公开(公告)号：US20130119532A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：US13294859

申请日：2011-11-11

申请人： Chun-Hung Lin ,  Yu-Feng Chen ,  Tsung-Shu Lin ,  Han-Ping Pu ,  Hsien-Wei Chen

发明人： Chun-Hung Lin ,  Yu-Feng Chen ,  Tsung-Shu Lin ,  Han-Ping Pu ,  Hsien-Wei Chen

IPC分类号： H01L23/485

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06136 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/14135 ,  H01L2224/14136 ,  H01L2224/14179 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17051 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552

摘要： A chip scale semiconductor device comprises a semiconductor die, a first bump and a second bump. The first bump having a first diameter and a first height is formed on an outer region of the semiconductor die. A second bump having a second diameter and a second height is formed on an inner region of the semiconductor die. The second diameter is greater than the first diameter while the second height is the same as the first height. By changing the shape of the bump, the stress and strain can be redistributed through the bump. As a result, the thermal cycling reliability of the chip scale semiconductor device is improved.

摘要翻译： 芯片级半导体器件包括半导体管芯，第一突起和第二突起。 具有第一直径和第一高度的第一凸块形成在半导体管芯的外部区域上。 具有第二直径和第二高度的第二凸起形成在半导体管芯的内部区域上。 第二直径大于第一直径，而第二高度与第一高度相同。 通过改变凸块的形状，应力和应变可通过凸块重新分布。 结果，提高了芯片级半导体器件的热循环可靠性。

公开(公告)号：US20130187277A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：US13443556

申请日：2012-04-10

申请人： Yu-Feng Chen ,  Chun-Hung Lin ,  Han-Ping Pu ,  Chih-Hang Tung ,  Kai-Chiang Wu ,  Ming-Che Ho

发明人： Yu-Feng Chen ,  Chun-Hung Lin ,  Han-Ping Pu ,  Chih-Hang Tung ,  Kai-Chiang Wu ,  Ming-Che Ho

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/488 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor die includes a crack stopper on an under-bump metallization (UBM) layer. The crack stopper is in the shape of hollow cylinder with at least two openings.

摘要翻译： 半导体管芯包括在凸块下金属化（UBM）层上的裂纹阻挡层。 裂缝止动器为具有至少两个开口的中空圆筒形状。

公开(公告)号：US20130175705A1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：US13348449

申请日：2012-01-11

申请人： Chun-Hung Lin ,  Yu-Feng Chen ,  Han-Ping Pu ,  Hung-Jui Kuo

发明人： Chun-Hung Lin ,  Yu-Feng Chen ,  Han-Ping Pu ,  Hung-Jui Kuo

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49822 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： A stress compensation for use in packaging, and a method of forming, is provided. The stress compensation layer is placed on an opposing side of a substrate from an integrated circuit die. The stress compensation layer is designed to counteract at least some of the stress exerted structures on the die side of the substrate, such as stresses exerted by a molding compound that at least partially encapsulates the first integrated circuit die. A package may also be electrically coupled to the substrate.

摘要翻译： 提供了用于包装的应力补偿，以及形成方法。 应力补偿层从集成电路管芯放置在衬底的相对侧上。 应力补偿层被设计成抵抗基板的模具侧上的应力施加结构中的至少一些，例如由至少部分地封装第一集成电路管芯的模制化合物施加的应力。 封装还可以电耦合到衬底。

公开(公告)号：US09502360B2

公开(公告)日：2016-11-22

申请号：US13348449

申请日：2012-01-11

申请人： Chun-Hung Lin ,  Yu-Feng Chen ,  Han-Ping Pu ,  Hung-Jui Kuo

发明人： Chun-Hung Lin ,  Yu-Feng Chen ,  Han-Ping Pu ,  Hung-Jui Kuo

IPC分类号： H01L23/52 ,  H01L23/00 ,  H01L25/10 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49822 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

摘要： A stress compensation for use in packaging, and a method of forming, is provided. The stress compensation layer is placed on an opposing side of a substrate from an integrated circuit die. The stress compensation layer is designed to counteract at least some of the stress exerted structures on the die side of the substrate, such as stresses exerted by a molding compound that at least partially encapsulates the first integrated circuit die. A package may also be electrically coupled to the substrate.

摘要翻译： 提供了用于包装的应力补偿，以及形成方法。 应力补偿层从集成电路管芯放置在衬底的相对侧上。 应力补偿层被设计成抵抗基板的模具侧上的应力施加结构中的至少一些，例如由至少部分地封装第一集成电路管芯的模制化合物施加的应力。 封装还可以电耦合到衬底。

公开(公告)号：US09418947B2

公开(公告)日：2016-08-16

申请号：US13406031

申请日：2012-02-27

申请人： Yu-Feng Chen ,  Chun-Hung Lin ,  Han-Ping Pu ,  Ming-Da Cheng ,  Kai-Chiang Wu

发明人： Yu-Feng Chen ,  Chun-Hung Lin ,  Han-Ping Pu ,  Ming-Da Cheng ,  Kai-Chiang Wu

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  H01L25/10 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03334 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05075 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1088 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/206 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： The described embodiments of mechanisms of forming connectors for package on package enable smaller connectors with finer pitch, which allow smaller package size and additional connections. The conductive elements on one package are partially embedded in the molding compound of the package to bond with contacts or metal pads on another package. By embedding the conductive elements, the conductive elements may be made smaller and there are is gaps between the conductive elements and the molding compound. A pitch of the connectors can be determined by adding a space margin to a maximum width of the connectors. Various types of contacts on the other package can be bonded to the conductive elements.

摘要翻译： 所描述的形成用于封装封装的连接器的机构的实施例使得具有更细间距的较小连接器能够实现更小的封装尺寸和附加的连接。 一个封装上的导电元件部分地嵌入封装的模制化合物中，以与另一封装上的触点或金属焊盘结合。 通过嵌入导电元件，可以使导电元件更小，并且在导电元件和模塑料之间存在间隙。 可以通过将连接器的最大宽度添加空间余量来确定连接器的间距。 另一个封装上的各种类型的触点可以结合到导电元件上。

公开(公告)号：US09159686B2

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：US13443556

申请日：2012-04-10

申请人： Yu-Feng Chen ,  Chun-Hung Lin ,  Han-Ping Pu ,  Chih-Hang Tung ,  Kai-Chiang Wu ,  Ming-Che Ho

发明人： Yu-Feng Chen ,  Chun-Hung Lin ,  Han-Ping Pu ,  Chih-Hang Tung ,  Kai-Chiang Wu ,  Ming-Che Ho

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/488 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13012 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor die includes a crack stopper on an under-bump metallization (UBM) layer. The crack stopper is in the shape of hollow cylinder with at least two openings.

摘要翻译： 半导体管芯包括在凸块下金属化（UBM）层上的裂纹阻挡层。 裂缝止动器为具有至少两个开口的中空圆筒形状。

公开(公告)号：US20110115057A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12619460

申请日：2009-11-16

申请人： Yu-Chyi Harn ,  Sophia Wang ,  Chun-Hung Lin ,  Hsien-Wei Chen ,  Ming-Yen Chiu

发明人： Yu-Chyi Harn ,  Sophia Wang ,  Chun-Hung Lin ,  Hsien-Wei Chen ,  Ming-Yen Chiu

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/71 ,  H01L21/26

CPC分类号： G03F9/7084 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method and device for pattern alignment are disclosed. The device can include an exposure field; a die within the exposure field, wherein the die comprises an integrated circuit region, a seal ring region, and a corner stress relief region; and a die alignment mark disposed between the seal ring region and the corner stress relief region.

摘要翻译： 公开了一种用于图案对准的方法和装置。 该装置可以包括曝光场; 在所述曝光场内的管芯，其中所述管芯包括集成电路区域，密封环区域和拐角应力释放区域; 以及设置在密封环区域和角部应力消除区域之间的模具对准标记。

公开(公告)号：US08786054B2

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：US12619460

申请日：2009-11-16

申请人： Yu-Chyi Harn ,  Sophia Wang ,  Chun-Hung Lin ,  Hsien-Wei Chen ,  Ming-Yen Chiu

发明人： Yu-Chyi Harn ,  Sophia Wang ,  Chun-Hung Lin ,  Hsien-Wei Chen ,  Ming-Yen Chiu

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： G03F9/7084 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method and device for pattern alignment are disclosed. The device can include an exposure field; a die within the exposure field, wherein the die comprises an integrated circuit region, a seal ring region, and a corner stress relief region; and a die alignment mark disposed between the seal ring region and the corner stress relief region.

摘要翻译： 公开了一种用于图案对准的方法和装置。 该装置可以包括曝光场; 在所述曝光场内的管芯，其中所述管芯包括集成电路区域，密封环区域和拐角应力释放区域; 以及设置在密封环区域和角部应力消除区域之间的模具对准标记。

公开(公告)号：US08927314B2

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：US13549814

申请日：2012-07-16

申请人： Sheng Yung Liu ,  Chin-Tien Yang ,  Chun-Hung Lin

发明人： Sheng Yung Liu ,  Chin-Tien Yang ,  Chun-Hung Lin

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216

CPC分类号： H01L31/022433 ,  H01L31/02168 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/52

摘要： A method of manufacturing a solar cell includes the steps of: providing a substrate having a front side, a back side and a doped region; forming a conductor layer on the front side; firing the conductor layer at a temperature such that the conductor layer is formed with a first portion embedded into the doped region and a second portion other than the first portion; forming an anti-reflection coating (ARC) layer on the front side and the second portion, wherein the ARC layer covers the conductor layer so that the second portion of the conductor layer is disposed in the ARC layer; and removing the ARC layer on the conductor layer so that the conductor layer has an exposed surface exposed out of the ARC layer, wherein the exposed surface of the conductor layer is substantially flush with a first exposed surface of the ARC layer.

摘要翻译： 一种制造太阳能电池的方法包括以下步骤：提供具有正面，背面和掺杂区域的基板; 在前侧形成导体层; 在使得导体层形成有嵌入掺杂区域的第一部分和除了第一部分之外的第二部分的温度下烧制导体层; 在前侧和第二部分形成防反射涂层（ARC）层，其中ARC层覆盖导体层，使得导体层的第二部分设置在ARC层中; 以及去除所述导体层上的所述ARC层，使得所述导体层具有暴露在所述ARC层外部的暴露表面，其中所述导体层的所述暴露表面基本上与所述ARC层的第一暴露表面齐平。

公开(公告)号：US08728851B2

公开(公告)日：2014-05-20

申请号：US13549877

申请日：2012-07-16

申请人： Sheng Yung Liu ,  Chin-Tien Yang ,  Chun-Hung Lin

发明人： Sheng Yung Liu ,  Chin-Tien Yang ,  Chun-Hung Lin

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022433 ,  H01L31/02168 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/52

摘要： A method of manufacturing a solar cell comprises the steps of: forming a lower conductor layer on a front side of a substrate; firing the lower conductor layer at a first temperature to form a first portion embedded into a doped region of the substrate and a second portion; forming an anti-reflection coating (ARC) layer on the front side and the second portion, wherein the ARC layer covers the lower conductor layer such that the second portion is disposed in the ARC layer; forming an upper conductor layer, corresponding to the lower conductor layer and electrically connected to the lower conductor layer, on the ARC layer; and firing the upper conductor layer at a second temperature to form a first portion embedded into the ARC layer and a second portion, which is exposed out of the ARC layer.

摘要翻译： 一种制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在基板的正面形成下导体层; 在第一温度下焙烧下导体层以形成嵌入衬底的掺杂区域中的第一部分和第二部分; 在前侧和第二部分形成防反射涂层（ARC）层，其中ARC层覆盖下导体层，使得第二部分设置在ARC层中; 在ARC层上形成对应于下导体层并电连接到下导体层的上导体层; 以及在第二温度下烧制所述上导体层以形成嵌入到所述ARC层中的第一部分和暴露在所述ARC层外的第二部分。