公开(公告)号：CN106373939A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201611015530.9

申请日：2016-11-18

申请人： 江阴长电先进封装有限公司

发明人： 张黎 ,  赖志明 ,  陈锦辉 ,  陈栋

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L23/49822 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/49838

摘要： 本发明涉及一种封装基板的结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括普通基板（20）、超高密度基板（10）、高密度芯片（51）、低密度芯片（53）和包封层Ⅰ（310），超高密度基板10）嵌于包封层Ⅰ（310）内，超高密度基板（10）与高密度芯片（51）倒装连接，在超高密度基板（10）的垂直区域外形成若干个基板外层金属电极110），基板外层金属电极（110）通过盲孔Ⅱ150）与普通基板（20）连接、其上表面与低密度芯片（53）倒装连接，部分基板外层金属电极110）的下表面与超高密度基板（10）的部分焊盘连接。本发明的封装结构采用圆片级封装方法实现，实现了超高密度基板和普通基板的集成，提升了封装可靠性，有利于产品良率的提升。

公开(公告)号：CN106340461A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610864315.X

申请日：2016-09-28

申请人： 深南电路股份有限公司

发明人： 郑仰存 ,  李飒 ,  谷新 ,  李俊

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L21/4846 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838

摘要： 一种超薄无芯封装基板的加工方法，包括：提供叠板结构，叠板结构包括中间的中央介质层，从中央介质层向外侧依次包括复合铜箔层，绝缘层和外层铜箔层，复合铜箔层包括支撑基底层以及可分离的超薄铜箔层；制作导通孔，在外层铜箔层上制作第一线路层；对第一线路层进行阻焊和表面涂覆处理；将复合铜箔层分离，得到超薄无芯封装基板；粘结支撑板；在超薄铜箔层上制作第二线路层，第二线路层与第一线路层通过导通孔电连接；对第二线路层进行阻焊和表面涂覆处理。本发明实施例还提供相应的超薄无芯封装基板结构。本发明技术方案利用支撑板的保护和加强作用，有助于解决现有技术中因超薄无芯封装基板强度不足，容易变形翘曲导致的产品折损等问题。

公开(公告)号：CN106206532A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610365800.2

申请日：2016-05-27

申请人： 三星电机株式会社

发明人： 李东郁 ,  金映坤 ,  尹辰荣

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H05K1/18

CPC分类号： H05K3/4007 ,  H01L23/13 ,  H01L23/498 ,  H01L23/49827 ,  H05K3/06 ,  H05K3/108 ,  H05K3/205 ,  H05K2201/0376 ,  H05K2201/09509 ,  H01L23/49838 ,  H01L21/4846 ,  H05K1/185

摘要： 公开了一种封装基板和制造封装基板的方法。所述封装基板包括：绝缘层，具有嵌入绝缘层的第一表面中的第一电路图案；突出电路图案，形成在嵌入的第一电路图案中的至少一个上，其中，突出电路图案的宽度大于嵌入的第一电路图案中的每个的宽度。因此，由于嵌入结构的电路图案和突出结构的电路图案同时形成在将要安装电子组件的表面上，因此可同时安装倒装芯片和引线键合芯片。此外，可形成精细电路图案，并可在不形成额外的用于电镀的种子层的情况下在期望的部分处选择性地形成表面处理层，从而可简化制造工艺并节省其制造成本。

公开(公告)号：CN106158820A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610657408.5

申请日：2013-07-05

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 陈天赐 ,  李俊哲 ,  王圣民

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H05K3/40

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/48 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/768 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/4007 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 一封装基板包括一中心部、一上电路层及数个柱体。该多个柱体位于该上电路层上，且从该上电路层朝上。该多个柱体的顶面大致上共平面。该多个柱体提供电性连接至一半导体晶粒。借此，改善该基板及该半导体晶粒间的焊料结合可靠度。

公开(公告)号：CN105960708A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201480010966.1

申请日：2014-09-27

申请人： 英特尔公司

发明人： C·K·钟 ,  T·首藤

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/67092 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/68721 ,  H01L21/68785 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种方法，包括将集成电路封装基板固定在第一和第二支撑基板之间；将被固定住的封装基板从单一方向暴露于热源；以及改变所述封装基板的形状。一种装置，包括第一和第二支撑基板，第一支撑基板包括是封装基板第一面的面积的75％至95％的二维面积，而第二支撑基板包括是与封装基板的面积至少相等的二维面积，并且第一支撑基板和第二支撑基板都包括其中具有腔的主体，从而使得在被组装于封装基板相对的面上时，每个腔具有使得支撑基板的主体不与封装基板的区域接触的容积尺寸。

公开(公告)号：CN105900222A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201480072922.1

申请日：2014-11-28

申请人： 罗杰斯德国有限公司

发明人： A·迈尔 ,  F·希尔斯泰特尔

IPC分类号： H01L21/48 ,  C04B35/645 ,  C04B37/02 ,  H01L23/373 ,  H05K3/02 ,  H05K3/38

CPC分类号： C04B35/6455 ,  C04B37/021 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/068 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/083 ,  C04B2237/121 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/365 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/592 ,  C04B2237/595 ,  C04B2237/704 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/72 ,  C04B2237/84 ,  C04B2237/86 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49822 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/022 ,  H05K3/388 ,  H05K2203/04 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及制备金属陶瓷基材(1)的方法，所述金属陶瓷基材(1)包括第一和第二金属敷层(3、4)和至少一个容纳在第一和第二金属敷层(3、4)之间的陶瓷层(2)。有利地，第一和第二金属层(5、6)和陶瓷层(2)彼此上下堆叠，更准确地说使得第一和第二金属层(5、6)的自由边缘部段(5a、6a)分别在边缘侧突出超过陶瓷层(2)，并且第一和第二金属层(5、6)在突出的自由边缘部段(5a、6a)的区域内彼此相对变形并且直接相互接合，从而形成包围容器内腔(8)的气密性封闭的金属容器(7)用于容纳陶瓷层(2)。然后形成金属容器(7)的金属层(5、6)与容纳在容器内部的陶瓷层(2)在处理室中在500和2000bar之间的气压和300℃至金属层(5、6)的熔点之间的工艺温度下以热等静压的方式相互挤压从而产生金属层(5、6)的至少一者和陶瓷层(2)的优选的平面接合，最后至少除去金属层(5、6)的突出的相互接合的自由边缘部段(5a、6a)从而形成第一和第二金属敷层(3、4)。

公开(公告)号：CN103794516B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201410036842.2

申请日：2014-01-24

申请人： 广州兴森快捷电路科技有限公司 ,  深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司 ,  宜兴硅谷电子科技有限公司

发明人： 崔永涛 ,  陆秋宇 ,  李志东

IPC分类号： H01L21/48 ,  B41M1/12 ,  H05K3/46

CPC分类号： H05K3/3452 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49827 ,  H01L2924/0002 ,  H05K2201/0191 ,  H05K2201/0959 ,  H05K2203/1476 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种阶梯阻焊的封装产品制作方法，包括如下步骤，在封装基板上第一次印刷阻焊，对所述封装基板上印刷的第一层阻焊进行第一次对位曝光；在第一次对位曝光的所述封装基板上第二次印刷阻焊，对所述封装基板上印刷的第二层阻焊进行第二次对位曝光；对第二次对位曝光的所述封装基板进行显影处理；对显影处理的所述封装基板进行固化处理。本发明是先将封装产品上两次印刷的阻焊分别曝光，然后再用显影液冲洗掉被挡光的阻焊，并将两层阻焊固化处理，相对于现有技术用两次显影液冲洗掉被挡光的阻焊并分别固化的方法，本发明减少了一次显影步骤，同时减少了显影步骤后的固化步骤，本发明能大大节省时间，提高生产效率。

公开(公告)号：CN105408418A

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201480042067.X

申请日：2014-09-25

申请人： 株式会社LG化学

发明人： 文化妍 ,  沈正真 ,  沈熙用 ,  闵炫盛 ,  金美善 ,  沈昌补

IPC分类号： C08L63/00 ,  C08L35/00 ,  C08L79/04 ,  C08K3/00 ,  C08J5/24

CPC分类号： C08L79/04 ,  C08J5/24 ,  C08J2379/04 ,  C08J2379/08 ,  C08J2463/00 ,  C08J2479/04 ,  C08K3/22 ,  C08K3/34 ,  C08K7/18 ,  C08K9/06 ,  C08L61/04 ,  C08L63/00 ,  C08L79/08 ,  C08L2203/20 ,  C08L2205/025 ,  C08L2205/035 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49894 ,  H05K1/0366 ,  H05K1/0373 ,  H05K3/022

摘要： 本发明涉及一种用于半导体封装物的热固性树脂组合物、使用所述热固性树脂组合物的半固化片和覆金属层压板。更具体而言，本发明提供一种用于半导体封装物的热固性树脂组合物、使用所述热固性树脂组合物的半固化片和覆金属层压板，所述组合物通过使用用于环氧树脂基热固性树脂组合物的氰酸酯树脂和苯并噁嗪而具有高的耐热性和可靠性，从而改善去污特性，并且特别地通过使用浆型填料而改善耐化学性。

公开(公告)号：CN103390565B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201210154178.2

申请日：2012-05-18

申请人： 财团法人交大思源基金会

发明人： 陈智 ,  林汉文

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  B23K1/00

CPC分类号： H01R13/03 ,  B23K1/0016 ,  H01L21/4846 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/3651 ,  H01R43/02 ,  Y10T29/49213 ,  Y10T428/12903 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种包括在优选方向生长的Cu6Sn5晶粒的电性连接结构及其制备方法。本发明的电性连接结构的制备方法包括步骤：A、提供一第一基板；B、在第一基板的部分表面形成一第一纳米双晶铜层；C、使用一焊料将第一基板与一第二基板连接，第二基板具有一第二电性垫，第二电性垫包括第二纳米双晶铜层，且焊料配置于第一及第二纳米双晶铜层之间；以及D、以200℃至300℃的温度进行回焊(reflow)使焊料部分转换为一介金属化合物(intermetallic compound，IMC)层，且介金属化合物层包括在优选方向(preferred orientation)生长的Cu6Sn5晶粒；其中，第一及第二纳米双晶铜层的50％以上的体积分别包括双晶铜晶粒。

公开(公告)号：CN103208479B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201310068669.X

申请日：2013-03-04

申请人： 珠海越亚封装基板技术股份有限公司

发明人： 卓尔·赫尔维茨

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/4846 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49827 ,  H01L2224/16

摘要： 一种多层电子支撑结构，包括在X-Y平面中延伸的多个层，所述多个层由包围金属通孔柱的介电材料构成，所述金属通孔柱沿垂直于X-Y平面的Z方向导电，其中穿过所述多个层中至少两个通孔层的堆叠通孔结构包括在相邻通孔层中的至少两个通孔柱，其中在相邻层中的至少两个堆叠通孔柱具有在X-Y平面中的不同尺寸，使得所述堆叠通孔结构成为锥形。