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公开(公告)号：CN103620771A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280029535.0
申请日：2012-09-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L25/00 , H01L23/3128 , H01L23/585 , H01L24/05 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05572 , H01L2224/12105 , H01L2224/14131 , H01L2224/14134 , H01L2224/14136 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16238 , H01L2224/16245 , H01L2224/1703 , H01L2224/1713 , H01L2224/17136 , H01L2224/17517 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19107 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
Abstract: 半导体装置(10)具备：扩展型半导体芯片(20)，其包括第1半导体芯片(11)及被设置为从其侧面向外扩展的扩展部(21)；和第2半导体芯片(12)，其经由多个凸起(14)而与扩展型半导体芯片连接，并且与第1半导体芯片(11)电连接。第1半导体芯片(11)比第2半导体芯片(12)小。在扩展部(21)设置有至少1个外部端子。
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公开(公告)号：CN1812088B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200510129533.0
申请日：2005-12-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L23/498 , H01L23/50 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49816 , H01L21/486 , H01L21/563 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2225/1023 , H01L2225/107 , H01L2225/1094 , H01L2924/01078 , H01L2924/15173 , H01L2924/15311 , H01L2924/1627 , H01L2924/3011 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 提供抑制了弯曲发生的多层构造式半导体微型组件及其制造方法。交替叠层组装了半导体芯片(2)的树脂衬底(3)和形成了比半导体芯片(2)大的开口部的，粘结在树脂衬底(3)上的薄膜部件形成多层构造半导体微型组件，树脂衬底(3)中位于最下层的树脂衬底(4)的厚度比其他的树脂衬底(3)厚。
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公开(公告)号：CN100499117C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610073600.6
申请日：2006-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L21/50
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/105 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06572 , H01L2225/1023 , H01L2225/107 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/1627 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明公开了一种多层结构半导体模块及其制造方法。目的在于：提供一种在谋求提高耐湿可靠性的同时，抑制了弯曲的产生的多层结构半导体模块及其制造方法。半导体模块(1)是通过交替叠层树脂衬底和片状部件(5)而成，该树脂衬底具有第1埋入导体(7)，在上表面上安装了半导体芯片(2)，该片状部件(5)形成了收纳半导体芯片(2)的开口部(10)，具有与第1埋入导体(7)电连接的第2埋入导体(9)。半导体模块(1)具备多个树脂衬底及片状部件(5)，树脂衬底中的布置在最下层的第1树脂衬底(4)厚于第2树脂衬底(3)。片状部件(5)具有覆盖半导体芯片(2)的上表面及侧面的粘合部件。
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公开(公告)号：CN1956190A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610108604.3
申请日：2006-07-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/488
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06558 , H01L2225/06572 , H01L2225/06582 , H01L2225/06596 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/01078 , H01L2924/09701 , H01L2924/15184 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011
Abstract: 本发明提供一种层叠型半导体模块。该层叠型半导体模块(100)，通过在第1半导体基板(111)搭载有第1半导体芯片(112)的第1半导体装置(110)上，层叠在第2半导体基板(151)的上面搭载有第2半导体芯片(152)的第2半导体装置(150)而构成。在第1半导体基板之上设置有第1连接用端子(116)，在第1半导体基板的下面设置有外部连接用端子(118)。在第2半导体基板下面的与第2半导体芯片对置的区域设置有第2连接用端子(156)。通过导电性连接部件(180)连接第1连接用端子和第2连接用端子。由此，不仅可对每个半导体装置的可靠性进行确认，且在层叠时和层叠后难以产生连接不良，实现了高可靠性。
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公开(公告)号：CN102163581A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201010624835.6
申请日：2010-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 川端毅
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L25/065 , H01L25/10 , H01L21/66
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L24/17 , H01L25/0657 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13099 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81385 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06572 , H01L2225/06589 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/013
Abstract: 本发明公开一种半导体模块，容易进行上下的半导体封装间的连接检查，得到高可靠性。其特征在于，在将第二半导体封装(200)安装在第一半导体封装(100)上的半导体模块中，第一半导体封装(100)在上表面具有焊盘(15)，在下表面形成与外部的连接端子(2)，且具有将焊盘(15)和连接端子(2)电连接的过孔(18)，在从第二半导体封装(200)的第二基板(25)的面的垂直方向的X射线透射平面中，过孔(18)的区域与焊盘(15)的区域、或连接端子(2)的区域重叠，焊盘(15)的区域与连接端子(2)的区域重叠，焊盘(15)的中心位置在连接端子(2)的区域外。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100505242C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200510127180.0
申请日：2005-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L23/498
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06551 , H01L2225/06572 , H01L2225/06586 , H01L2225/06596 , H01L2924/01078 , H01L2924/15311 , H01L2924/1627 , H01L2924/3011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 提供抑制了弯曲发生的多层构成式半导体微型组件。交替叠层组装了半导体芯片(2)的树脂衬底(3)和形成了比半导体芯片(2)大的开口部的，粘结在树脂衬底(3)上的薄膜部件，形成的多层构成半导体微型组件。树脂衬底(3)中位于最下层的树脂衬底(4)的厚度比其他的树脂衬底(3)厚。还有，形成在第1树脂衬底(3)中的第1埋入导体(7)，在为组装半导体芯片(2)的区域周围，分别排列了由内向外的复数列，第1埋入导体(7)的排列间隔越向外侧越大。形成在薄膜部件(5)中的第2埋入导体(9)，在开口部(10)的周围，分别排列为由内向外的复数列，第2埋入导体(9)的排列间隔越向外侧越大。
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公开(公告)号：CN1812088A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510129533.0
申请日：2005-12-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L23/498 , H01L23/50 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/49816 , H01L21/486 , H01L21/563 , H01L25/105 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2225/1023 , H01L2225/107 , H01L2225/1094 , H01L2924/01078 , H01L2924/15173 , H01L2924/15311 , H01L2924/1627 , H01L2924/3011 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 提供抑制了弯曲发生的多层构造式半导体微型组件及其制造方法。交替叠层组装了半导体芯片(2)的树脂衬底(3)和形成了比半导体芯片(2)大的开口部的，粘结在树脂衬底(3)上的薄膜部件形成多层构造半导体微型组件，树脂衬底(3)中位于最下层的树脂衬底(4)的厚度比其他的树脂衬底(3)厚。
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公开(公告)号：CN1574307A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410048928.3
申请日：2004-06-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 川端毅
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L21/4846 , H01L23/49822 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/05554 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/10162 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H05K1/0216 , H05K3/0052 , H05K3/242 , H05K3/4652 , H05K2201/0919 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 一种半导体器件，包括基材、具有多个电极的半导体元件、连接半导体元件的电极的多根导体布线、附于导体布线的电镀用短线、及在基材上形成的多层布线层。附于第一导体布线的电镀用短线和附于与第一导体布线相邻的单根或多根第二导体布线的电镀用短线，存在于不同的导体布线层。
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公开(公告)号：CN103635999A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201280029271.9
申请日：2012-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/12 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L23/49541 , H01L21/563 , H01L23/13 , H01L23/49575 , H01L23/5389 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13021 , H01L2224/13023 , H01L2224/14136 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/2101 , H01L2224/211 , H01L2224/215 , H01L2224/26145 , H01L2224/32013 , H01L2224/32058 , H01L2224/32059 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/3312 , H01L2224/48091 , H01L2224/48105 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73209 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/81193 , H01L2224/82101 , H01L2224/82106 , H01L2224/83104 , H01L2224/85 , H01L2224/92 , H01L2224/92127 , H01L2224/92225 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/0652 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2924/18162 , H01L2924/30107 , H01L2924/381 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/19 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明的半导体装置，在具有电极(20a)以及(20b)的芯片(6)的外缘设置扩展部(1)而成的扩展型半导体芯片(31)上，搭载具有电极(24)的芯片(5)。电极(20a)和电极(24)通过导电构件(8)而电连接。从芯片(6)上的导电构件(8)的配置区域的外侧遍及到扩展部(，1)上而形成有重新布线构造(2)。在扩展部(1)上形成有经由重新布线构造(2)与电极(20b)电连接的连接端子(21)。
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公开(公告)号：CN1956189A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610100742.7
申请日：2006-07-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L23/498
CPC classification number: H01L25/105 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06558 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/3011 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了叠层半导体装置及叠层半导体装置的下层模块。目的在于：能够在叠层半导体装置中，很容易地进行包含连接端子在内的检查，实现可靠性较高的叠层半导体装置。叠层半导体装置的下层模块，包括：第一衬底11、和保持在第一衬底11上的第一半导体芯片21。在第一衬底11的上表面，设置有分别与第一芯片端子22电连接的多个第一芯片连接端子13、和分别能够与具备了第二半导体芯片的上层模块电连接的多个上层模块连接端子14，在第一衬底11的背面设置有多个外部衬底连接端子15。各第一芯片连接端子13分别与规定的外部衬底连接端子15电连接，各上层模块连接端子14分别在规定的芯片连接端子13和规定的上述外部衬底连接端子14之间电连接。
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