公开(公告)号：US09312426B2

公开(公告)日：2016-04-12

申请号：US13313101

申请日：2011-12-07

申请人： Jeffrey P. Gambino ,  Derrick Liu ,  Daniel S. Vanslette

发明人： Jeffrey P. Gambino ,  Derrick Liu ,  Daniel S. Vanslette

IPC分类号： H05K1/09 ,  B05D5/12 ,  B82Y99/00 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L33/00 ,  H01L33/42 ,  H01L51/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01B1/24 ,  H05K3/10

CPC分类号： H01L31/1884 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01B1/24 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L33/005 ,  H01L33/42 ,  H01L51/0021 ,  H05K3/105 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/026 ,  H05K2203/1194 ,  Y02E10/50

摘要： Disclosed are embodiments of a structure with a metal silicide transparent conductive electrode, which is commercially viable, robust and safe to use and, thus, optimal for incorporation into devices, such as flat panel displays, touch panels, solar cells, light emitting diodes (LEDs), organic optoelectronic devices, etc. Specifically, the structure can comprise a substrate (e.g., a glass or plastic substrate) and a transparent conducting film on that substrate. The transparent conducting film can comprise a metal silicide nanowire network. For example, in one embodiment, the metal silicide nanowire network can comprise multiple metal silicide nanowires fused together in a disorderly arrangement so that they form a mesh. In another embodiment, the metal silicide nanowire network can comprise multiple metal silicide nanowires patterned so that they form a grid. Also disclosed herein are various different method embodiments for forming such a structure.

摘要翻译： 公开了具有金属硅化物透明导电电极的结构的实施例，其具有商业上可行性，稳健且安全使用，并且因此最佳地结合到诸如平板显示器，触摸面板，太阳能电池，发光二极管 LED），有机光电子器件等。具体地，该结构可以包括衬底（例如，玻璃或塑料衬底）和该衬底上的透明导电膜。 透明导电膜可以包括金属硅化物纳米线网络。 例如，在一个实施例中，金属硅化物纳米线网络可以包括以无序布置融合在一起的多个金属硅化物纳米线，使得它们形成网状物。 在另一个实施例中，金属硅化物纳米线网络可以包括图案化的多个金属硅化物纳米线，使得它们形成网格。 这里还公开了用于形成这种结构的各种不同的方法实施例。

公开(公告)号：US20130146335A1

公开(公告)日：2013-06-13

申请号：US13313101

申请日：2011-12-07

申请人： Jeffrey P. Gambino ,  Derrick Liu ,  Daniel S. Vanslette

发明人： Jeffrey P. Gambino ,  Derrick Liu ,  Daniel S. Vanslette

IPC分类号： H05K1/09 ,  B05D5/12 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L31/1884 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01B1/24 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L33/005 ,  H01L33/42 ,  H01L51/0021 ,  H05K3/105 ,  H05K2201/0108 ,  H05K2201/026 ,  H05K2203/1194 ,  Y02E10/50

摘要： Disclosed are embodiments of a structure with a metal silicide transparent conductive electrode, which is commercially viable, robust and safe to use and, thus, optimal for incorporation into devices, such as flat panel displays, touch panels, solar cells, light emitting diodes (LEDs), organic optoelectronic devices, etc. Specifically, the structure can comprise a substrate (e.g., a glass or plastic substrate) and a transparent conducting film on that substrate. The transparent conducting film can comprise a metal silicide nanowire network. For example, in one embodiment, the metal silicide nanowire network can comprise multiple metal silicide nanowires fused together in a disorderly arrangement so that they form a mesh. In another embodiment, the metal silicide nanowire network can comprise multiple metal silicide nanowires patterned so that they form a grid. Also disclosed herein are various different method embodiments for forming such a structure.

摘要翻译： 公开了具有金属硅化物透明导电电极的结构的实施例，其具有商业上可行性，稳健且安全使用，并且因此最佳地结合到诸如平板显示器，触摸面板，太阳能电池，发光二极管 LED），有机光电子器件等。具体地，该结构可以包括衬底（例如，玻璃或塑料衬底）和该衬底上的透明导电膜。 透明导电膜可以包括金属硅化物纳米线网络。 例如，在一个实施例中，金属硅化物纳米线网络可以包括以无序布置融合在一起的多个金属硅化物纳米线，使得它们形成网状物。 在另一个实施例中，金属硅化物纳米线网络可以包括图案化的多个金属硅化物纳米线，使得它们形成网格。 本文还公开了用于形成这种结构的各种不同的方法实施例。

公开(公告)号：US09041210B2

公开(公告)日：2015-05-26

申请号：US13527131

申请日：2012-06-19

申请人： Jeffrey P. Gambino ,  Jessica A. Levy ,  Cameron E. Luce ,  Daniel S. Vanslette ,  Bucknell C. Webb

发明人： Jeffrey P. Gambino ,  Jessica A. Levy ,  Cameron E. Luce ,  Daniel S. Vanslette ,  Bucknell C. Webb

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A through silicon via with sidewall roughness and methods of manufacturing the same are disclosed. The method includes forming a via in a substrate and roughening a sidewall of the via by depositing material within the via. The method further includes removing a backside of the substrate to form a through via with a roughened sidewall structure.

摘要翻译： 公开了一种具有侧壁粗糙度的贯通硅通孔及其制造方法。 该方法包括在基板中形成通孔，并通过在通孔内沉积材料来粗糙化通孔的侧壁。 该方法还包括去除衬底的背面以形成具有粗糙化侧壁结构的通孔。

公开(公告)号：US08679863B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13420637

申请日：2012-03-15

申请人： Jeffrey P. Gambino ,  Derrick Liu ,  Dale W. Martin ,  Gerd Pfeiffer

发明人： Jeffrey P. Gambino ,  Derrick Liu ,  Dale W. Martin ,  Gerd Pfeiffer

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L22/14 ,  H01L21/324 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods are provided for fine tuning substrate resistivity. The method includes measuring a resistivity of a substrate after an annealing process, and fine tuning a subsequent annealing process to achieve a target resistivity of the substrate. The fine tuning is based on the measured resistivity.

摘要翻译： 提供了微调衬底电阻率的方法。 该方法包括测量退火处理之后的衬底的电阻率，并且微调随后的退火工艺以实现衬底的目标电阻率。 微调基于测量的电阻率。

公开(公告)号：US09058455B2

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：US13354705

申请日：2012-01-20

申请人： James W. Adkisson ,  Panglijen Candra ,  Thomas J. Dunbar ,  Jeffrey P. Gambino ,  Mark D. Jaffe ,  Anthony K. Stamper ,  Randy L. Wolf

发明人： James W. Adkisson ,  Panglijen Candra ,  Thomas J. Dunbar ,  Jeffrey P. Gambino ,  Mark D. Jaffe ,  Anthony K. Stamper ,  Randy L. Wolf

IPC分类号： G06F17/50 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H03H9/64 ,  H01L23/00 ,  H01L27/06 ,  H01L49/02 ,  H01L23/66 ,  H01L25/16

CPC分类号： H01L41/293 ,  G06F17/5063 ,  G06F17/5068 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/24 ,  H01L25/16 ,  H01L27/0694 ,  H01L28/40 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/25 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2225/06548 ,  H03H9/64

摘要： A design structure for an integrated radio frequency (RF) filter on a backside of a semiconductor substrate includes: a device on a first side of a substrate; a radio frequency (RF) filter on a backside of the substrate; and at least one substrate conductor extending from the front side of the substrate to the backside of the substrate and electrically coupling the RF filter to the device.

摘要翻译： 在半导体衬底的背面上的集成射频（RF）滤波器的设计结构包括：在衬底的第一侧上的器件; 在衬底的背面上的射频（RF）滤波器; 以及至少一个衬底导体，其从所述衬底的前侧延伸到所述衬底的所述背面并将所述RF滤波器电耦合到所述器件。

公开(公告)号：US08946013B2

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：US13364663

申请日：2012-02-02

申请人： Natalie B. Feilchenfeld ,  Jeffrey P. Gambino ,  Xuefeng Liu ,  Benjamin T. Voegeli ,  Steven H. Voldman ,  Michael J. Zierak

发明人： Natalie B. Feilchenfeld ,  Jeffrey P. Gambino ,  Xuefeng Liu ,  Benjamin T. Voegeli ,  Steven H. Voldman ,  Michael J. Zierak

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/265 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10

CPC分类号： H01L21/26586 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

摘要： A disposable structure displaced from an edge of a gate electrode and a drain region aligned to the disposable structure is formed. Thus, the drain region is self-aligned to the edge of the gate electrode. The disposable structure may be a disposable spacer, or alternately, the disposable structure may be formed simultaneously with, and comprise the same material as, a gate electrode. After formation of the drain regions, the disposable structure is removed. The self-alignment of the drain region to the edge of the gate electrode provides a substantially constant drift distance that is independent of any overlay variation of lithographic processes.

摘要翻译： 形成从栅电极的边缘排列的一次性结构和与一次性结构对准的漏区。 因此，漏极区域与栅电极的边缘自对准。 一次性结构可以是一次性间隔件，或者替代地，一次性结构可以与栅电极同时形成并且包括与栅电极相同的材料。 在形成漏极区域之后，一次性结构被去除。 漏极区域到栅电极的边缘的自对准提供了与光刻工艺的任何叠加变化无关的基本恒定的漂移距离。

公开(公告)号：US08927869B2

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：US13444343

申请日：2012-04-11

申请人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Zhong-Xiang He ,  Christopher D. Muzzy ,  Wolfgang Sauter ,  Timothy D. Sullivan

发明人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Zhong-Xiang He ,  Christopher D. Muzzy ,  Wolfgang Sauter ,  Timothy D. Sullivan

IPC分类号： H05K1/00

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01B3/306 ,  H01B3/307 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/76877 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/48

摘要： Wire-bonded semiconductor structures using organic insulating material and methods of manufacture are disclosed. The method includes forming a metal wiring layer in an organic insulator layer. The method further includes forming a protective layer over the organic insulator layer. The method further includes forming a via in the organic insulator layer over the metal wiring layer. The method further includes depositing a metal layer in the via and on the protective layer. The method further includes patterning the metal layer with an etch chemistry that is damaging to the organic insulator layer.

摘要翻译： 公开了使用有机绝缘材料的引线键合半导体结构和制造方法。 该方法包括在有机绝缘体层中形成金属布线层。 该方法还包括在有机绝缘体层上形成保护层。 该方法还包括在金属布线层上的有机绝缘体层中形成通孔。 该方法还包括在通孔中和保护层上沉积金属层。 该方法还包括用对有机绝缘体层有害的蚀刻化学物图案化金属层。

公开(公告)号：US08766439B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US12634741

申请日：2009-12-10

申请人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Christopher D. Muzzy ,  Wolfgang Sauter ,  Timothy D. Sullivan

发明人： Timothy H. Daubenspeck ,  Jeffrey P. Gambino ,  Christopher D. Muzzy ,  Wolfgang Sauter ,  Timothy D. Sullivan

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/13 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/11902 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13613 ,  H01L2224/13618 ,  H01L2224/1362 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00012

摘要： Disclosed is a chip and method of forming the chip with improved conductive pads that allow for flexible C4 connections with a chip carrier or with another integrated circuit chip. The pads have a three-dimensional geometric shape (e.g., a pyramid or cone shape) with a base adjacent to the surface of the chip, a vertex opposite the base and, optionally, mushroom-shaped cap atop the vertex. Each pad can include a single layer of conductive material or multiple layers of conductive material (e.g., a wetting layer stacked above a non-wetting layer). The pads can be left exposed to allow for subsequent connection to corresponding solder bumps on a chip carrier or a second chip. Alternatively, solder balls can be positioned on the conductive pads to allow for subsequent connection to corresponding solder-paste filled openings on a chip carrier or a second chip.

摘要翻译： 公开了一种用改进的导电焊盘形成芯片的芯片和方法，其允许与芯片载体或另一个集成电路芯片的柔性C4连接。 垫具有三维几何形状（例如，金字塔或锥形），其具有与芯片表面相邻的基部，与基部相对的顶点以及可选地在顶点顶部的蘑菇形帽。 每个焊盘可以包括单层导电材料或多层导电材料（例如，堆叠在非润湿层上方的润湿层）。 焊盘可以被暴露以允许随后连接到芯片载体或第二芯片上的相应焊料凸块。 或者，焊球可以定位在导电焊盘上，以允许随后连接到芯片载体或第二芯片上相应的焊膏填充的开口。

公开(公告)号：US08765595B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US13345120

申请日：2012-01-06

申请人： Edward C. Cooney, III ,  Jeffrey P. Gambino ,  Zhong-Xiang He ,  Tom C. Lee ,  Xiao H. Liu

发明人： Edward C. Cooney, III ,  Jeffrey P. Gambino ,  Zhong-Xiang He ,  Tom C. Lee ,  Xiao H. Liu

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L23/5227 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods for fabricating a back-end-of-line (BEOL) wiring structure, BEOL wiring structures, and design structures for a BEOL wiring structure. The BEOL wiring may be fabricated by forming a first wire in a dielectric layer and annealing the first wire in an oxygen-free atmosphere. After the first wire is annealed, a second wire is formed in vertical alignment with the first wire. A final passivation layer, which is comprised of an organic material such as polyimide, is formed that covers an entirety of a sidewall of the second wire.

摘要翻译： BEOL布线结构的制造方法，BEOL布线结构以及BEOL布线结构的设计结构。 BEOL布线可以通过在电介质层中形成第一布线并在无氧气氛中退火第一布线来制造。 在第一线退火之后，形成与第一线垂直对准的第二线。 形成由诸如聚酰亚胺的有机材料组成的最终钝化层，其覆盖第二线的整个侧壁。

公开(公告)号：US08618588B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US12915888

申请日：2010-10-29

申请人： Kristin M. Ackerson ,  Jeffrey P. Gambino ,  Mark D. Jaffe ,  Robert K. Leidy ,  Richard J. Rassel ,  Robert M. Rassel

发明人： Kristin M. Ackerson ,  Jeffrey P. Gambino ,  Mark D. Jaffe ,  Robert K. Leidy ,  Richard J. Rassel ,  Robert M. Rassel

IPC分类号： H01L31/062 ,  H01L31/113

CPC分类号： H04N5/238 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14685 ,  H04N5/3591

摘要： A method of preventing blooming in a pixel array includes affecting an amount of light that impinges on a photoelectric conversion element by adjusting a transmissivity of an electrochromic element based on an output of the photoelectric conversion element.

摘要翻译： 防止像素阵列中的起霜的方法包括通过基于光电转换元件的输出调节电致变色元件的透射率来影响照射到光电转换元件上的光量。