material layer in a lateral direction of the semiconductor body.

摘要翻译： 一个方面包括具有半导体本体的具有第一表面的半导体装置。 掩埋材料层位于半导体本体中，掩埋材料层被布置成远离第一表面。 单晶半导体材料布置在材料层和第一表面之间，单晶半导体材料在半导体主体的横向方向上邻接材料层。

公开(公告)号：US20110147817A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12640974

申请日：2009-12-17

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Helmut Strack ,  Hans Weber

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Helmut Strack ,  Hans Weber

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/76251 ,  H01L28/40 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

摘要： Semiconductor component having an oxide layer. One embodiment includes a first semiconductor region and a second semiconductor region. An oxide layer is arranged between the first and second semiconductor region. The first semiconductor region and the oxide layer form a first semiconductor-oxide interface. The second semiconductor region and the oxide layer form a second semiconductor-oxide interface. The oxide layer has a chlorine concentration, the chlorine concentration having a first maximum in the region of the first semiconductor-oxide interface, and having a second maximum in the region of the second semiconductor-oxide interface.

摘要翻译： 具有氧化物层的半导体部件。 一个实施例包括第一半导体区域和第二半导体区域。 氧化物层布置在第一和第二半导体区域之间。 第一半导体区域和氧化物层形成第一半导体 - 氧化物界面。 第二半导体区域和氧化物层形成第二半导体 - 氧化物界面。 氧化物层具有氯浓度，氯浓度在第一半导体 - 氧化物界面的区域具有第一最大值，并且在第二半导体 - 氧化物界面的区域具有第二最大值。

公开(公告)号：US20100210091A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12769976

申请日：2010-04-29

申请人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Helmut Strack ,  Hans-Joerg Timme ,  Wolfgang Werner

发明人： Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Helmut Strack ,  Hans-Joerg Timme ,  Wolfgang Werner

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/461 ,  H01L21/22 ,  H01L21/38 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/263 ,  H01L21/3242

摘要： A method for producing a semiconductor includes providing a p-doped semiconductor body having a first side and a second side; implanting protons into the semiconductor body via the first side to a target depth of the semiconductor body; bonding the first side of the semiconductor body to a carrier substrate; forming an n-doped zone in the semiconductor body by heating the semiconductor body such that a pn junction arises in the semiconductor body; and removing the second side of the semiconductor body at least as far as a space charge zone spanned at the pn junction.

摘要翻译： 一种制造半导体的方法包括提供具有第一侧和第二侧的p掺杂半导体本体; 通过第一侧将半导体本体中的质子注入半导体本体的目标深度; 将半导体主体的第一侧接合到载体基板; 通过加热所述半导体本体从而在半导体本体中形成pn结，形成半导体本体中的n掺杂区; 以及移除所述半导体本体的所述第二侧至少与在所述pn结处跨过的空间电荷区域一样远。

公开(公告)号：US07772693B2

公开(公告)日：2010-08-10

申请号：US11677774

申请日：2007-02-22

申请人： Adolf Koller ,  Horst Theuss ,  Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Helmut Strack ,  Reinhard Ploss

发明人： Adolf Koller ,  Horst Theuss ,  Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Helmut Strack ,  Reinhard Ploss

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： A panel has a baseplate with an upper first metallic layer and a multiplicity of a vertical semiconductor components. The vertical semiconductor components in each case have a first side with a first load electrode and a control electrode and an opposite second side with a second load electrode. The second side of the semiconductor components is in each case mounted on the metallic layer of the baseplate. The semiconductor components are arranged in such a way that edge sides of adjacent semiconductor components are separated from one another. A second metallic layer is arranged in separating regions between the semiconductor components.

摘要翻译： 面板具有具有上部第一金属层和多个垂直半导体部件的基板。 每种情况下的垂直半导体部件具有第一侧，其具有第一负载电极和控制电极，而第二侧具有第二负载电极。 半导体部件的第二面分别安装在基板的金属层上。 半导体部件被配置成使得相邻的半导体部件的边缘彼此分离。 第二金属层布置在半导体部件之间的分离区域中。

公开(公告)号：US20090305486A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：US12482101

申请日：2009-06-10

申请人： Hans-Joachim Schulze ,  Helmut Strack ,  Hans-Joerg Timme ,  Rainer Winkler

发明人： Hans-Joachim Schulze ,  Helmut Strack ,  Hans-Joerg Timme ,  Rainer Winkler

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L29/04 ,  C30B25/18 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/263 ,  H01L21/3225 ,  H01L29/0657

摘要： A method for producing a semiconductor layer is disclosed. One embodiment provides for a semiconductor layer on a semiconductor substrate containing oxygen. Crystal defects are produced at least in a near-surface region of the semiconductor substrate. A thermal process is carried out wherein the oxygen is taken up at the crystal defects. The semiconductor layer is deposited epitaxially over the near-surface region of the semiconductor substrate.

摘要翻译： 公开了半导体层的制造方法。 一个实施例提供了含有氧的半导体衬底上的半导体层。 晶体缺陷至少在半导体衬底的近表面区域产生。 进行热处理，其中氧被吸收在晶体缺陷处。 外延在半导体衬底的近表面区域上沉积半导体层。

公开(公告)号：US20090261468A1

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：US12105837

申请日：2008-04-18

申请人： Werner Kroeninger ,  Josef Schwaiger ,  Ludwig Schneider ,  Ottmar Geitner ,  Markus Brunnbauer ,  Thorsten Meyer ,  Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Helmut Strack ,  Xaver Schloegel

发明人： Werner Kroeninger ,  Josef Schwaiger ,  Ludwig Schneider ,  Ottmar Geitner ,  Markus Brunnbauer ,  Thorsten Meyer ,  Ralf Otremba ,  Josef Hoeglauer ,  Helmut Strack ,  Xaver Schloegel

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/072 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73153 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor module. One embodiment provides at least two semiconductor chips placed on a carrier. The at least two semiconductor chips are then covered with a molding material to form a molded body. The molded body is thinned until the at least two semiconductor chips are exposed. Then, the carrier is removed from the at least two semiconductor chips. The at least two semiconductor chips are singulated.

摘要翻译： 半导体模块。 一个实施例提供放置在载体上的至少两个半导体芯片。 然后将至少两个半导体芯片用模制材料覆盖以形成模制体。 成型体变薄，直到暴露出至少两个半导体芯片。 然后，从至少两个半导体芯片移除载体。 将至少两个半导体芯片分割。

公开(公告)号：US07560783B2

公开(公告)日：2009-07-14

申请号：US11455397

申请日：2006-06-19

申请人： Holger Kapels ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Helmut Strack ,  Jenoe Tihanyi

发明人： Holger Kapels ,  Anton Mauder ,  Hans-Joachim Schulze ,  Helmut Strack ,  Jenoe Tihanyi

IPC分类号： H01L29/772

CPC分类号： H01L29/7805 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28568 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8613

摘要： The present invention relates to a metal-semiconductor contact comprising a semiconductor layer and comprising a metallization applied to the semiconductor layer, a high dopant concentration being introduced into the semiconductor layer such that a non-reactive metal-semiconductor contact is formed between the metallization and the semiconductor layer. The metallization and/or the semiconductor layer are formed in such a way that only a fraction of the introduced doping concentration is electrically active, and a semiconductor layer doped only with this fraction of the doping concentration only forms a Schottky contact when contact is made with the metallization. Furthermore, the invention relates to a semiconductor component comprising a drain zone, body zones embedded therein and source zones again embedded therein. The semiconductor component has metal-semiconductor contacts in which the contacts made contact only with the source zones but not with the body zones.

摘要翻译： 本发明涉及包含半导体层并包含施加到半导体层的金属化的金属 - 半导体接触，将高掺杂浓度引入到半导体层中，使得在金属化和金属化之间形成非反应性金属 - 半导体接触 半导体层。 金属化和/或半导体层以这样的方式形成，使得只有一部分引入的掺杂浓度是电活性的，并且仅当这一部分掺杂浓度掺杂的半导体层仅在与...接触时形成肖特基接触 金属化。 此外，本发明涉及一种半导体部件，其包括漏区，嵌入其中的主体区和再次嵌入其中的源区。 半导体部件具有金属半导体触点，触点仅与源极区域接触而不与主体区域接触。