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公开(公告)号:CN107644863A
公开(公告)日:2018-01-30
申请号:CN201610891691.8
申请日:2016-11-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498
Abstract: 一种半导体结构包括集成电路组件、导电接垫、密封环结构、导电通孔、环型阻障及模塑材料。导电接垫配置于且电性连接于集成电路组件。密封环结构配置于集成电路组件且环绕导电接垫。导电通孔配置于且电性连接于导电接垫。环型阻障配置于密封环结构上。密封环结构环绕导电通孔。模塑材料覆盖集成电路组件的多个侧面。本发明提供的半导体结构具有较佳的结构强度与可靠性。
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公开(公告)号:CN105291344B
公开(公告)日:2018-01-26
申请号:CN201410445275.6
申请日:2014-09-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/67126 , B29C45/0046 , B29C45/02 , B29C45/14655 , B29C45/14836 , B29C45/34 , B29C2045/0049 , B29C2045/14663 , B29L2031/34 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L24/18 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/18161 , H01L2924/014
Abstract: 本发明提供了一种包括包封模具的装置,该包封模具包括顶部和具有环形形状的环形边。环形边位于顶部的边缘的下面并且连接至顶部的边缘。环形边具有注入端口和排气端口。模塑导向套件被配置为插入注入端口内。模塑导向套件包括具有弯曲的前边缘的前侧壁。本发明还提供了一种使用该装置的方法。
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公开(公告)号:CN107611100A
公开(公告)日:2018-01-19
申请号:CN201610812256.1
申请日:2016-09-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/538 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/568 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/565 , H01L21/6836 , H01L23/28 , H01L23/31 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3157 , H01L23/3185 , H01L23/49816 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L2221/68327 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/214 , H01L2224/24137 , H01L2924/14 , H01L2924/18162
Abstract: 一种整合扇出型封装,其包括芯片模块、第二集成电路、第二绝缘包封体以及重布线路结构。芯片模块包括第一绝缘包封体以及嵌于第一绝缘包封体中的至少一第一集成电路,第一集成电路包括第一表面以及分布于第一表面上的多个第一导电端子。第二集成电路包括第二表面以及分布于第二表面上的多个第二导电端子。芯片模块与第二集成电路嵌于第二绝缘包封体中。第一导电端子以及第二导电端子藉由第一绝缘包封体以及第二绝缘包封体而暴露。重布线路结构覆盖第一表面、第二表面、第一绝缘包封体以及第二绝缘包封体。重布线路结构与第一导电端子以及第二导电端子电性连接。此外,整合扇出型封装的制造方法亦被提出。
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公开(公告)号:CN107579049A
公开(公告)日:2018-01-12
申请号:CN201610867673.6
申请日:2016-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括第一布线层、位于第一布线层之上的第一管芯、包覆位于第一布线层上的至少一第二管芯与至少一第三管芯的封装模塑体以及连接至第一布线层的至少一第四管芯与导电部件。第一管芯的导通孔电性连接至穿透封装模塑体的贯穿介层孔且电性连接至第一布线层。半导体封装更可包括第二布线层,其位于封装模塑体上且位于第一管芯、第二管芯与第三管芯之间。
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公开(公告)号:CN104377192B
公开(公告)日:2017-12-19
申请号:CN201410371367.4
申请日:2014-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L21/98
CPC classification number: H01L21/31053 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L23/49838 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68381 , H01L2224/02379 , H01L2224/0345 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05008 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/0572 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/16146 , H01L2224/16235 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/73204 , H01L2224/73259 , H01L2224/81005 , H01L2224/81815 , H01L2224/9202 , H01L2224/92224 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00014 , H01L2224/11 , H01L2924/00 , H01L2924/014
Abstract: 本发明提供了一种器件,包括堆叠在一起的第一芯片和第二芯片以形成多芯片结构,其中,多个芯片结构嵌入在封装层内。该器件还包括形成在封装层的第一侧的顶面上的重分布层,其中,重分布层连接至第一芯片的有源电路和第二芯片的有源电路,并且重分布层延伸超出第一芯片和第二芯片中的至少一个边缘。本发明还提供了一种形成该器件的方法。
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公开(公告)号:CN107481942A
公开(公告)日:2017-12-15
申请号:CN201611119842.4
申请日:2016-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/522
Abstract: 一种形成封装组件的方法,包括:在载体衬底上方形成第一介电层;在第一介电层上方形成导电通孔;利用第一化学物质处理导电通孔,从而使导电通孔的表面变得粗糙;以及将器件管芯和导电通孔模制在模制材料中。本发明实施例涉及具有高低不平的互连件的集成扇出结构。
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公开(公告)号:CN107437545A
公开(公告)日:2017-12-05
申请号:CN201610951558.7
申请日:2016-10-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L24/32 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05017 , H01L2224/05024 , H01L2224/05147 , H01L2224/27462 , H01L2224/29026 , H01L2224/32148 , H01L2224/81125 , H01L2224/81801 , H01L2924/1203 , H01L2924/1205 , H01L2924/1206 , H01L2924/1207 , H01L27/105
Abstract: 一种半导体器件结构的制造方法包括在第一器件与第二器件之间形成结合体或接点。第一器件包括集成无源器件及设置在其上的第一接触垫。第二器件包括第二接触垫。第一接触垫具有带有第一横向范围的第一表面。第二接触垫具有带有第二横向范围的第二表面。第二横向范围的宽度小于第一横向范围的宽度。接点结构包括第一接触垫、第二接触垫以及夹置于第一接触垫与第二接触垫之间的焊料层。焊料层具有锥形侧壁,且锥形侧壁在从第一接触垫的第一表面远离而朝向第二接触垫的第二表面的方向上延伸。第一表面或第二表面中的至少一者实质上是平坦的。
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公开(公告)号:CN103985696B
公开(公告)日:2017-10-13
申请号:CN201310184704.4
申请日:2013-05-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/4853 , H01L21/565 , H01L23/5223 , H01L23/525 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L27/1255 , H01L27/3276 , H01L28/40 , H01L28/60 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19104 , H01L2224/82 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了具有金属‑绝缘体‑金属电容器的封装件及其制造方法。具体来说,本发明公开了一种封装件包括芯片,该芯片具有在第一聚合物层中形成的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器和在MIM电容器上形成的金属柱。模塑料围绕芯片,第二聚合物层在芯片和模塑料上形成,第三聚合物层在第二聚合物层上形成,互连结构在第二聚合物层和第三聚合物层之间形成并且与金属柱和MIM电容器电连接,并且凸块在互连结构的上方形成并且与互连结构电连接。
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公开(公告)号:CN107180795A
公开(公告)日:2017-09-19
申请号:CN201611150397.8
申请日:2016-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L21/50 , H01L25/065 , H01L23/48
Abstract: 一种方法包括通过管芯附接膜将电压调节器管芯粘附在载体上方,其中管芯附接膜位于电压调节器管芯中并环绕电压调节器管芯的金属柱,将电压调节器管芯密封在密封材料中,并且平坦化密封材料。去除电压调节器管芯的背部以暴露电压调节器管芯的半导体衬底中的通孔。该方法还包括在密封材料上方形成电连接至通孔的第一再分布线,用介电材料替代管芯附接膜,在密封材料的与第一再分布线相对的侧上形成第二再分布线,并且将额外的器件管芯接合至第二再分布线。电压调节器管芯电连接至额外的器件管芯。本发明实施例涉及包括电压调节器的集成扇出封装件及其形成方法。
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公开(公告)号:CN107134437A
公开(公告)日:2017-09-05
申请号:CN201710092932.7
申请日:2017-02-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73253 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L23/49838 , H01L23/3171
Abstract: 本发明实施例涉及一种半导体封装件及形成其的方法。其中,一实施例是一种结构,其包含第一裸片,所述第一裸片具有有源表面,所述有源表面具有第一中心点;模塑料,其至少横向囊封所述第一裸片;及第一重布层RDL,其包含在所述第一裸片及所述模塑料上方延伸的金属化图案。所述第一RDL的所述金属化图案的第一部分在所述第一裸片的边界的第一部分上方延伸到所述模塑料,所述金属化图案的所述第一部分不平行于第一线延伸,所述第一线从所述第一裸片的所述第一中心点延伸到所述第一裸片的所述边界的所述第一部分。
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