公开(公告)号：US20110123168A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US13054408

申请日：2009-06-19

申请人： Maeng Sub Cho ,  Jin Seo Kim ,  Bon Ki Koo ,  Ji Hyung Lee ,  Chang Woo Chu ,  Ho Won Kim ,  II Kyu Park ,  Yoon-Seok Choi ,  Ji Young Park ,  Seong Jae Lim ,  Bon Woo Hwang ,  Jeung Chul Park ,  Kap Kee Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Yong-Soo Joo

发明人： Maeng Sub Cho ,  Jin Seo Kim ,  Bon Ki Koo ,  Ji Hyung Lee ,  Chang Woo Chu ,  Ho Won Kim ,  II Kyu Park ,  Yoon-Seok Choi ,  Ji Young Park ,  Seong Jae Lim ,  Bon Woo Hwang ,  Jeung Chul Park ,  Kap Kee Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Yong-Soo Joo

IPC分类号： H04N5/775 ,  H04N5/765 ,  H04N9/80

CPC分类号： H04N5/765 ,  G06F3/016 ,  H04N5/85 ,  H04N9/8205 ,  H04N21/41 ,  H04N21/42201 ,  H04N21/485 ,  H04N21/812 ,  H04N21/8133 ,  H04N21/8166 ,  H04N21/8186

摘要： A multimedia application system uses metadata for sensory devices. The system includes: a sensory-device engine for generating a sensory device command (SDC) for controlling the sensory devices based on sensory effect information (SEI) generated to represent sensory effects by using the sensory devices depending on video contents, user preference information (UPI) of the sensory devices and device capability information (DCI) indicative of reproducing capability of the sensory devices; and a sensory-device controller for controlling sensory devices to perform sensory effect reproduction in response to the generated SDC.

摘要翻译： 多媒体应用系统使用感觉设备的元数据。 该系统包括：感觉装置引擎，用于生成感测装置命令（SDC），用于基于通过使用根据视频内容的感觉装置产生的感觉效果信息（SEI）来控制感觉装置命令，用户偏好信息（ UPI）感测装置和设备能力信息（DCI），其指示感觉装置的再现能力; 以及感测装置控制器，用于控制感觉装置响应于所产生的SDC来执行感觉效果再现。

公开(公告)号：US09343326B2

公开(公告)日：2016-05-17

申请号：US14825846

申请日：2015-08-13

申请人： Yun-Jeong Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Kwang-Bok Kim ,  Ye-Hwan Kim ,  Jung-Sik Choi ,  Choong-Ho Han ,  Gi-Sik Hong

发明人： Yun-Jeong Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Kwang-Bok Kim ,  Ye-Hwan Kim ,  Jung-Sik Choi ,  Choong-Ho Han ,  Gi-Sik Hong

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3105 ,  C09K3/14 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L21/31058 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11582

摘要： A chemical mechanical polishing (CMP) slurry composition for polishing an organic layer and a method of forming a semiconductor device using the same are disclosed. The CMP slurry composition may include from 0.001% to 5% by weight of oxide-polishing particles; from 0.1% to 5% by weight of an oxidant; from 0% to 5% by weight of a polishing regulator; from 0% to 3% by weight of a surfactant; from 0% to 3% by weight of a pH regulator; and from 79% to 99.889% by weight of deionized water. The use of the CMP slurry composition makes it possible to allow a silicon-free organic layer to be polished with a selectivity higher than 6:1 with respect to an oxide layer.

摘要翻译： 公开了一种用于抛光有机层的化学机械抛光（CMP）浆料组合物和使用其形成半导体器件的方法。 CMP浆料组合物可以包含0.001重量％至5重量％的氧化物抛光颗粒; 0.1至5重量％的氧化剂; 0〜5重量％的抛光调节剂; 0〜3重量％的表面活性剂; 0至3重量％的pH调节剂; 和79-99889重量％的去离子水。 使用CMP浆料组合物可以使无硅有机层相对于氧化物层以高于6:1的选择性进行抛光。

公开(公告)号：US09312122B2

公开(公告)日：2016-04-12

申请号：US14090003

申请日：2013-11-26

申请人： Jin-Hee Bae ,  Han-Song Lee ,  Wan-Hee Lim ,  Go-Un Kim ,  Taek-Soo Kwak ,  Bo-Sun Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Yoong-Hee Na ,  Eun-Su Park ,  Jin-Woo Seo ,  Hyun-Ji Song ,  Youn-Jin Cho ,  Kwen-Woo Han ,  Byeong-Gyu Hwang

发明人： Jin-Hee Bae ,  Han-Song Lee ,  Wan-Hee Lim ,  Go-Un Kim ,  Taek-Soo Kwak ,  Bo-Sun Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Yoong-Hee Na ,  Eun-Su Park ,  Jin-Woo Seo ,  Hyun-Ji Song ,  Youn-Jin Cho ,  Kwen-Woo Han ,  Byeong-Gyu Hwang

IPC分类号： H01L21/02 ,  C11D11/00 ,  C11D7/50 ,  H01L27/108 ,  H01L49/02 ,  C11D7/26

CPC分类号： H01L21/0206 ,  C08G77/54 ,  C08G77/62 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  C11D7/266 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40

摘要： A rinse liquid for an insulation layer, the rinse liquid including a solvent represented by the following Chemical Formula 1:

摘要翻译： 一种用于绝缘层的冲洗液，所述漂洗液包括由以下化学式1表示的溶剂：

公开(公告)号：US20100167212A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12654742

申请日：2009-12-30

申请人： Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Kyun Kim ,  Mi-Young Kim ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chang Yun ,  Yong-Jin Chung ,  Jong-Seob Kim ,  In-Sun Jung

发明人： Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Kyun Kim ,  Mi-Young Kim ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chang Yun ,  Yong-Jin Chung ,  Jong-Seob Kim ,  In-Sun Jung

IPC分类号： G03F7/20 ,  C08L61/00 ,  C08L83/00 ,  C08K5/3432 ,  C08G77/00

CPC分类号： G03F7/11 ,  C08K5/54 ,  G03F7/0752

摘要： A resist underlayer composition and a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device, the resist underlayer composition including a solvent and an organosilane-based polymer, the organosilane-based polymer being a polymerization product of at least one first compound represented Chemical Formulae 1 to 3 and at least one second compound represented by Chemical Formulae 4 and 5.

摘要翻译： 抗蚀剂下层组合物和半导体集成电路器件的制造方法，所述抗蚀剂底层组合物包含溶剂和有机硅烷系聚合物，所述有机硅烷类聚合物为至少一种化学式1〜3的第一化合物的聚合产物 和由化学式4和5表示的至少一种第二化合物。

公开(公告)号：US07629260B2

公开(公告)日：2009-12-08

申请号：US11608451

申请日：2006-12-08

申请人： Dong Seon Uh ,  Hui Chan Yun ,  Jin Kuk Lee ,  Chang Il Oh ,  Jong Seob Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Sang Hak Lim

发明人： Dong Seon Uh ,  Hui Chan Yun ,  Jin Kuk Lee ,  Chang Il Oh ,  Jong Seob Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Sang Hak Lim

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/0276 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11

摘要： Provided herein are hardmask compositions that include an organosilane polymer prepared by the reaction of one or more compounds of Formula (I) Si(OR1)(OR2)(OR3)R4 wherein R1, R2 and R3 may each independently be alkyl acetoxy or oxime; and R4 may be hydrogen, alkyl, aryl or arylalkyl; and wherein the organosilane polymer has a polydispersity in a range of about 1.1 to about 2.

摘要翻译： 本文提供了包含通过一种或多种式（I）Si（OR 1）（OR 2）（OR 3）（OR 3）R 4）的化合物反应制备的有机硅烷聚合物的硬掩模组合物，其中R 1，R 2和R 3可各自独立地为烷基乙酰氧基或肟; 并且R 4可以是氢，烷基，芳基或芳基烷基; 并且其中所述有机硅烷聚合物的多分散性在约1.1至约2的范围内。

公开(公告)号：US20060207188A1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：US10550804

申请日：2004-05-14

申请人： Un-Gyu Paik ,  Jea-Gun Park ,  Sang-Kyun Kim ,  Takeo Katoh ,  Yong-Kook Park

发明人： Un-Gyu Paik ,  Jea-Gun Park ,  Sang-Kyun Kim ,  Takeo Katoh ,  Yong-Kook Park

IPC分类号： C09K3/14

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

摘要： The present invention relates to a CMP abrasive comprising a ceria slurry and a chemical additive having two or more functional groups by mixing and synthesizing a polymeric molecule and a monomer. Also, the present invention relates to a method for a manufacturing CMP abrasive by providing a ceria slurry, manufacturing a chemical additive having two or more functional groups by mixing and synthesizing of the polymeric molecule and the monomer in a reactor, and mixing said slurry and said chemical additive. Therefore, when the abrasive according to the present invention is used as an STI CMP abrasive, it is possible to apply the abrasive to the patterning process required in the very large scale integration semiconductor process. Furthermore, the CMP abrasive of the present invention has a superior removal rate, superior polishing selectivity, superior within wafer non-uniformity (WIWNU), and minimized occurrence of micro scratches.

摘要翻译： 本发明涉及通过混合和合成聚合物分子和单体，其包含二氧化铈浆料和具有两个或更多个官能团的化学添加剂的CMP磨料。 另外，本发明涉及通过提供二氧化铈浆料制造CMP研磨剂的方法，通过在反应器中混合和合成聚合物分子和单体制备具有两个或多个官能团的化学添加剂，并将所述浆料和 说化学添加剂。 因此，当将根据本发明的研磨剂用作STI CMP研磨剂时，可以将磨料施加到非常大规模的集成半导体工艺中所需的图案化工艺。 此外，本发明的CMP磨料具有优异的去除速度，优异的抛光选择性，在晶片不均匀性（WIWNU）内优异，并且微小划痕的发生最小化。

公开(公告)号：US09291899B2

公开(公告)日：2016-03-22

申请号：US12654737

申请日：2009-12-30

申请人： Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Kyun Kim ,  Chang-Soo Woo ,  Mi-Young Kim ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Woo-Jin Lee ,  Jong-Seob Kim

发明人： Hyeon-Mo Cho ,  Sang-Kyun Kim ,  Chang-Soo Woo ,  Mi-Young Kim ,  Sang-Ran Koh ,  Hui-Chan Yun ,  Woo-Jin Lee ,  Jong-Seob Kim

IPC分类号： G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08K5/00 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/26 ,  C08G77/00

CPC分类号： G03F7/0752 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/26 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  C08K5/0008 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36

摘要： A resist underlayer composition and a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device, the composition including a solvent and an organosilane polymer, the organosilane polymer being a condensation polymerization product of at least one first compound represented by Chemical Formulae 1 and 2 and at least one second compound represented by Chemical Formulae 3 to 5.

摘要翻译： 抗蚀剂下层组合物和半导体集成电路器件的制造方法，所述组合物包括溶剂和有机硅烷聚合物，所述有机硅烷聚合物是至少一种由化学式1和2表示的第一化合物的缩聚产物和至少一种 化学式3〜5表示的第二化合物。

公开(公告)号：US09240443B2

公开(公告)日：2016-01-19

申请号：US14144738

申请日：2013-12-31

申请人： Jin-Hee Bae ,  Han-Song Lee ,  Taek-Soo Kwak ,  Go-Un Kim ,  Bo-Sun Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Yoong-Hee Na ,  Eun-Su Park ,  Jin-Woo Seo ,  Hyun-Ji Song ,  Sang-Hak Lim ,  Wan-Hee Lim ,  Seung-Hee Hong ,  Byeong-Gyu Hwang

发明人： Jin-Hee Bae ,  Han-Song Lee ,  Taek-Soo Kwak ,  Go-Un Kim ,  Bo-Sun Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Yoong-Hee Na ,  Eun-Su Park ,  Jin-Woo Seo ,  Hyun-Ji Song ,  Sang-Hak Lim ,  Wan-Hee Lim ,  Seung-Hee Hong ,  Byeong-Gyu Hwang

IPC分类号： C08G77/00 ,  H01L49/02 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/92 ,  C08G77/00 ,  C08G77/62 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326

摘要： A method of preparing a gap filler agent includes adding a halosilane to a basic solvent, and, to the basic solvent and the halosilane, adding ammonia in an amount of about 50 to about 70 parts by weight based on 100 parts by weight of the halosilane at a rate of about 1 g/hr to about 15 g/hr.

摘要翻译： 制备间隙填充剂的方法包括向碱性溶剂中加入卤代硅烷，并且向碱性溶剂和卤代硅烷中添加约50至约70重量份的氨，基于100重量份的卤代硅烷 以约1g / hr至约15g / hr的速率。

公开(公告)号：US08921019B2

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：US13603479

申请日：2012-09-05

申请人： Ji-Yun Kwon ,  Jin-Hee Kang ,  Dae-Yun Kim ,  Sang-Kyeon Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Sang-Soo Kim ,  Kun-Bae Noh ,  Eun-Kyung Yoon ,  Jong-Hwa Lee ,  Jun-Ho Lee ,  Jin-Young Lee ,  Hwan-Sung Cheon ,  Hyun-Yong Cho ,  Chung-Beom Hong ,  Eun-Ha Hwang

发明人： Ji-Yun Kwon ,  Jin-Hee Kang ,  Dae-Yun Kim ,  Sang-Kyeon Kim ,  Sang-Kyun Kim ,  Sang-Soo Kim ,  Kun-Bae Noh ,  Eun-Kyung Yoon ,  Jong-Hwa Lee ,  Jun-Ho Lee ,  Jin-Young Lee ,  Hwan-Sung Cheon ,  Hyun-Yong Cho ,  Chung-Beom Hong ,  Eun-Ha Hwang

IPC分类号： G03F7/023

CPC分类号： G03F7/105 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/0757

摘要： Disclosed are a positive photosensitive resin composition that includes (A) an alkali soluble resin including a polybenzoxazole precursor, a polyimide precursor, or a combination thereof, (B) a photosensitive diazoquinone compound, (C) a phenol compound, (D) at least one organic dye having an absorption wavelength of about 400 nm to about 700 nm, and (E) a solvent, wherein the organic dye (D) is included in an amount of about 1 to about 40 parts by weight based on about 100 parts by weight of the alkali soluble resin (A), and a photosensitive resin layer and a display device using the same.

摘要翻译： 公开了一种正型感光性树脂组合物，其包含（A）包含聚苯并恶唑前体，聚酰亚胺前体或其组合的碱溶性树脂，（B）感光性重氮醌化合物，（C）酚化合物，（D） 一种有机染料，具有约400nm至约700nm的吸收波长，和（E）溶剂，其中所述有机染料（D）的含量为约1至约40重量份，基于约100重量份 碱溶性树脂（A）的重量和感光性树脂层以及使用其的显影装置。

公开(公告)号：US08766411B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US13548519

申请日：2012-07-13

申请人： Eun-Su Park ,  Bong-Hwan Kim ,  Sang-Hak Lim ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Hui-Chan Yun ,  Sang-Kyun Kim ,  Jin-Wook Lee

发明人： Eun-Su Park ,  Bong-Hwan Kim ,  Sang-Hak Lim ,  Taek-Soo Kwak ,  Jin-Hee Bae ,  Hui-Chan Yun ,  Sang-Kyun Kim ,  Jin-Wook Lee

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： C08G77/62 ,  C01B21/087 ,  H01L28/90

摘要： A filler for filling a gap includes a compound represented by the following Chemical Formula 1. SiaNbOcHd.  [Chemical Formula 1] In Chemical Formula 1, a, b, c, and d represent relative amounts of Si, N, 0, and H, respectively, in the compound, 1.96

摘要翻译： 用于填充间隙的填料包括由以下化学式1表示的化合物。SiaNbOcHd。 [化学式1]在化学式1中，a，b，c和d分别表示化合物中的Si，N，O和H的相对量，1.96