公开(公告)号：CN105720018B

公开(公告)日：2018-08-07

申请号：CN201510523238.7

申请日：2015-08-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 邱梧森 ,  郑礼辉 ,  蔡柏豪 ,  林俊成

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L24/19 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1064 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/83005

摘要： 本发明提供了种封装件,包括模塑料、穿过模塑料的通孔、模制在模塑料中的器件管芯以及位于模塑料上并接触模塑料的缓冲层。开口穿过缓冲层到达通孔。缓冲层具有位于与模塑料和缓冲层之间的界面平行的平面中并且环绕开口周边的波纹。其他实施例实现接合至该封装件的另封装件以及形成封装件的方法。

公开(公告)号：CN108364929A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810039009.1

申请日：2018-01-16

申请人： 拉碧斯半导体株式会社

发明人： 小汲泰一

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/11474 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/81365 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49866 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455

摘要： 本发明提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。在多芯片WL－CSP中，不损害薄型性地实现半导体芯片间的连接的可靠性的提高。半导体装置包含：再布线，被设置在第一半导体芯片的主面上；绝缘膜，覆盖再布线的表面，具有使再布线分别局部地露出的第一开口部以及第二开口部；第一电极，被设置在绝缘膜上，在第一开口部与再布线连接，由与再布线相同的材料构成；以及第二电极，被设置在绝缘膜上，在第二开口部与再布线连接，由与第一电极不同的材料构成。

公开(公告)号：CN104584214B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201380046406.7

申请日：2013-08-12

申请人： 亮锐控股有限公司

发明人： 邹泉波 ,  S.阿克拉姆 ,  J.C.布哈特 ,  M.N.特里伊尤 ,  R.布兰克

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L21/76894 ,  H01L21/78 ,  H01L24/83 ,  H01L25/167 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

摘要： 在个实施例中,半导体器件晶片(10)包含电气组件并且具有在器件晶片(10)的第侧上的电极(28)。通过使用键合材料(32)(例如聚合物或金属)将透明载体晶片(30)键合到器件晶片(10)的第侧。然后,在载体晶片(30)为器件晶片(10)提供机械支撑的同时,处理(诸如减薄)器件晶片(10)的第二侧。然后通过使激光束(46)穿过载体晶片(30)来将载体晶片(30)从器件晶片(10)去键合,载体晶片(30)对光束的波长基本上透明。光束撞击在键合材料(32)上,键合材料(32)吸收光束的能量,以使键合材料(32)与载体晶片(30)之间的化学键合断裂。然后从器件晶片(10)移除所释放的载体晶片(30),并且从器件晶片(10)清除残余键合材料。

公开(公告)号：CN108352375A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680067788.5

申请日：2016-10-14

申请人： 英特尔公司

发明人： A·马特考尔 ,  N·R·拉拉维卡 ,  D·T·德兰 ,  J·L·詹森 ,  J·A·法尔孔 ,  W·N·拉巴诺克 ,  R·L·赞克曼 ,  R·A·斯廷格尔

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/10

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L23/293 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/115

摘要： 描述了具有高密度和大高宽比密封互连的半导体封装内插件和并入这样的内插件的半导体封装组件。在示例中，半导体封装内插件包括被密封在聚合物衬底中并具有大于截面尺寸的高度尺寸的几个导电互连。半导体封装内插件可以支撑第二半导体封装上方的第一半导体封装，并可以将第一半导体封装的管芯引脚电气地连接到第二半导体封装的管芯引脚。

公开(公告)号：CN108321128A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810051690.1

申请日：2018-01-16

申请人： 力成科技股份有限公司

发明人： 林汉文 ,  徐宏欣 ,  张简上煜 ,  林南君

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/25 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/25171 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00

摘要： 一种封装结构及其制造方法，所述封装结构包括第一重布线路层、第二重布线路层、晶粒、多个导电柱以及晶粒堆叠结构。第一重布线路层具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面。第二重布线路层位于第一表面上。晶粒位于第一重布线路层与第二重布线路层之间，并且具有主动面以及相对于主动面的后表面。主动面黏着于第一表面，且晶粒电连接至第一重布线路层。导电柱位于并电连接至第一重布线路层与第二重布线路层之间。晶粒堆叠结构接合在第二重布线路层上。

公开(公告)号：CN104781932B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201380059116.6

申请日：2013-11-14

申请人： 高通股份有限公司

发明人： K·卡斯考恩 ,  S·顾 ,  M·M·诺瓦克

IPC分类号： H01L25/16 ,  H04B10/80

CPC分类号： H01L25/167 ,  H01L24/73 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H04B10/803 ,  H01L2924/00012

摘要： 一些实现提供了一种半导体器件，其包括第一管芯和光接收器。第一管芯包括背面层，该背面层具有足够薄的厚度以允许光信号穿过该背面层。光接收器被配置成接收通过第一管芯的背面层的若干光信号。在一些实现中，每个光信号源自耦合至第二管芯的对应的光发射器。在一些实现中，背面层是管芯基板。在一些实现中，光信号穿过背面层的基板部分。第一管芯进一步包括有效层。光接收器是有效层的一部分。在一些实现中，半导体器件包括第二管芯，该第二管芯包括光发射器。第二管芯耦合至第一管芯的背面。

公开(公告)号：CN108231726A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711292377.9

申请日：2017-12-08

申请人： 通用汽车环球科技运作有限责任公司

发明人： T·G·沃德 ,  C·C·斯坦库 ,  M·亚克希奇

IPC分类号： H01L23/498

CPC分类号： H01L24/27 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L24/32 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/32151 ,  H01L2225/06527

摘要： 一种功率模块组件，其具有第一基底，该第一基底包括第一层、第二层以及第三层。该第一层配置为载送沿第一方向流动的开关电流。第二基底操作地连接于第一基底并且包括第四层、第五层以及第六层。导电结合层连接第一基底的第三层和第二基底的第四层。导电结合层可以是第一烧结层。第一基底的第三层、第一烧结层和第二基底的第四层配置为作为单体导电层一起起作用，该单体导电层载送沿第二方向的开关电流，该第二方向基本上与第一方向相反。净电感通过沿相反方向行进的开关电流的抵消效应来减小。

公开(公告)号：CN108206177A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201710166987.8

申请日：2017-03-20

申请人： 力成科技股份有限公司

发明人： 陈裕纬 ,  王启安 ,  徐宏欣

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L21/98 ,  H01L23/488 ,  H01L23/50 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L25/0657 ,  H01L21/50 ,  H01L23/488 ,  H01L23/50 ,  H01L25/50 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06548

摘要： 本发明提供一种微间距封装堆叠方法与微间距封装堆叠构造。提供载板，在载板的上表面与下表面各设置多个嵌埋端子与多个外接端子。在载板上设置晶片。在载板上形成模封胶体，以密封晶片与嵌埋端子。以平坦化研磨模封胶体的方式，共平面地显露出嵌埋端子的多个顶端面在模封胶体的平坦面。在平坦面上安装顶部封装构造，并且在顶部封装构造与模封胶体之间介入中介转板，顶部封装构造包含多个顶端子，中介转板包含多个中介端子，在回焊过程中，顶端子接合至中介转板的对应接垫，中介端子接合至嵌埋端子的顶端面。藉此，中介端子具有微间距排列与微小化的优点而不会有熔融短接的风险。

公开(公告)号：CN105261611B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201510665364.6

申请日：2015-10-15

申请人： 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司

发明人： 谭小春

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/19 ,  H01L25/03 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06572

摘要： 本发明提供一种芯片的叠层封装结构以及叠层封装方法，在所述叠层封装结构中，在进行第一层管芯封装时通过互连体和第一重布线体将电极引出，适应于焊盘间距密度较高的芯片封装，同时无需用到键合引线，减少了封装电阻，此外，利用贯穿第一包封体和基板的贯穿体引出第二层芯片上的电极，从而实现了芯片的叠层封装，有效的减少了集成电路的封装面积以及引脚数量。

公开(公告)号：CN104851845B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201510247230.2

申请日：2011-09-22

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： J.A ,  埃尤里

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L27/0251 ,  H01L23/50 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及具有降低的寄生回路电感的集成电路封装。多层集成电路封装包括具有多个晶体管的开关模式电源电路，该多个晶体管形成开关模式电源电路的主电流回路的一部分。多个晶体管布置在集成电路封装的一层或多层中。该封装进一步包括导电板，该导电板布置在集成电路封装的与多个晶体管不同的层中。导电板足够紧密靠近主电流回路的至少一部分，使得能够响应于主电流回路中的电流变化而在导电板中电磁感应出电流。